MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
描述
该M62021是一个系统芯片，用于控制存储备份
功能SRAM和微型计算机（内部RAM ）中。
上述IC输出复位信号（ RES / RES）到微型计算机
在电源关闭和电源failure.It也把该电源
供给从主RAM ，用于备份，输出一个信号（CS ），该
调用待机模式，并改变RAM来备份电路模式。
在M62021中含有，在单个芯片中，电源监视
和所需的微型计算机的RAM的备份功能
系统，使得IC能够构造一个系统
用比较容易并且以更少的元件
使用单独的集成电路和分立常规情况
组件。
引脚配置（顶视图）
8
7
6
5
4
3
2
1
CS
水库
GND
水库
Ct
（延迟电容）
V
IN
V
BAT
V
OUT
特点
内置开关主电源之间的选择
备用电源的RAM 。
输入和输出电压之间的差小
(I
OUT
=80mA,V
IN
= 5V ）， 0.2V （典型值）
检测电压（电源电压监控器） 4.40V ± 0.2V
片选信号输出（ CS ）
两个通道的复位输出（ RES / RES ）
上电复位电路内置
延迟时间由连接到一个外部电容变
CT引脚
促进形成备份功能与几号
组件
V
OUT
V
BAT
V
IN
Ct
（延迟电容）
轮廓8P5 （L）的
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
水库
GND
水库
大纲8P4 （ P）
8P2S-A(FP)
应用
电源控制系统的内存备份
内置微电脑系统和SRAM板
需要外部之间进行切换备份功能
电源和电池。
框图
SW
V
IN
3
R1
D1
1
-
+
1.24V
COM
RESET
电路
V
OUT
V
BAT
CS
2
8
R2
水库
水库
7
5
延迟
电路
4
Ct
6
GND
三菱
电
( 1 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ，
除非另有说明）
符号
V
IN
I
OUT
Pd
K
T
OPR
T
英镑
参数
输入电压
输出电流
功耗
热降额
工作温度
储存温度
(Ta≥25°C)
条件
评级
7
100
800(SIP)/625(DIP)/440(FP)
8(SIP)/6.25(DIP)/4.4(FP)
-20 ~ +75
-40 ~ +125
单位
V
mA
mW
mW
/°C
°C
°C
电气特性（ TA = 25 ℃，
除非另有说明）
符号
Vs
-VS
VS / ΔT
I
CC
V
降
参数
检测电压
滞后电压
检测电压的温度系数
测试条件
V
IN
（在从高电平变化
ΔVS = V
SH
-V
SL
I
OUT
=0mA
V
IN
=4V
V
IN
=5V
I
OUT
=50mA
I
OUT
=80mA
L)
分钟。
4.2
50
范围
典型值。
4.4
100
0.005
2.0
7.5
0.125
0.2
5.0
0.02
4.0
0.02
0.05
马克斯。
4.6
200
4.0
12.0
0.25
0.4
0.1
单位
V
mV
%/°C
mA
V
V
V
V
短路电流
输入和输出电压之间的差
V
IN
=5V
V
OH
数（Ct ）的Ct输出电压（高电平）时
V
OL
数（Ct ）的Ct输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（CS）的CS的输出电压（高电平）时
V
OL
（CS）的CS的输出电压（低电平）
I
R
V
F
tPD的
td
备份迪漏电流
备份迪正向电压
延迟时间
响应时间
V
IN
=5V(Note1)
V
IN
=4V(Note1)
V
IN
=4V(Note1)
V
IN
=5V
V
IN
=5V(Note1)
V
IN
=4V
V
IN
