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三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63812P/FP/GP/KP
带钳位二极管7 -UNIT 300毫安晶体管阵列
描述
M63812P , M63812FP , M63812GP和M63812KP是
七电路辛格晶体管阵列钳位二极管。
该电路是由NPN晶体管。无论是semicon-
导体集成电路进行高电流驱动的
极低的输入电流供应。
引脚配置
IN1→
IN2→
IN3→
输入
IN4→
IN5→
IN6→
IN7→
1
2
3
4
5
6
7
8
16
→O1
15
→O2
14
→O3
13
→O4
12
→O5
11
O6
10
→O7
9
产量
特点
q
四包配置(P ,FP, GP和KP)
q
媒体击穿电压( BV
首席执行官
35V)
q
同步电流(I
C(最大值)
= 300毫安)
q
钳位二极管
q
与齐纳二极管
q
低输出饱和电压
q
宽工作温度范围( TA = -40至+ 85°C )
GND
COM黎民
套餐类型
16P4(P)
16P2N-A(FP)
16P2S-A(GP)
16P2Z-A(KP)
电路图
COM
产量
Vz=7V
应用
驾驶指示元素的数字驱动器( LED和
灯)小信号
输入
10.5k
10k
GND
七电路共用COM和GND 。
二极管,用虚线表示,是寄生的,并
不能使用。
单位:
功能
该M63812P , M63812FP , M63812GP和M63812KP每
有七电路组成NPN transistor.A的spike-
杀手钳位二极管,每一个输出引脚之间
(集电极)和COM引脚( 9脚) 。该晶体管的发射器都
连接到GND引脚(引脚8 ) 。晶体管允许同步
300毫安集电极电流的异步的流动。最大35V的
电压可以在集电极与发射极之间施加。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
I
F
V
R
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
(除非另有说明, TA = -40 + 85
°
C)
条件
输出,H
电流每路输出,L
评级
–0.5 ~ +35
300
–0.5 ~ +35
300
M63812P
M63812FP
M63812GP
M63812KP
35
1.47
1.00
0.80
0.78
–40 ~ +85
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
mA
V
输入电压
钳位二极管的正向电流
钳位二极管的反向电压
TA 25 ° C,安装时=
在船上
P
d
功耗
W
T
OPR
T
英镑
工作温度
储存温度
°C
°C
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63812P/FP/GP/KP
带钳位二极管7 -UNIT 300毫安晶体管阵列
推荐工作条件
(除非另有说明, TA = -40 + 85
°
C)
符号
V
O
参数
输出电压
M63812P
集电极电流
(每1税务局局长电流
I
C
CUIT 7时电路
将会陆续Si-所示
multaneously )
M63812GP
M63812KP
V
IN
输入电压
M63812FP
占空比不超过45 %
占空比不超过100 %
占空比不超过30 %
占空比不超过100 %
占空比不超过24 %
占空比不超过100 %
占空比不超过24 %
占空比不超过100 %
测试条件
范围
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
典型值
最大
35
250
160
250
130
250
120
250
120
30
单位
V
mA
V
电气特性
(除非另有说明, TA = 25
°
C)
符号
V
( BR ) CEO
V
CE ( SAT )
V
IN(上)
V
R
I
R
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
范围
35
13
50
典型值
19
1.2
最大
0.2
0.8
23
2.0
10
单位
V
V
V
V
A
I
首席执行官
= 10A
I
IN
= 1mA时,我
C
= 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压
I
IN
= 2毫安,我
C
= 150毫安
“在”输入电压
I
IN
= 1mA时,我
C
= 10毫安
钳位二极管的正向volltage
钳位二极管的反向电流
直流放大系数
I
F
= 250毫安
V
R
= 35V
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
开关特性
(除非另有说明, TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的(注1 )
测试条件
范围
典型值
140
240
最大
单位
ns
ns
注1:测试电路
输入
Vo
时序图
50%
测量设备
开放
PG
C
L
产量
50%
输入
R
L
50%
50
50%
产量
( 1 )脉冲发生器( PG )特点: PRR = 1kHz时,
TW = 10μs的, TR = 6ns的, TF = 6ns的,莫宁= 50Ω ,V
IH
= 18V
( 2 )输入输出条件下,R
L
=220,Vo=35V
( 3 )静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
花花公子
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63812P/FP/GP/KP
带钳位二极管7 -UNIT 300毫安晶体管阵列
典型特征
热降额因子特征
2.0
功耗PD (W )
输入特性
4
输入电流
I
I
(MA )
1.5
M63812P
3
TA = -40°C
TA = 25°C
Ta=25
1.0
M63812FP
M63812GP
M63812KP
0.744
0.520
