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PR
离子。安格。
h
ICAT
ECIF克拉到c
L SP
e
国际泳联ê SUBJ
一个加时赛的AR
为n
m
这etric李
e:
耳参数
N
e
索姆
IMI
EL
N
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63805P/FP/KP
8 -UNIT 300毫安晶体管阵列
引脚配置
IN1→
IN2
IN3
输入
1
2
3
18
O1
17
O2
16
O3
15
O4
14
O5
13
O6
12
O7
11
O8
10
描述
M63805P / FP / KP八个电路单晶体管阵列。
该电路是由NPN晶体管。无论是semicon-
导体集成电路进行高电流驱动的
极低的输入电流供应。
IN4
4
IN5
5
产量
IN6
6
特点
q
三个包配置(P ,FP和KP)
q
媒体击穿电压( BV
首席执行官
35V)
q
同步电流(I
C(最大值)
= 300毫安)
q
与齐纳二极管
q
低输出饱和电压
q
宽工作温度范围( TA = -40至+ 85°C )
IN7
IN8
GND
7
8
9
NC
套餐类型
18P4G(P)
NC
1
20
NC
IN1
2
IN2
3
19
O1
18
O2
17
O3
16
O4
15
O5
14
O6
13
O7
12
O8
11
NC
应用
驾驶指示元素的数字驱动器( LED和
灯)小信号
IN3
4
IN4
5
输入
IN5
6
IN6
7
IN7
8
IN8
9
产量
功能
该M63805P / FP /每KP有八个电路组成
NPN晶体管。所述晶体管的发射极都连接到
GND引脚。晶体管允许流同步
300毫安集电极电流。最大35V的电压可
集电极和发射极之间施加。
GND
10
NC :无连接
20P2N-A(FP)
套餐类型
20P2E-A(KP)
电路图
产量
Vz=7V
输入
10.5K
10K
GND
这八个电路共用接地。
二极管,用虚线表示,是寄生的,并
不能使用。
单位:
2000年1月
PR
离子。安格。
h
ICAT
ECIF克拉到c
L SP
e
国际泳联ê SUBJ
一个加时赛的AR
为n
m
这etric李
e:
耳参数
N
e
索姆
IMI
EL
N
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63805P/FP/KP
8 -UNIT 300毫安晶体管阵列
(除非另有说明, TA = -40 + 85
°
C)
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
功耗
工作温度
储存温度
条件
输出,H
电流每路输出,L
M63805P
M63805FP
M63805KP
评级
–0.5 ~ +35
300
–0.5 ~ +35
1.79
1.10
0.68
–40 ~ +85
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
W
°C
°
C
TA 25 ° C,安装时=
在船上
推荐工作条件
(除非另有说明, TA = -40 + 85
°
C)
符号
V
O
参数
输出电压
集电极电流
I
C
(每1税务局局长电流
CUIT 8时电路
将会陆续Si-所示
multaneously )
V
IN
输入电压
M63805P
M63805FP
M63805KP
占空比不大于50%的
占空比不超过100 %
占空比不超过30 %
占空比不超过100 %
占空比不超过12 %
占空比不超过100 %
测试条件
范围
0
0
0
0
0
0
0
0
典型值
最大
35
250
170
250
130
250
100
30
单位
V
mA
V
电气特性
(除非另有说明, TA = 25
°
C)
符号
V
( BR ) CEO
V
CE ( SAT )
V
IN(上)
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
范围
35
13
50
典型值
19
最大
0.2
0.8
23
单位
V
V
V
I
首席执行官
= 10A
I
IN
= 1mA时,我
C
= 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压
I
IN
= 2毫安,我
C
= 150毫安
“在”输入电压
I
IN
= 1mA时,我
C
= 10毫安
直流放大系数
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
开关特性
(除非另有说明, TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的(注1 )
测试条件
范围
典型值
140
240
最大
单位
ns
ns
2000年1月
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离子。安格。
h
ICAT
ECIF克拉到c
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e
国际泳联ê SUBJ
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耳参数
N
e
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IMI
EL
N
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63805P/FP/KP
8 -UNIT 300毫安晶体管阵列
时序图
Vo
50%
50%
注1:测试电路
输入
测量设备
PG
R
L
产量
输入
产量
50
C
L
50%
50%
( 1 )脉冲发生器( PG )特点: PRR = 1kHz时,
TW = 10μs的, TR = 6ns的, TF = 6ns的,莫宁= 50Ω ,V
IH
= 18V
( 2 )输入输出条件下,R
L
= 220Ω , VO = 35V
( 3 )静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
花花公子
典型特征
热降额因子特征
2.0
M63805P
输入特性
4
功耗PD (W )
输入电流I
I
(MA )
1.5
M63805FP
3
TA = -40°C
TA = 25°C
1.0
M63805KP
0.931
2
0.5
0.572
0.354
1
TA = 85°C
0
0
25
50
75 85
100
0
0
5
10
15
20
25
30
环境温度Ta (C )
占空比集电极特性
(M63805P)
400
400
输入电压V
I
(V)
占空比集电极特性
(M63805P)
集电极电流Ic ( mA)的
300
~
集电极电流Ic ( mA)的
300
~
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 85°C
200
200
100
0
0
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 25℃
100
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比( % )
2000年1月
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离子。安格。