= 4V （注2 ）
V
IN
=0V,V
BAT
= 3V （注2 ）
(Note1)
V
IN
=5V
I
SINK
=1mA
V
IN
=5V
V
BAT
=3V
V
IN
=0V
I
F
=10A
5V,Ct=4.7F
V
IN
=0V
V
IN
=5V
（注3）
4V
(Note1)
I
SINK
=1mA
(Note1)
I
SINK
=1mA
4.5
3.5
0.2
V
V
4.5
5.0
0.02
0.05
0.2
V
V
V
A
V
ms
s
V
3.50
2.40
3.57
2.47
0.08
0.1
10
0.54
27
5.0
0.65
0.3
±0.5
±0.5
0.6
55
25.0
V
OPL
操作（ RES ） RES限制电压
注意1.Regarding条件来衡量V
OH
和V
OL
电压值将被通过内部电阻仅生成和不需要外部电阻。
2.These值的生成插入一个外部电阻RCS = 1MΩ ，CS引脚与GND之间。
3，具有无需外部电阻（ 10kΩ的内部只电阻）
三菱
电
( 2 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
测试电路
V
VIN
SW2
Vm2
M62021
1
R1
D1
A
3
VOUT
SW5
SW4
2
3
IF2 VM3
1
2
3
4
5
6
SW6
Vm1
V
V1
1
SW1
2
Im1
R2
+
-
1.24V
COM
RESET
电路
延迟
电路
2 VBAT
1
Im2
SW7
1
2
Vm4
IF1
CRT
V
8 CS
4的Ct
A
V2
V
水库
水库
7
5
6
GND
SW3
4.7
开关矩阵
符号
ICC
Vs
(V
SL
)
V
降
参数
短路电流
检测电压
(V
IN
负向）
V
OUT
CS
Ct
水库
水库
V1
4V
5V
减少
从
5V
V2
IF1
IF2
1
1
2
S
3
4
W
5
测量
6
7
1
仪器
1
ON OFF 1关1
2
3
1关4
开启关闭
5
6
ON OFF OFF 1 2
ON OFF 1
4关
Im1
(Note5)
Vm4
CRT
Vm1
Vm2
Vm4
Vm4
Vm4
1
输入和输出电压之间的差
5V
5V
4V
4V
5V
5V
4V
4V
0V
5V
5V
0V
0V
3V
3V
-50mA
-80mA
1
1
1
2
1
1
2
1
2
1
2
V
OH
数（Ct ）的Ct输出电压（高电平）时
V
OL
数（Ct ）的Ct输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（ CS ）
V
OL
（ CS ）
I
R
V
F
tPD的
td
CS的输出电压（高电平） （注4 ）
CS的输出电压（低电平）
备份迪漏电流
备份迪正向电压
延迟时间
响应时间
V
OUT
CS
水库
水库
ON OFF 1关5
ON OFF 1 OFF 6
1mA
1
1mA
1
1mA
1
10A
1
2
(Note6)
ON OFF 1 OFF 3
ON OFF 2 OFF 1
ON OFF 3
ON
ON
(Note7)
Vm4
Im2
Vm3
CRT
1
1
1
ON
1
2
1 OFF 3
5
6
注4.To措施V
OH
（ CS ） ，将CS引脚与GND之间的电阻为1MΩ 。
5.虽然监测由VM4或CRT的每个输出，测量输入电压VM1时的输出变为从H到L和L至H.Regarding V
SH
，提高V
IN
从4V和测量输入电压VM1时的输出变为从H到L和L至H.ΔVs为V
SH
-V
SL
.
6.为了测量延迟时间，改变V
IN
从0V到5V和比较，相对于每个销的正向沿与该监视器上观察到的
V的
IN
。要测量的响应时间，改变V
IN
从5V至4V和比较，相对于每个销的负向边沿在监视器上观察到的
与第五
IN
.