0.418
0.406
2
0.5
1
Ta=85°C
0
0
25
50
75 85
100
0
0
5
10
15
20
25
30
环境温度Ta (C )
占空比集电极特性
(M63812P)
400
400
输入电压
V
I
(V)
占空比集电极特性
(M63812P)
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流Ic ( mA)的
300
1~4
5
6
7
300
1~2
3
4
200
200
5
6
7
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
10Hz
值的圆代表的价值
的同时操作的电路。
= TA
= 85°C
100
0
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
10Hz
值的圆代表的价值
的同时操作的电路。
= TA
= 25°C
100
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比集电极特性
(M63812FP)
400
400
占空比( % )
占空比集电极特性
(M63812FP)
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流Ic ( mA)的
300
1~3
4
5
6
7
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
10Hz
值的圆代表的价值
的同时操作的电路。
= TA
= 25°C
300
1
2
200
200
100
100
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
10Hz
值的圆代表的价值
的同时操作的电路。
= TA
= 85°C
3
4
5
6
7
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比( % )
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63812P/FP/GP/KP
带钳位二极管7 -UNIT 300毫安晶体管阵列
400
占空比集电极特性
(M63812GP/KP)
400
占空比集电极特性
(M63812GP/KP)
集电极电流Ic
(MA )
300
1~2
3
4
5
6
7
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
10Hz
值的圆代表的价值
的同时操作的电路。
= TA
= 25°C
集电极电流Ic
(MA )
300
1
2
200
200
100
100
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
10Hz
值的圆代表的价值
的同时操作的电路。
= TA
= 85°C
3
4
56
7
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
输出饱和电压
集电极电流特性
250
TA = 25°C
I
B
= 2毫安
I
B
= 3毫安
占空比( % )
输出饱和电压
集电极电流特性
100
TA = 25 ℃, V
I
= 32V
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流Ic ( mA)的
200
I
B
= 1.5毫安
80
V
I
= 28V
V
I
= 24V
V
I
= 20V
150
I
B
= 1毫安
60
V
I
= 16V
100
I
B
- 0.5毫安
40
20
V
I
= 12V
50
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
0.05
0.10
0.15
0.20
输出饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
输出饱和电压
集电极电流特性
100
I
I
= 2毫安
输出饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
直流放大系数
集电极电流特性
10
3
7
5
3
2
V
CE
10V
TA = 25°C
集电极电流Ic ( mA)的
80
TA = -40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
60
直流放大因子H
FE
0.20
10
2
7
5
3
2
40
20
0
0
0.05
0.10
0.15
10
1
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
集电极电流Ic ( mA)的
输出饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63812P/FP/GP/KP
带钳位二极管7 -UNIT 300毫安晶体管阵列
接地发射传输特性
50
V
CE
= 4V
接地发射传输特性
250
V
CE
= 4V
集电极电流Ic
(MA )
集电极电流Ic
(MA )
40
200
150
TA = 85°C
TA = 25°C
30
TA = 25°C
20
TA = 85°C
TA = -40°C
100
50
TA = -40°C
10
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
4
8
12
16
20
输入电压V
I
(V)
输入电压V
I
(V)
钳位二极管特性
250
正向电流BISA
I
F
(MA )
200
150
TA = 85°C
100
TA = 25°C
TA = -40°C
50
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
正向偏置电压V
F
(V)
2000年1月
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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