P
f
L
i
I
s
M
OT aliminitasl是subje
h是N c个
ETRI
CE ：T已
NOTI ê参数
索姆
A
p
R
if
Y
tciono 。改变。
I N
EC ICA吨吨
三菱<Dig / Ana.INTERFACE>
M62023L,P,FP
引脚配置（顶视图）
系统复位IC与开关后备记忆
概述
该M62023L / P / FP系统复位IC ，控制内存
SRAM的备份功能和一个嵌入式RAM的
微控制器。
该IC输出复位信号（ RES / RES ），以微控制器为
断电和停电。也把该电源到
RAM的主从备份，输出信号（ CS ）的调用
待机模式，并改变RAM的备份电路模式。
8 CS
7 RES
6 GND
5 RES
4 C
t
3 V
IN
2 V
BAT
1 V
OUT
轮廓8P5 （L）的
特点
内置开关主电源之间选择背景
达电源的RAM
输入和输出电压之间的差小
(I
OUT
= 80毫安，V
IN
= 3V ） ： 0.15V （典型值）
检测电压（电源电压监控器） ： 2.57V （典型值）
片选信号输出（ CS ）
两个通道的复位输出（ RES / RES ）
上电复位电路
应用
电源控制系统的微控制器的内存
系统中的电子设备，如OA设备
工业设备和家用电子电器
和SRAM电路板与需要内置的备份功能
外部电源与电池之间切换。
V
OUT
1
V
BAT
2
V
IN
3
CT 4
8 CS
7 RES
6 GND
5 RES
大纲8P4 （ P）
8P2S -A （ FP ）
框图
V
IN
3
R
1
COM
SW
1 V
OUT
D
1
RESET
电路
2 V
BAT
R
2
1.24V
RES 7
RES 5
8 CS
延迟
电路
4 C
t
6
GND
(
1
/
4
)
1997.5.30-转
P
f
L
i
I
s
M
OT aliminitasl是subje
h是N c个
ETRI
CE ：T已
NOTI ê参数
索姆
A
p
R
if
Y
tciono 。改变。
I N
EC ICA吨吨
三菱<Dig / Ana.INTERFACE>
M62023L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
终端的说明
引脚号符号
名字
功能
V
IN
和V
BAT
由通过内部开关和输出的装置进行控制
V
OUT
.
电源输出
该引脚可输出高达100mA的。用它作为V
DD
CMOS RAM中
等。
备用电源备用电源连接到该引脚。
输入
如果一个锂电池被使用时，插入串联出于安全目的的电阻器。
电源输入
+ 3V，输入引脚。连接到逻辑电源。
延迟电容
延迟电容连接到这个引脚。通过连接一个电容器，它是
连接销
可以延迟每个输出。
连接到微控制器的正复位输入。该引脚可
正复位输出
流动1毫安吸收电流。
地
参考所有信号
连接到微控制器的负复位输入。该引脚可
负复位输出
流动1毫安吸收电流。
连接到
芯片选择
的RAM。在CS的输出是在正常状态低的水平
从而让RAM中被激活。根据故障或备用状态时，CS
芯片选择输出
输出被设置为高电平，则RAM中而进入待机状态，禁止读/写
功能。该引脚能够流过1毫安吸收电流。
1
V
OUT
2
3
4
5
6
7
V
BAT
V
IN
C
t
水库
GND
水库
8
CS
应用实例
M62023
+3V
（主电源）
V
IN
SW
V
OUT
3
C
IN
V
DD
R
2
MCU
or
中央处理器
1.24V
水库
R
1
D
1
COM
RESET
电路
1
V
BAT
电池
2
CS
3V
C
OUT
V
DD
8
延迟
电路
GND
7
5
水库
4
C
t
C
t
CMOS
内存
6
电容被连接：C
IN
： 10μF ;
OUT
： 4.7μF ;
t
: 4.7F
(
3
/
4
)
1997.5.30-转
M62023L/P/FP
系统复位IC，带有开关的3V存储备份
REJ03D0528-0200
Rev.2.00
2007年6月15日
概述
该M62023L / P / FP系统复位IC控制的SRAM的存储备份功能和嵌入式RAM
微控制器。
该IC输出复位信号（ RES / RES）的微控制器在断电和停电。也把该电源
供应到RAM中，从主备份，输出一个信号（CS ），该调用待机模式，并改变RAM的备份
电路方式。
特点
内置开关，主电源和备用电源的RAM之间的选择