测量响应时间7.Set的开关设置为OFF 。
三菱
电
( 3 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
终端的说明
PIN号
符号
名字
功能
1
V
OUT
2
3
4
5
6
7
V
BAT
V
IN
Ct
水库
GND
水库
8
CS
V
IN
和V
BAT
通过内部开关和输出的装置进行控制
通过V
OUT
电源输出
该引脚能够输出高达100mA.Use它的V
DD
CMOS RAM中
等
备用电源连接到该引脚
备用电源输入
如果一个锂电池被使用时，插入串联出于安全目的的电阻
+ 5V的输入pin.Connect到逻辑电源。
电源输入
延迟电容器被连接到这个pin.By连接一个电容器，它是
延迟电容器连接端子
可以延迟每个输出
连接到microcomputer.The销的正复位输入能够
正复位输出
流动1毫安吸收电流
地
参考所有信号
连接到microcomputer.The销的负复位输入能
负复位输出
流动1毫安吸收电流
连接到片选RAM.The CS输出的是在正常水平低
状态，从而让RAM是active.Under故障或备份状态， CS
芯片选择输出
输出被设置为高电平，则RAM中而进入待机状态，禁止读/写
function.The引脚能够流过1毫安吸收电流
应用实例
+5V
（主电源）
C
IN
M62021
V
IN
3
R1
R2
D1
1
V
OUT
V
BAT
V
IN
V
DD
CONT
电池
CMOS
3V
V
DD
+
-
1.24V
COM
RESET
电路
2
8 CS
延迟
电路
水库
水库
中央处理器
内存
7
5
4
Ct
6
GND
*电容被连接：C
IN
： 10μF ;
OUT
： 4.7μF ; CT： 4.7μF
*如果连接一个齐纳二极管，选择VZ = 2 3V 1
三菱
电
( 4 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
CON组fi guration
<Power供应detector>
内部基准电压Vref被通过的装置相比
用电阻分压的电压比较器VR（电阻分
由R 1和R 2从VIN产生的电压） 。
如果输入电压为5V ，V R被设定为1.24V或更高，所以
比较器的输出为低电平和Ct的输出（Q1
集电极输出）设定为高level.If输入电压下降到
下面4.4V处于不正常状态，虚拟现实变得低于
1.24V ，所以比较器的输出从低电平变为高电平
与CT输出，从高分到low.The在此输入电压
点被称为VSL.Next ，当输入电压时，从恢复
异常状态，有上升，比较器输出转为从
高到低的水平和Ct的输出，从低到高。
用于检测所述比较器具有100mV的
滞后（ ΔVS ），从而发生故障，防止万一
该输入电压缓慢下降或VR几乎等于Vref的。
<Delay Circuit>
连接一个外部电容CT引脚允许
RES ， RES ，CS和VOUT被由于RC延迟瞬态
现象（电荷） 。
延迟时间是按如下方式确定。
延迟时间（公吨） =的Ct ×（ R3 + R4 ）×在
。= CT X 22KΩ X 0.2614
.
=5.75 X 10
3
X CT
.
[ VOH （ CT） -VOL （ CT） ]
[VOH(Ct)-INV1(VTH)]
* Ct值的外部电容。
5
4
3
2
V
SL
V
SH
-VS
1
0
4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
输入电压V
IN
(V)
tPD的
V
OH
（ CT）的
INV1(Vth)
V
OL
（ CT）的
CT对延迟的输出波形
考虑到所采取的振荡器的时间
微电脑稳定，一个4.7μF电容连接到
CT引脚。
（作为检测的响应时间可由于减慢
这取决于电源的上升率的内部结构
供应，避免连接过大的电容。
<Schmitt触发circuit>
由于波形显示的RC延迟一个温柔的上升是由于
电路INV1，INV2， R5和R6构成一个施密特触发电路
以产生滞后，以便防止从每个输出
叽叽喳喳。
内部电路
Ct
4
V
IN
3
水库
