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三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
化。焊割。
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人SPE按照对
散热片
s
是不是有限制
是RIC
E:钍
t
通知帕拉梅
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So
P
AR
IMIN
REL
Y
M63830P/FP
4单元1.5A达林顿晶体管阵列钳位二极管
引脚配置
描述
该M63830P / FP 4通道sinkdriver ,由4个PNP
并从四个高电流连接到8 NPN晶体管
获得驱动程序对。
V
CC
OUTPUT1 O1
1
2
3
4
16
15
14
13
COM公共
O4输出4
IN4 INPUT4
GND
特点
G
高击穿电压( BV
首席执行官
50V)
G
高电流驱动(我
C(最大值)
= 1.5A)
G
3V微型计算机系列兼容输入
G
钳位二极管
G
随着输入二极管
G
宽工作温度范围( TA = -40至+ 85°C )
INPUT1 IN1
GND
5
12
11
10
9
INPUT2 IN2
OUTPUT2 O2
V
CC
6
7
8
IN3 INPUT3
O3 OUTPUT3
COM公共
16P4(P)
封装形式16P2N -A ( FP )
应用
输出电压3单片机系列和接口
高电压系统。继电器和小型打印机驱动,LED ,或
白炽灯显示的数字驱动。
电路图
功能
该M63830FP / P是晶体管阵列四个高活性水平
单位类型,可以做3个电压microcom-直接驱动
电脑系列。 3.5kΩ的电阻连接之间的
输入和PNP晶体管的基极。钳位二极管IN-
导电的负载瞬态抑制连接的输出
把针(集电极)和COM引脚。该输入二极管的目的是
为了防止电流的流动从输入到Vcc的。与 -
出这个二极管,从“H”输入到Vcc的电流流动,并
的“L”的输入电路被激活,在这种情况下,其中一个
4电路的输入为“H” ,而另一个是“L”,以保存
功耗。该二极管被插入来防止这种
误操作。输出可驱动1.5A和
器件的额定工作与输出电压高达50V 。
V
CC
22K
输入
3.5K
760
5.5K
3K
GND
COM
产量
四回路共用COM和GND
二极管,用虚线表示,是寄生的,并
不能使用。
单位:
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
首席执行官
I
C
V
I
V
R
I
F
P
d
T
OPR
T
英镑
电源电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
参数
(除非另有说明, TA = -40 + 85
°
C)
条件
输出,H
电流每路输出,L
评级
7
–0.5 ~ +50
1.5
–0.5 ~ V
CC
50
1.5
1.0
1.92(P)/1.00(FP)
–40 ~ +85
–55 ~ +125
单位
V
V
A
V
V
A
W
°C
°C
2001年9月
钳位二极管的反向电压
钳位二极管的正向电流
功耗
工作温度
储存温度
脉冲宽度
为10ms ,占空比
5%
脉冲宽度
为100ms ,占空比
5%
TA安装在船上的时候= 25° C,
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
化。焊割。
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REL
Y
M63830P/FP
4单元1.5A达林顿晶体管阵列钳位二极管
(除非另有说明, TA = -40 + 85
°
C)
推荐工作条件
符号
V
CC
V
O
电源电压
输出电压
参数
范围
2.7
0
典型值
3.0
最大
3.6
50
1.25
单位
V
V
I
C
集电极电流(电流元
1时4电路的电路
同时来临)
V
CC
= 3V ,占空比
P:不超过5 %的
FP:不大于2%的
V
CC
= 3V ,占空比
P:不超过15 %
FP:不超过7 %
0
A
0
V
CC
-0.5
0
0.7
V
CC
V
CC
-2.2
V
V
V
IH
V
IL
“H”输入电压
“L”输入电压
电气特性
(除非另有说明, TA = -40 + 85
°
C)
符号
V
( BR ) CEO
I
CC
参数
测试条件
范围
50
4000
典型值
½
3.7
1.4
1.0
–0.22
–0.60
1.5
30000
最大
5.0
2.2
1.7
–0.6
–0.95
100
2.3
单位
V
mA
V
mA
A
V
集电极 - 发射极击穿电压余
首席执行官
= 100A
电源电流( AN仅输入)V
CC
= 3.6V, V
I
= 0.5V
V
CC
= 2.7V, V
I
= 0.5V ,我
C
= 1.25A
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
V
CC
= 2.7V, V
I
= 0.5V ,我
C
= 0.7A
V
I
= V
CC
-2.2V
I
I
输入电流
V
I
= V
CC
-3.6V
I
R
钳位二极管的反向电流
V
R
= 50V
V
F
钳位二极管的正向volltage我
F
= 1.25A ,V
CC
开放
h
FE