我的输入和输出电压之间的差小（
OUT
= 80毫安，V
IN
= 3V ） ： 0.15V （典型值） 。
检测电压（电源电压监控器） ： 2.57V （典型值） 。
片选信号输出（ CS ）
两个通道的复位输出（ RES / RES ）
上电复位电路。
应用
电源控制系统的微控制器的系统中的电子设备如办公自动化设备的存储器中，
工业设备和家用电子电器和SRAM电路板需要内置的备份功能
外部电源与电池之间切换。
框图
SW
V
IN
3
R1
COM
复位电路
R2
1.24V
8
CS
D1
2
V
BAT
1
V
OUT
水库
水库
7
5
延迟电路
4
C
t
6
GND
REJ03D0528-0200 Rev.2.00 2007年6月15日
第12页1
M62023L/P/FP
管脚配置
M62023L
8
CS
7
水库
6 GND
5 RES
4的Ct
3 V
IN
2 V
BAT
1 V
OUT
（ TOP VIEW ）
概要： PRSS0008AA -A （ 8P5 ） [L]
V
OUT
1
V
BAT
2
V
IN
3
CT 4
（ TOP VIEW ）
概要： PRDP0008AA -A （ 8P4 ） [P]
PRSP0008DE - C [ FP ] （推荐）
PRSP0008DA -A （ 8P2S -A ） [ FP ] （不推荐用于新设计）
M62023P
M62023FP
8
CS
7
水库
6 GND
5 RES
引脚说明
PIN号
1
符号
V
OUT
名字
电源输出
功能
V
IN
和V
BAT
通过内部开关和输出的装置进行控制
通过V
OUT
.
该引脚可输出高达100mA 。用它作为V
DD
CMOS的
RAM等。
备用电源连接到该引脚。
如果一个锂电池被使用时，插入串联出于安全目的的电阻器。
+ 3V，输入引脚。连接到逻辑电源。
延迟电容连接到这个引脚。通过连接一个电容器，它是
可以延迟每个输出。
连接到微控制器的正复位输入。该引脚为
能够流动为1mA吸入电流。
参考所有信号。
连接到微控制器的负复位输入。该引脚为
能够流动为1mA吸入电流。
连接到
芯片选择
的RAM。在CS输出为低电平
正常状态，从而让内存处于活动状态。在发生故障或备份
条件下，在CS的输出被设置为高电平，则RAM中而进入待机
国家禁用读/写功能。该引脚能够流过为1mA
灌电流。
2
3
4
5
6
7
8
V
BAT
V
IN
C
t
水库
GND
水库
CS
备用电源
输入
电源输入
延迟电容
连接销
正复位输出
地
负复位输出
芯片选择输出
REJ03D0528-0200 Rev.2.00 2007年6月15日
第12页2
M62023L/P/FP
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃，除非另有说明。 ）
项
输入电压
输出电流
功耗
热降额
工作温度
储存温度
符号
V
IN
I
OUT
Pd
Kθ
TOPR
TSTG
评级
7
100
800 （L） / 625 （P）/ 440（ FP）的
图8（ L） / 6.25 （P）/ 4.4（ FP）的
-20至+75
-40到+125
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
Ta
≥
25°C
条件
电气特性
（ TA = 25 ℃，除非另有说明。 ）
项
检测电压
滞后电压
短路电流
输入之间的区别
输出电压
克拉输出电压（高电平）时
克拉输出电压（低电平）
RES输出电压（高电平）时
RES输出电压（低电平）
水库
输出电压（高电平）
水库
输出电压（低电平）
CS
输出电压（高电平）
CS
输出电压（低电平）
备份迪漏电流
备份迪前进方向
电压
延迟时间
响应时间
水库
限制操作电压
Sysbol
V
S
V
S
I
CC
V
降
V
OH（ CT）的
V
OL （ CT）的
V
OH （ RES ）
V
OL （ RES ）
V
OH （
水库
)
V
OL （
水库
)
V
OH （
CS
)
V
OL （
CS
)
I
R
V
F
tPD的
td
V
OPL （
水库
)
民
2.44
50
—
—
—
—
2.0
—
1.5
—
—
2.5
—
—
1.3
2.40
—
—
—
—
—
10
—
—
典型值
2.57
100
1.5
6.5
0.1
0.15
2.4
0.02
2.0
0.02
0.04
3.0
0.02
0.04