5
水库
7
Q4
R1
60.94k
COM
R3
22k
R4
47
Q1
R6
R5
10k
INV1 INV2 INV3 INV4
Q3
R2
24K
VREF
1.24V
INV5 INV6 INV7
R9
5K R10
INV8 INV9
22k
Q5
R7
10k
R8
10k
Q2
R10
800
R11
10k
D1
1
V
OUT
2
V
BAT
8
CS
6
GND
三菱
电
( 5 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
描述
该M62021是一个系统芯片，用于控制存储备份
功能SRAM和微型计算机（内部RAM ）中。
上述IC输出复位信号（ RES / RES）到微型计算机
在电源关闭和电源failure.It也把该电源
供给从主RAM ，用于备份，输出一个信号（CS ），该
调用待机模式，并改变RAM来备份电路模式。
在M62021中含有，在单个芯片中，电源监视
和所需的微型计算机的RAM的备份功能
系统，使得IC能够构造一个系统
用比较容易并且以更少的元件
使用单独的集成电路和分立常规情况
组件。
引脚配置（顶视图）
8
7
6
5
4
3
2
1
CS
水库
GND
水库
Ct
（延迟电容）
V
IN
V
BAT
V
OUT
特点
内置开关主电源之间的选择
备用电源的RAM 。
输入和输出电压之间的差小
(I
OUT
=80mA,V
IN
= 5V ）， 0.2V （典型值）
检测电压（电源电压监控器） 4.40V ± 0.2V
片选信号输出（ CS ）
两个通道的复位输出（ RES / RES ）
上电复位电路内置
延迟时间由连接到一个外部电容变
CT引脚
促进形成备份功能与几号
组件
V
OUT
V
BAT
V
IN
Ct
（延迟电容）
轮廓8P5 （L）的
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
水库
GND
水库
大纲8P4 （ P）
8P2S-A(FP)
应用
电源控制系统的内存备份
内置微电脑系统和SRAM板
需要外部之间进行切换备份功能
电源和电池。
框图
SW
V
IN
3
R1
D1
1
-
+
1.24V
COM
RESET
电路
V
OUT
V
BAT
CS
2
8
R2
水库
水库
7
5
延迟
电路
4
Ct
6
GND
三菱
电
( 1 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ，
除非另有说明）
符号
V
IN
I
OUT
Pd
K
T
OPR
T
英镑
参数
输入电压
输出电流
功耗
热降额
工作温度
储存温度
(Ta≥25°C)
条件
评级
7
100
800(SIP)/625(DIP)/440(FP)
8(SIP)/6.25(DIP)/4.4(FP)
-20 ~ +75
-40 ~ +125
单位
V
mA
mW
mW
/°C
°C
°C
电气特性（ TA = 25 ℃，
除非另有说明）
符号
Vs
-VS
VS / ΔT
I
CC
V
降
参数
检测电压
滞后电压
检测电压的温度系数
测试条件
V
IN
（在从高电平变化
ΔVS = V
SH
-V
SL
I
OUT
=0mA
V
IN
=4V
V
IN
=5V
I
OUT
=50mA
I
OUT
=80mA
L)
分钟。
4.2
50
范围
典型值。
4.4
100
0.005
2.0
7.5
0.125
0.2
5.0
0.02
4.0
0.02
0.05
马克斯。
4.6
200
4.0
12.0
0.25
0.4
0.1
单位
V
mV
%/°C
mA
V
V
V
V
短路电流
输入和输出电压之间的差
V
IN
=5V
V
OH
数（Ct ）的Ct输出电压（高电平）时
V
OL
数（Ct ）的Ct输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（CS）的CS的输出电压（高电平）时
V
OL
（CS）的CS的输出电压（低电平）
I
R
V
F
tPD的
td
备份迪漏电流
备份迪正向电压
延迟时间
响应时间
V
IN
