三菱半导体
●晶体管
阵列
初步
M63840P/FP/KP
*注意：
这不是A F INAL注明： ication 。
有些参数的限制有可能发生变化。
8单位500毫安源类型达林顿晶体管，阵列钳位二极管
DESCRIPT ION
M63840P / FP / KP八个电路输出采购Darling-
吨晶体管阵列.The电路是由PNP型的和
NPN晶体管。无论是半导体集成
PERF ORM高电流电路DRIV荷兰国际集团以极低
输入电流供应。
引脚配置
（ TOP
VIEW ）
IN1→
1
IN2→
2
IN3→
3
IN4→
4
输入
IN5→
5
IN6→
6
IN7→
7
IN8→
8
Vs
9
18
→O1
17
→O2
16
→O3
15
→O4
特点
高击穿V oltage
（ BV
首席执行官
≧
40V）
大电流DRIV ING
（I
O
(max)＝－500mA
）
与输出钳位二极管
DRIV荷兰国际集团AV ailable与TTL输出或C-MOS IC的输出
Wide operating temperature range (Ta= -40½+85℃)
输出电流源TY PE
产量
14
→O5
13
→O6
12
→O7
11
→O8
10
GND
封装类型18P4G （ P）
应用
RIV继电器S ，打印器，发光二极管，女luorescent显示ES
管和林PS 。和MOS双极之间INTERF王牌
逻辑SY茎和继电器S ，螺线管小型电机。
入力
NC
1
20
NC
IN1→
2
IN2→
3
IN3→
4
IN4→
5
IN5→
6
IN6→
7
IN7→
8
IN8→
9
Vs
10
19
→O1
18
→O2
17
→O3
16
→O4
出力
15
→O5
14
→O6
13
→O7
12
→O8
11
FUNCT离子
该M63840P / FP /每KP甲肝ê 8的电路，这是
做输入INV erters和电流源输出。
输出是由PNP晶体管和NPN的
达林顿晶体管。 PNP晶体管基极电流
是恒定的。钳位二极管在每个省之间ided
输出和GND 。 Vs和GND是常用
当中的八个电路。
输入甲肝10kΩ的电子性能，以及高达V oltage
到15V适用。输出电流为500mA最大。
电源V oltage V
S
是40V最大。
该M63840FP / KP被封闭在模制的小F纬度
封装，可实现空间SAV ING设计。
GND
封装形式20P2N -A （ FP ）
20P2E-A(KP)
NC ：无连接
电路图
（每
电路
）
Vs
20K
10K
2.6K
100K
10K
5K
产量
GND
这八个电路份额Vs和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
Ω
输入
1/7
Jan/'06
三菱半导体
●晶体管
阵列
M63840P/FP/KP
8单位500毫安源类型达林顿晶体管，阵列钳位二极管
ABSOLUT E MAXIMUM RATINGS (Unless otherwise noted, Ta= -40½+85℃)
SY mbol
V
首席执行官
V
S
V
I
I
O
I
F
V
R
Pd
TOPR
TSTG
参数
集电极 - 发射极V oltage
电源V oltage
输入电压
输出电流
钳位二极管的正向电流
钳位二极管转ERSE V oltage
M63840P
功耗
工作温度
储存温度
当Ta = 25 ℃ ，
安装在主板
M63840FP
M63840KP
电流每路输出，H
输出，L
条件
评级
-0.5½+40
40
-0.5½+15
-500
-500
35
1.79
1.10
0.68
-40½+85
-55½+125
℃
℃
W
单位
V
V
V
mA
mA
V
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Unless otherwise noted, Ta= -40½+85℃)
SY mbol
V
S
电源V oltage
值班CY CLE
P：不超过10 ％
FP ：没有更多的话5 ％
KP ：没有更多的话3 ％
值班CY CLE
P：没有更多的话54 ％
FP ：不超过30 ％
KP ：没有更多的话18 ％
参数
民
0
0
范围
TY P
-
-
最大
40
-350
mA
0
2.0
0
-
-
-
-100
12
0.8
V
V
单位
V
输出电流
I
O
（每1电路的电流时， 8回路
同时来临）
V
IH
V
IL
"H"输入电压
"L"输入电压
ELECT RICAL特性（除非另有说明， TA = 25 ℃ ）
SY mbol
I
S（渗漏）
V
CE （ SAT ）
I
I
I
S
V
F
I
R
参数
供应漏电流
集电极 - 发射极饱和
V oltage
输入电流
电源电流
钳位二极管F orward V oltage
钳位二极管转ERSE电流
测试条件
V
S
= 40V, V
I
= 0.8V
V
S
= 10V, V
I
= 2V ，我
O
= -350mA
V
S
= 10V, V
I
= 2V ，我
O
= -100mA
V
I
= 2.4V
V
I
= 3.85V
V
S
= 40V, V
I
= 2V （每回路）
I
F
= 350毫安
V
R
= 40V
民
-
-
-
-
-
-
-
-
范围
TY P
-
1.7
1.5
36
180
-
1.3
-
最大
100
2.0
1.8
52
260
2.5
2.0
100
mA
V
μA
单位
μA
V
μA
开关特性（除非另有说明， TA = 25 ℃ ）
SY mbol
吨
TOF F
参数
开启时间
关F的时间
测试条件
C
L
= 15pF的（注1 ）
范围
TY P
180
2200
单位
ns
ns
民
-
-
最大
-
-
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三菱半导体
