【PR离子。安格。hICATECIF克拉到cL SPe国际泳联ê SUBJ一个加时赛的AR为nm这et】,IC型号M63816KP,M63816KP PDF资料,M63816KP经销商,ic,电子元器件-51电子网

离子。安格。

ICAT

ECIF克拉到c

L SP

国际泳联ê SUBJ

一个加时赛的AR

为n

这etric李

耳参数

索姆

IMI

元

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63816P/FP/KP

带钳位二极管8 -UNIT 300毫安晶体管阵列

引脚配置

IN1→

IN2

→

IN3

→

输入

→

描述

M63816P / FP / KP八个电路单晶体管阵列

钳位二极管。该电路是由NPN型晶体管的

器。无论是半导体集成电路执行

高电流驱动以极低的输入电流供应。

IN4

→

IN5

→

产量

IN6

→

特点

三个包配置（P ，FP和KP）

媒体击穿电压（ BV

首席执行官

≥

35V)

同步电流（I

C（最大值）

= 300毫安）

钳位二极管

低输出饱和电压

宽工作温度范围（ TA = -40至+ 85°C ）

IN7

→

IN8

→

GND

-COM

黎民

套餐类型

18P4G(P)

IN1

→

IN2

→

COM

应用

驾驶指示元素的数字驱动器（ LED和

灯）小信号

IN3

→

IN4

→

输入

IN5

→

IN6

→

IN7

→

IN8

→

产量

功能

该M63816P / FP /每KP有八个电路组成

NPN晶体管。穗杀手钳位二极管提供BE-

补间的每个输出引脚（集电极）和COM引脚。该晶体管

发射器都连接到GND引脚。晶体管

允许300毫安集电极电流流同步。一个最强

35V电压的妈妈可以集电极之间施加

和发射器。

GND

黎民

NC ：无连接

20P2N-A(FP)

套餐类型

20P2E-A(KP)