=5V(Note1)
V
IN
=4V(Note1)
V
IN
=4V(Note1)
V
IN
=5V
V
IN
=5V(Note1)
V
IN
=4V
V
IN
= 4V （注2 ）
V
IN
=0V,V
BAT
= 3V （注2 ）
(Note1)
V
IN
=5V
I
SINK
=1mA
V
IN
=5V
V
BAT
=3V
V
IN
=0V
I
F
=10A
5V,Ct=4.7F
V
IN
=0V
V
IN
=5V
（注3）
4V
(Note1)
I
SINK
=1mA
(Note1)
I
SINK
=1mA
4.5
3.5
0.2
V
V
4.5
5.0
0.02
0.05
0.2
V
V
V
A
V
ms
s
V
3.50
2.40
3.57
2.47
0.08
0.1
10
0.54
27
5.0
0.65
0.3
±0.5
±0.5
0.6
55
25.0
V
OPL
操作（ RES ） RES限制电压
注意1.Regarding条件来衡量V
OH
和V
OL
电压值将被通过内部电阻仅生成和不需要外部电阻。
2.These值的生成插入一个外部电阻RCS = 1MΩ ，CS引脚与GND之间。
3，具有无需外部电阻（ 10kΩ的内部只电阻）
三菱
电
( 2 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
测试电路
V
VIN
SW2
Vm2
M62021
1
R1
D1
A
3
VOUT
SW5
SW4
2
3
IF2 VM3
1
2
3
4
5
6
SW6
Vm1
V
V1
1
SW1
2
Im1
R2
+
-
1.24V
COM
RESET
电路
延迟
电路
2 VBAT
1
Im2
SW7
1
2
Vm4
IF1
CRT
V
8 CS
4的Ct
A
V2
V
水库
水库
7
5
6
GND
SW3
4.7
开关矩阵
符号
ICC
Vs
(V
SL
)
V
降
参数
短路电流
检测电压
(V
IN
负向）
V
OUT
CS
Ct
水库
水库
V1
4V
5V
减少
从
5V
V2
IF1
IF2
1
1
2
S
3
4
W
5
测量
6
7
1
仪器
1
ON OFF 1关1
2
3
1关4
开启关闭
5
6
ON OFF OFF 1 2
ON OFF 1
4关
Im1
(Note5)
Vm4
CRT
Vm1
Vm2
Vm4
Vm4
Vm4
1
输入和输出电压之间的差
5V
5V
4V
4V
5V
5V
4V
4V
0V
5V
5V
0V
0V
3V
3V
-50mA
-80mA
1
1
1
2
1
1
2
1
2
1
2
V
OH
数（Ct ）的Ct输出电压（高电平）时
V
OL
数（Ct ）的Ct输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（ RES）的RES输出电压（高电平）时
V
OL
（ RES）的RES输出电压（低电平）
V
OH
（ CS ）
V
OL
（ CS ）
I
R
V
F
tPD的
td
CS的输出电压（高电平） （注4 ）
CS的输出电压（低电平）
备份迪漏电流
备份迪正向电压
延迟时间
响应时间
V
OUT
CS
水库
水库
ON OFF 1关5
ON OFF 1 OFF 6
1mA
1
1mA
1
1mA
1
10A
1
2
(Note6)
ON OFF 1 OFF 3
ON OFF 2 OFF 1
ON OFF 3
ON
ON
(Note7)
Vm4
Im2
Vm3
CRT
1
1
1
ON
1
2
1 OFF 3
5
6
注4.To措施V
OH
（ CS ） ，将CS引脚与GND之间的电阻为1MΩ 。
5.虽然监测由VM4或CRT的每个输出，测量输入电压VM1时的输出变为从H到L和L至H.Regarding V
SH
，提高V
IN
从4V和测量输入电压VM1时的输出变为从H到L和L至H.ΔVs为V
SH
-V
SL
.
6.为了测量延迟时间，改变V
IN
从0V到5V和比较，相对于每个销的正向沿与该监视器上观察到的
V的
IN
。要测量的响应时间，改变V
IN
从5V至4V和比较，相对于每个销的负向边沿在监视器上观察到的
与第五
IN
.