1.6
2.47
0.07
0.08
—
—
0.54
27
5.0
0.65
最大
2.70
200
3.0
10
0.2
0.3
—
0.1
—
—
0.2
—
—
0.2
—
—
—
0.3
±0.5
±0.5
0.6
55
25.0
—
单位
V
mV
mA
测试条件
V
IN
（在选自H → L提单）
V
S
= V
SH
– V
SL
I
OUT
= 0毫安V
IN
= 2V
V
IN
= 3V
V
IN
= 3V *
1
1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
V
ms
s
V
V
IN
= 3V
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 80毫安
V
IN
= 2V *
1
V
IN
= 2V *
V
IN
= 3V *
V
IN
= 3V ， ISINK = 1毫安
V
IN
= 3V *
1
1
1
V
IN
= 2V *
V
IN
= 2V ， ISINK = 1毫安
V
IN
= 2V *
2
V
IN
= 0V, V
BAT
= 3V *
V
IN
= 3V *
V
IN
= 3V ， ISINK = 1毫安
V
BAT
= 3V
I
F
= 10A
V
IN
= 0V → 3V ，CT = 4.7μF
V
IN
= 3V→2V
*
3
1
2
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
注意事项： 1，关于条件来衡量V
OH
和V
OL
，通过内部电阻产生的电压值，仅与
没有外部电阻。
2.这些值产生插入的外部电阻R
CS
= 1MΩ ，之间的
CS
引脚与GND 。
3.在没有外部电阻（仅10kΩ的内部电阻） 。
REJ03D0528-0200 Rev.2.00 2007年6月15日
第12页3
M62023L/P/FP
应用实例
+3.0V
（主电源）
3
D1
C
IN
*
V
DD
R2
MCU
or
中央处理器
1.24V
水库
7
5
水库
延迟电路
1
M62023
V
IN
R1
SW
1
COM
复位电路
V
OUT
电池
3V
V
BAT
2
CS
C
OUT
*
1
V
DD
8
4
C
t
CMOS
内存
GND
6
C
t
REJ03D0528-0200 Rev.2.00 2007年6月15日
第12页4
M62023L/P/FP
CON组fi guration
<Power供应detector>
内部基准电压Vref是通过用电阻分压电压VR的一个比较器（电阻 - 的装置相比
由R 1和R 2从VIN产生分压电压） 。
如果输入电压是3V ，V R被设定为1.24V或更高，因此，比较器输出为低电平和Ct的输出（Q1
集电极输出）设定为高电平。如果输入电压下降到低于2.57V处于不正常状态，虚拟现实变得
低于1.24V ，因此比较器的输出从低到高的水平与CT输出，从高向低。输入
电压在这个点被称为VSL 。接着，当输入电压，从异常状态恢复时，具有升高的
比较器的输出从高电平变为低电平， Ct的输出，从低到高。
用于检测所述比较器具有100mV的滞后（ ΔVS ），从而发生故障，防止在壳体的
输入电压缓慢下降或VR几乎等于VREF。
CT输出电压V
O
数（Ct ） （V）的
3.0
V
s
V
SL
V
SH
2.0
1.0
0
2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9
输入电压V
IN
(V)
<Delay Circuit>
连接一个外部电容CT引脚允许RES ，
RES ， CS ，
和VOUT由于RC短暂延迟
现象（电荷） 。
延迟时间是按如下方式确定。
延迟时间（ TPD ） 。= CT × R3 ×在
[V
OH
（CT） -V
OL
数（Ct ） ]
[V
OH
(Ct)-INV1(V
TH
)]
3
注： Ct值的外部电容。
考虑到所采取的微机是稳定的振荡的时候，一个4.7μF电容连接到
CT引脚。
（作为检测的响应时间可减缓由于内部结构取决于电源的上升速率，
避免连接一个过大的电容）。
t
pd
V
OH
（ CT）的
INV1 （ Vth）的
V
OL
（ CT）的
CT对延迟的输出波形
REJ03D0528-0200 Rev.2.00 2007年6月15日
第12页5
QQ：2880707522 复制
