PR
离子。安格。
h
ICAT
ECIF克拉到c
L SP
e
国际泳联ê SUBJ
一个加时赛的AR
为n
m
这etric李
e:
耳参数
N
e
索姆
IMI
EL
元
N
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63805P/FP/KP
8 -UNIT 300毫安晶体管阵列
引脚配置
IN1→
IN2
→
IN3
→
输入
1
2
3
18
→
O1
17
→
O2
16
→
O3
15
→
O4
14
→
O5
13
→
O6
12
→
O7
11
→
O8
10
描述
M63805P / FP / KP八个电路单晶体管阵列。
该电路是由NPN晶体管。无论是semicon-
导体集成电路进行高电流驱动的
极低的输入电流供应。
IN4
→
4
IN5
→
5
产量
IN6
→
6
特点
q
三个包配置(P ,FP和KP)
q
媒体击穿电压( BV
首席执行官
≥
35V)
q
同步电流(I
C(最大值)
= 300毫安)
q
与齐纳二极管
q
低输出饱和电压
q
宽工作温度范围( TA = -40至+ 85°C )
IN7
→
IN8
→
GND
7
8
9
→
NC
套餐类型
18P4G(P)
NC
1
20
NC
IN1
→
2
IN2
→
3
19
→
O1
18
→
O2
17
→
O3
16
→
O4
15
→
O5
14
→
O6
13
→
O7
12
→
O8
11
→
NC
应用
驾驶指示元素的数字驱动器( LED和
灯)小信号
IN3
→
4
IN4
→
5
输入
IN5
→
6
IN6
→
7
IN7
→
8
IN8
→
9
产量
功能
该M63805P / FP /每KP有八个电路组成
NPN晶体管。所述晶体管的发射极都连接到
GND引脚。晶体管允许流同步
300毫安集电极电流。最大35V的电压可
集电极和发射极之间施加。
GND
10
NC :无连接
20P2N-A(FP)
套餐类型
20P2E-A(KP)
电路图
产量
Vz=7V
输入
10.5K
10K
GND
这八个电路共用接地。
二极管,用虚线表示,是寄生的,并
不能使用。
单位:
2000年1月
PR
离子。安格。
h
ICAT
ECIF克拉到c
L SP
e
国际泳联ê SUBJ
一个加时赛的AR
为n
m
这etric李
e:
耳参数
N
e
索姆
IMI
EL
元
N
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63805P/FP/KP
8 -UNIT 300毫安晶体管阵列
时序图
Vo
50%
50%
注1:测试电路
输入
测量设备
PG
R
L
产量
输入
产量
50
C
L
50%
50%
吨
( 1 )脉冲发生器( PG )特点: PRR = 1kHz时,
TW = 10μs的, TR = 6ns的, TF = 6ns的,莫宁= 50Ω ,V
IH
= 18V
( 2 )输入输出条件下,R
L
= 220Ω , VO = 35V
( 3 )静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
花花公子
典型特征
热降额因子特征
2.0
M63805P
输入特性
4
功耗PD (W )
输入电流I
I
(MA )
1.5
M63805FP
3
TA = -40°C
TA = 25°C
1.0
M63805KP
0.931
2
0.5
0.572
0.354
1
TA = 85°C
0
0
25
50
75 85
100
0
0
5
10
15
20
25
30
环境温度Ta (C )
占空比集电极特性
(M63805P)
400
400
输入电压V
I
(V)
占空比集电极特性
(M63805P)
集电极电流Ic ( mA)的
300
~
集电极电流Ic ( mA)的
300
~
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 85°C
200
200
100
0
0
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
值的圆圈代表的价值
的同时操作的电路。
TA = 25℃
100
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比( % )
2000年1月