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ECIF克拉到c
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耳参数
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IMI
EL
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三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63805P/FP/KP
8 -UNIT 300毫安晶体管阵列
占空比集电极特性
(M63805FP)
400
400
占空比集电极特性
(M63805FP)
集电极电流Ic ( mA)的
300
200
~
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 25℃
集电极电流Ic ( mA)的
300
200
100
100
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 85°C
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比集电极特性
(M63805KP)
400
400
占空比( % )
占空比集电极特性
(M63805KP)
集电极电流Ic ( mA)的
300
~
集电极电流Ic ( mA)的
300
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 25℃
200
100
100
0
0
20
40
60
80
100
0
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 85°C
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
输出饱和电压
集电极电流特性
250
TA = 25°C
I
B
= 2毫安
I
B
= 3毫安
占空比( % )
输出饱和电压
集电极电流特性
100
TA = 25 ℃, V
I
= 32V
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流Ic ( mA)的
200
I
B
= 1.5毫安
I
B
= 1毫安
80
V
I
= 28V
V
I
= 24V
V
I
= 20V
V
I
= 16V
150
60
100
I
B
- 0.5毫安
40
20
V
I
= 12V
50
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
0.05
0.10
0.15
0.20
输出饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
输出饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
2000年1月
PR
离子。安格。
h
ICAT
ECIF克拉到c
L SP
e
国际泳联ê SUBJ
一个加时赛的AR
为n
m
这etric李
e:
耳参数
N
e
索姆
IMI
EL
N
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63805P/FP/KP
8 -UNIT 300毫安晶体管阵列
输出饱和电压
集电极电流特性
100
I
I
= 2毫安
直流放大系数
集电极电流特性
10
3
直流放大因子H
FE
7
5
3
2
V
CE
10V
TA = 25°C
集电极电流Ic ( mA)的
80
TA = -40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
60
10
2
7
5
3
2
40
20
0
0
0.05
0.10
0.15
0.20
10
1
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
集电极电流Ic ( mA)的
输出饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
接地发射传输特性
50
V
CE
= 4V
接地发射传输特性
250
V
CE
= 4V
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流Ic ( mA)的
40
200
150
TA = 85°C
TA = 25°C
30
TA = 25°C
20
TA = 85°C
TA = -40°C
100
50
TA = -40°C
10
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
4
8
12
16
20
输入电压V
I
(V)
输入电压V
I
(V)
2000年1月
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    M63805P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
M63805P
NO
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1131021506 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885814660 复制
电话:0755-83231869
联系人:张
地址:福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
M63805P
MITSUBISHI
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品,可售样,可开13%增值税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
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原装现货 量大可订货 欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
M63805P
NO
24+
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MODULE
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
M63805P
NO
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2177
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公司大量 现货随时可以发货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
M63805P
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:0755-83264115
联系人:朱生
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电话:13910052844(微信同步)
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