电路图

COM

产量

输入

2.7k

10k

GND

这八个电路共用COM和GND 。

二极管，用虚线表示，是寄生的，并

不能使用。

单位：

2000年1月

离子。安格。

ICAT

ECIF克拉到c

L SP

国际泳联ê SUBJ

一个加时赛的AR

为n

这etric李

耳参数

索姆

IMI

元

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63816P/FP/KP

带钳位二极管8 -UNIT 300毫安晶体管阵列

（除非另有说明， TA = -40 + 85

绝对最大额定值

符号

首席执行官

OPR

英镑

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流

输入电压

条件

输出，H

电流每路输出，L

评级

–0.5 ~ +35

300

–0.5 ~ +35

300

M63816P

M63816FP

M63816KP

1.79

1.10

0.68

–40 ~ +85

–55 ~ +125

单位

°C

钳位二极管的正向电流

钳位二极管的反向电压

功耗

工作温度

储存温度

TA 25 ° C，安装时=

在船上

推荐工作条件

（除非另有说明， TA = -40 + 85

符号

参数

输出电压

集电极电流

（每1税务局局长电流

CUIT 8时电路

将会陆续Si-所示

multaneously ）

输入电压

M63816KP

M63816P

M63816FP

占空比不大于50％的

占空比不超过100 ％

占空比不超过30 ％

占空比不超过100 ％

占空比不超过12 ％

占空比不超过100 ％

测试条件

范围

民

典型值

—

最大

250

170

250

130

250

100

单位

电气特性

（除非另有说明， TA = 25

符号

（ BR ） CEO

CE （ SAT ）

IN（上）

参数

集电极 - 发射极击穿电压

测试条件

范围

民

—

2.4

—

典型值

—

3.5

1.2

—

最大

—

0.2

0.8

4.2

2.0

—

单位

—

首席执行官

= 10A

= 1mA时，我

= 10毫安

集电极 - 发射极饱和电压

= 2毫安，我

= 150毫安

“在”输入电压

= 1mA时，我

= 10毫安

钳位二极管的正向volltage

= 250毫安

钳位二极管的反向电流

= 35V

直流放大系数

= 10V ，我

= 10毫安

开关特性

（除非另有说明， TA = 25

符号

关闭

参数

开启时间

打开-O FF时间

= 15pF的（注1 ）

测试条件

范围

民

—

典型值

125

250

最大

—

单位

2000年1月

离子。安格。

ICAT

ECIF克拉到c

L SP

国际泳联ê SUBJ

一个加时赛的AR

为n

这etric李

耳参数

索姆

IMI

元

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63816P/FP/KP

带钳位二极管8 -UNIT 300毫安晶体管阵列

时序图

50%

注1：测试电路

输入

测量设备

开放

产量

输入

产量

50%

吨

（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，

TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，V

= 3V

（ 2 ）输入输出条件下，R

= 220Ω ， VO = 35V

（ 3 ）静电电容C

包括浮动电容

连接和输入电容探头

花花公子

典型特征

热降额因子特征

2.0

M63816P

输入特性

TA = -40°C

功耗PD （W ）

M63816FP

输入电流

（MA ）

1.5

1.0

M63816KP

0.931

TA = 25°C

0.5

0.572

0.354

TA = 85°C

75 85

100

环境温度Ta （C ）

占空比集电极特性

(M63816P)

400

输入电压

(V)

占空比集电极特性

(M63816P)

集电极电流Ic （ mA）的

300

1~5

集电极电流Ic （ mA）的

300

1~3

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 85°C

200

100

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 25°C

100

占空比（％）

2000年1月

离子。安格。

ICAT

ECIF克拉到c

L SP

国际泳联ê SUBJ

一个加时赛的AR

为n

这etric李

耳参数

索姆

IMI

元

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63816P/FP/KP

带钳位二极管8 -UNIT 300毫安晶体管阵列

占空比集电极特性

(M63816FP)

400

占空比集电极特性

(M63816FP)

集电极电流Ic

（MA ）

300

200

1~3

集电极电流Ic

（MA ）

300

200

100

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 25°C

100

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 85°C

100

占空比（％）

占空比集电极特性

(M63816KP)

400

占空比（％）

占空比集电极特性

(M63816KP)

集电极电流Ic

（MA ）

300

1~2

集电极电流Ic

（MA ）

300

200

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 25°C

200

100

该

集电极电流值

表示当前的每电路。

←反复

频率

≥

10Hz

该

值的圆代表的价值

的同时操作的电路。

= TA

= 85°C

100

占空比（％）

输出饱和电压

集电极电流特性

250

TA = 25°C

= 2毫安

= 3毫安

占空比（％）

输出饱和电压

集电极电流特性

100

TA = 25 ℃， V

= 7V

= 6V

= 5V

集电极电流Ic （ mA）的

150

= 1毫安

集电极电流Ic （ mA）的

200

= 1.5毫安

= 2V

= 4V

= 3V

100

- 0.5毫安

0.2

0.4

0.6

0.8

0.05

0.10

0.15

0.20

输出饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

输出饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

2000年1月

离子。安格。

ICAT

ECIF克拉到c

L SP

国际泳联ê SUBJ

一个加时赛的AR

为n

这etric李

耳参数

索姆

IMI

元

三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>

M63816P/FP/KP

带钳位二极管8 -UNIT 300毫安晶体管阵列

输出饱和电压

集电极电流特性

100

= 2毫安

直流放大系数

集电极电流特性

10V

TA = 25°C

集电极电流Ic （ mA）的

TA = -40°C

TA = 25°C

TA = 85°C

直流放大因子H

0.20

0.05

0.10

0.15

2 3 5 7

集电极电流Ic （ mA）的

输出饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

接地发射传输特性

= 4V

接地发射传输特性

250

= 4V

集电极电流Ic

（MA ）

集电极电流Ic

（MA ）

TA = 25°C

200

TA = 85°C

TA = -40°C

150

TA = 25°C

100

TA = -40°C

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

输入电压V

(V)

输入电压V

(V)

钳位二极管特性

250

正向电流BISA

（MA ）

200

150

TA = 85°C

100

TA = 25°C

TA = -40°C

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

正向偏置电压V

(V)

2000年1月