测量响应时间7.Set的开关设置为OFF 。
三菱
电
( 3 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
终端的说明
PIN号
符号
名字
功能
1
V
OUT
2
3
4
5
6
7
V
BAT
V
IN
Ct
水库
GND
水库
8
CS
V
IN
和V
BAT
通过内部开关和输出的装置进行控制
通过V
OUT
电源输出
该引脚能够输出高达100mA.Use它的V
DD
CMOS RAM中
等
备用电源连接到该引脚
备用电源输入
如果一个锂电池被使用时，插入串联出于安全目的的电阻
+ 5V的输入pin.Connect到逻辑电源。
电源输入
延迟电容器被连接到这个pin.By连接一个电容器，它是
延迟电容器连接端子
可以延迟每个输出
连接到microcomputer.The销的正复位输入能够
正复位输出
流动1毫安吸收电流
地
参考所有信号
连接到microcomputer.The销的负复位输入能
负复位输出
流动1毫安吸收电流
连接到片选RAM.The CS输出的是在正常水平低
状态，从而让RAM是active.Under故障或备份状态， CS
芯片选择输出
输出被设置为高电平，则RAM中而进入待机状态，禁止读/写
function.The引脚能够流过1毫安吸收电流
应用实例
+5V
（主电源）
C
IN
M62021
V
IN
3
R1
R2
D1
1
V
OUT
V
BAT
V
IN
V
DD
CONT
电池
CMOS
3V
V
DD
+
-
1.24V
COM
RESET
电路
2
8 CS
延迟
电路
水库
水库
中央处理器
内存
7
5
4
Ct
6
GND
*电容被连接：C
IN
： 10μF ;
OUT
： 4.7μF ; CT： 4.7μF
*如果连接一个齐纳二极管，选择VZ = 2 3V 1
三菱
电
( 4 / 9 )
MITSUBISHI<Dig.Ana.INTERFACE>
M62021L,P,FP
系统复位IC与开关后备记忆
CON组fi guration
<Power供应detector>
内部基准电压Vref被通过的装置相比
用电阻分压的电压比较器VR（电阻分
由R 1和R 2从VIN产生的电压） 。
如果输入电压为5V ，V R被设定为1.24V或更高，所以
比较器的输出为低电平和Ct的输出（Q1
集电极输出）设定为高level.If输入电压下降到
下面4.4V处于不正常状态，虚拟现实变得低于
1.24V ，所以比较器的输出从低电平变为高电平
与CT输出，从高分到low.The在此输入电压
点被称为VSL.Next ，当输入电压时，从恢复
异常状态，有上升，比较器输出转为从
高到低的水平和Ct的输出，从低到高。
用于检测所述比较器具有100mV的
滞后（ ΔVS ），从而发生故障，防止万一
该输入电压缓慢下降或VR几乎等于Vref的。
<Delay Circuit>
连接一个外部电容CT引脚允许
RES ， RES ，CS和VOUT被由于RC延迟瞬态
现象（电荷） 。
延迟时间是按如下方式确定。
延迟时间（公吨） =的Ct ×（ R3 + R4 ）×在
。= CT X 22KΩ X 0.2614
.
=5.75 X 10
3
X CT
.
[ VOH （ CT） -VOL （ CT） ]
[VOH(Ct)-INV1(VTH)]
* Ct值的外部电容。
5
4
3
2
V
SL
V
SH
-VS
1
0
4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
输入电压V
IN
(V)
tPD的
V
OH
（ CT）的
INV1(Vth)
V
OL
（ CT）的
CT对延迟的输出波形
考虑到所采取的振荡器的时间
微电脑稳定，一个4.7μF电容连接到
CT引脚。
（作为检测的响应时间可由于减慢
这取决于电源的上升率的内部结构
供应，避免连接过大的电容。
<Schmitt触发circuit>
由于波形显示的RC延迟一个温柔的上升是由于
电路INV1，INV2， R5和R6构成一个施密特触发电路
以产生滞后，以便防止从每个输出
叽叽喳喳。
内部电路
Ct
4
V
IN
3
水库
5
水库
7
Q4
R1
60.94k
COM
R3
22k
R4
47
Q1
R6
R5
10k
INV1 INV2 INV3 INV4
Q3
R2
24K
VREF
1.24V
INV5 INV6 INV7
R9
5K R10
INV8 INV9
22k
Q5
R7
10k
R8
10k
Q2
R10
800
R11
10k
D1
1
V
OUT
2
V
BAT
8
CS
6
GND
三菱
电
( 5 / 9 )
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