直流放大系数
V
CC
= 2.7V, V
CE
= 2V ,我
C
= 1A ,TA = 25℃
½
:典型值是在TA = 25℃
开关特性
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
(除非另有说明, TA = 25
°
C)
测试条件
C
L
= 15pF的(注1 )
范围
典型值
190
5300
最大
单位
ns
ns
注1:测试电路
输入
V
CC
设备
开放
PG
50
产量
V
O
时序图
输入
50%
50%
R
L
产量
C
L
50%
50%
( 1 )脉冲发生器( PG )特点: PRR = 1kHz时,
TW = 10μs的, TR = 6ns的, TF = 6ns的,莫宁= 50Ω
V
I
= 0.5 ~ 2.7V
( 2 )输入输出条件下,R
L
= 8.3Ω , VO = 10V , VCC = 2.7V
( 3 )静电电容C
L
包括杂散电容
在连接和输入电容探头
花花公子
2001年9月
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M63830P/FP
4单元1.5A达林顿晶体管阵列钳位二极管
典型特征
输出饱和电压
集电极电流特性
1.6
M63830P
Vcc=2.7V
V
I
=0.5V
热降额因子特征
1.92
2.0
功耗PD(MAX ) ( W)
1.5
集电极电流Ic ( A)
1.2
1.0
M63830FP
0.998
0.8
Ta=85°C
0.5
0.520
0.4
Ta=25°C
Ta=–40°C
0
0
25
50
75 85
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta (C )
输出饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
占空比集电极特性
(M63830P)
2.0
2.0
占空比集电极特性
(M63830P)
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表
该simultaneously-的价值
操作电路。
VCC = 3V TA = 85°C
集电极电流Ic ( A)
集电极电流Ic ( A)
1.5
1.5
1.0
收集
当前值表示
目前每个电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表
的同时操作的电路的值。
VCC = 3V TA = 25℃
1
1.0
0.5
2
3
4
1
0.5
2
3
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比( % )
占空比集电极特性
(M63830FP)
2.0
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表
的价值
同时操作的电路。
VCC = 3V TA = 25℃
占空比集电极特性
(M63830FP)
2.0
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表
的价值
同时操作的电路。
VCC = 3V
TA = 85°C
集电极电流Ic ( A)
1.5
集电极电流Ic ( A)
1.5
1.0
1.0
1
0.5
2
3
4
0.5
1
2
3
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比( % )
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4单元1.5A达林顿晶体管阵列钳位二极管
直流放大系数
集电极电流特性
10
5
7 V
CC
=2.7V
5 V
CE
=2V
接地发射传输特性
1.6
V
CC
=2.7V
V
CE
=2V
直流放大因子H
FE
集电极电流Ic ( A)
3
2
Ta=85°C
1.2
10
4
7
5
3
2
Ta=25°C
Ta=–40°C
0.8
Ta=85°C
Ta=25°C
10
3
7
5
3
2
0.4
Ta=–40°C
10
2 1
10
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
2 3 5 7
10
4
集电极电流I
C
(MA )
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
输入电压Vcc -V
I
(V)
输入特性
–0.6
V
CC
=3V
钳位二极管特性
2.0
正向偏置电流I
F
(A)
–0.5
输入电流I
I
(MA )
1.5
–0.4
–0.3
Ta=85°C
1.0
Ta=25°C
–0.2
Ta=25°C
0.5
Ta=85°C
Ta=–40°C
–0.1
Ta=–20°C
0
0
1
2
3
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
输入电压Vcc -V
I
(V)
正向偏置电压V
F
(V)
驱动器电源特性
20.0
V
I
=0.5V
电源电流ICC(毫安)
16.0
Ta=25°C
12.0
Ta=–40°C
8.0
Ta=85°C
4.0
0
0
2
4
6
8
10
电源电压VCC ( V)
2001年9月
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