●晶体管
阵列
M63840P/FP/KP
8单位500毫安源类型达林顿晶体管，阵列钳位二极管
注1：测试电路
输入
V
S
50%
测量设备
PG
50Ω
R
L
C
L
产量
50%
产量
吨
花花公子
50%
输入
50%
时序图
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1KHz的，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，
V
I
= 0½2.4V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 100Ω, V
S
= 40V
（ 3 ）静电电容C
L
包括F loating电容
在连接和输入电容的探头。
典型CHARACTERIST ICS
热降额因子特征
2.0
输出饱和电压
输出电流特性
-500
VS = 10V
V
I
= 2V
-400
M63840P
1.5
M63840FP
1.0
0.931
-300
TA = 85 ℃
-200
TA = 25 ℃
0.572
0.354
-100
TA = -40 °
M63840KP
0.5
0
0
25
50
75
85
100
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta（ ℃ ）
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比输出电流特性
(M63840P)
-500
占空比输出电流特性
(M63840P)
-500
①
-400
-400
②
-300
-300
①
③
-200
漏光凭目前
值repres的耳鼻喉科
目前每 IRC UIT 。
重复FREQUENC
≧
10Hz
在c IRC勒设定的值repres经济需求测试的值参数
在S imultaneous LY -operated IRC UIT 。
TA = 25°
-100
④
⑤
⑥
⑦
⑧
-200
漏光凭目前
值repres的耳鼻喉科
目前每 IRC UIT 。
重复FREQUENC
≧
10Hz
在c IRC勒设定的值repres经济需求测试的值参数
在S imultaneous LY -operated IRC UIT 。
TA = 85 ℃
②
③
④
⑥⑤
⑧⑦
100
-100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
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三菱半导体
●晶体管
阵列
M63840P/FP/KP
8单位500毫安源类型达林顿晶体管，阵列钳位二极管
占空比输出电流特性
(M63840FP)
-500
占空比输出电流特性
(M63840FP)
-500
①
-400
-400
-300
-300
②
-200
-200
①
漏
当前值
③
-100
漏光凭目前
值repres的耳鼻喉科
目前每 IRC UIT 。
重复FREQUENC
≧
10Hz
在c IRC勒设定的值repres经济需求测试的值参数
在S imultaneous LY -operated IRC UIT 。
TA = 25°
④
⑤
⑥
⑦
⑧
100
-100
代表当前
每个电路。
重复频率
≧
10Hz
在圈中的值表示的值
在同时操作的电路。
TA = 85 ℃
0
0
20
40
60
80
0
②
③
④
⑤
⑦⑥
⑧
80
100
0
20
40
60
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
占空比输出电流特性
(M63840KP)
-500
占空比输出电流特性
(M63840KP)
-500
漏光凭目前 V alues
repres耳鼻喉科每光凭目前
中国保监会UIT 。
重复FREQUENC
≧
10Hz
在c IRC勒设定的值repres经济需求测试
在S imultaneous LY的设定的值 -
操作 IRC UIT 。
TA = 85 ℃
-400
-400
-300
①
-300
-200
②
漏极电流
值代表
电流每路。
重复频率
≧
10Hz
在圈中的值表示的值
在同时操作的电路。
TA = 25°
-200
①
-100
-100
③
④
⑤⑥
⑦⑧
80
100
0
0
20
40
60
0
0
20
40
60
80
100
②
③④
⑤
⑦⑥
⑧
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
接地发射传输特性
-500
VS = 20V
VS- VO = 4V
-400
TA = 85 ℃
-300
TA = 25 ℃
-200
TA = -40 °
200
300
400
500
钳位二极管特性
TA = 85 ℃
TA = 25 ℃
-100
100
TA = -40 °
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
输入电压V
I
(V)
正向偏置电压V
F
(V)
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三菱半导体
●晶体管
阵列
M63840P/FP/KP
8单位500毫安源类型达林顿晶体管，阵列钳位二极管
输入特性
0.5
VS = 20V
0.4
TA = -40 °
0.3
TA = 25 ℃
3
4
5
输入特性
VS = 20V
TA = -40 °
0.2
2
TA = 25 ℃
0.1
TA = 85 ℃
TA = 85 ℃
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
1
输入电压V
I
(V)
输入电压V
I
(V)
5/7
QQ：2881677436 复制
