【三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>化。焊割。cificac人SPE按照对散热】,IC型号M63832KP,M63832KP PDF资料,M63832KP经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

化。焊割。

cifica

人SPE按照对

散热片

是不是有限制

是RIC

E：钍

通知帕拉梅

IMIN

REL

M63832GP/KP

7 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列

引脚配置

描述

该M63832GP / KP 7路sinkdriver ，由7 PNP

从7高电流连接到14的NPN晶体管

获得驱动程序对。

IN1

IN2

IN3

产量

特点

高击穿电压（ BV

首席执行官

≥

50V)

高电流驱动（我

C（最大值）

= 500mA）请

3V微型计算机兼容的输入

“L”有效电平输入

随着输入二极管

宽工作温度范围（ TA = -40至+ 85°C ）

输入

IN4

IN5

IN6

IN7

GND

16P2S-A(GP)

封装形式16P2Z -A （ KP ）

应用

输出电压3单片机系列和接口

高电压系统。继电器和小型打印机驱动，LED ，或

白炽灯显示的数字驱动。

电路图

功能

该M63832GP / KP是晶体管阵列的高活性水平

七个单位类型，可以做3微电压直接驱动

电脑系列。 3.5kΩ的电阻连接之间

输入和PNP晶体管的基极。输入二极管是

为了防止从输入到电流的流动

VCC。如果没有这个二极管，从“H”输入到电流流

在Vcc和“L”的输入电路被激活，在这种情况下

其中的7电路的输入中的一个为“H” ，而另一个

是“L”，以节省功耗。该二极管被插入到

防止这样的误操作。该输出能够driv-的

荷兰国际集团500毫安和额定工作与输出电压达

到50V 。

20K

输入

3.5K

1.05K

7.2K

GND

产量

七电路共用Vcc和GND

二极管，用虚线表示，是寄生的，并

不能使用。

单位：

绝对最大额定值

符号

首席执行官

OPR

英镑

参数

电源电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

输入电压

功耗

工作温度

储存温度

（除非另有说明， TA = -40 + 85

条件

输出，H

电流每路输出，L

TA安装在船上的时候= 25° C，

评级

–0.5 ~ +50

500

–0.5 ~ V

0.80(FP)/0.78(KP)

–40 ~ +85

–55 ~ +125

单位

°C

2001年9月

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

化。焊割。

cifica

人SPE按照对

散热片

是不是有限制

是RIC

E：钍

通知帕拉梅

IMIN

REL

M63832GP/KP

7 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列

（除非另有说明， TA = -40 + 85

推荐工作条件

符号

电源电压

参数

范围

民

2.7

典型值

3.0

—

最大

3.6

400

单位

集电极电流（电流元

1时7电路的电路

同时来临）

占空比

GP / KP ：不大于2 ％

占空比

GP / KP ：不超过10％的

-0.5

—

200

-2.2

“H”输入电压

“L”输入电压

电气特性

（除非另有说明， TA = -40 + 85

符号

（ BR ） CEO

CE （ SAT ）

参数

测试条件

范围

民

—

2000

典型值

—

1.15

0.93

–220

2.6

10000

最大

—

2.4

1.6

–600

4.0

—

单位

—

集电极 - 发射极击穿电压余

首席执行官

= 100A

= 2.7V, V

= 0.5V ，我

= 400毫安

集电极 - 发射极饱和电压

= 2.7V, V

= 0.5V ，我

= 200毫安

输入电流

= V

-2.2V

电源电流（ AN仅输入）V

= 3.6V, V

= 0.5V

直流放大系数

= 2.7V, V

= 2V ，我

= 0.35A ， TA = 25℃

：典型值是在TA = 25℃

开关特性

符号

关闭

参数

开启时间

打开-O FF时间

（除非另有说明， TA = 25

测试条件

= 15pF的（注1 ）

范围

民

—

典型值

120

4500

最大

—

单位

注1：测试电路

输入

测

设备

时序图

输入

50%

产量

50%

吨

（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，

TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω

= 0.5 ~ 2.7V

（ 2 ）输入输出条件下，R

= 30Ω ， VO = 10V ， VCC = 2.7V

（ 3 ）静电电容C

包括杂散电容

在连接和输入电容探头

花花公子

2001年9月

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M63832GP/KP

7 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列

典型特征

输出饱和电压

集电极电流特性

500

M63832GP

M63832KP

Vcc=2.7V

=0.5V

热降额因子特征

1.0

功耗PD（MAX ）（ W）

0.78

集电极电流Ic （ mA）的

0.8

400

0.6

0.416

0.406

300

0.4

200

TA = 25℃

0.2

100

Ta=85°C

TA = -20℃

75 85

100

0.5

1.0

1.5

2.0

环境温度Ta （C ）

输出饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

占空比集电极特性

(M63832GP/KP)

500

占空比集电极特性

(M63832GP/KP)

集电极电流值

表示当前的每电路。

重复频率

≥

10Hz

值圆

表示的值

该simultaneously-的

操作电路。

VCC = 3V

TA = 85°C

集电极电流Ic （ mA）的

400

300

200

收集

当前值

表示当前的每电路。

重复频率

≥

10Hz

值的圆圈代表

的同时操作的电路的值。

VCC = 3V TA = 25℃

200

100

占空比（％）

直流放大系数

集电极电流特性

=2V

TA = 85°C

占空比（％）

输出电流特性

500

=2V

直流放大因子H

集电极电流I

（MA ）

400

TA = 85°C

TA = -40°C

TA = 25℃

300

TA = 25℃

200

TA = -40°C

100

2 1

5 7

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

集电极电流I

（MA ）

输入电压Vcc -V

(V)

2001年9月

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

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M63832GP/KP

7 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列

输入特性

–0.6

=3V

驱动器电源特性

20.0

=0.5V

–0.4

–0.3

Ta=85°C

电源电流ICC（毫安）

–0.5

16.0

输入电流I

（MA ）

12.0

Ta=25°C

Ta=–40°C

8.0

–0.2

Ta=25°C

–0.1

Ta=–40°C

4.0

Ta=85°C

输入电压Vcc -V

(V)

电源电压VCC （ V）

2001年9月