1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
这些总结在下面的部分名称表。
描述
该M5M5W816是一个家庭的低电压8兆位静态RAM的
16位组织为524288字，捏造三菱的
高性能的0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适用于存储应用场合
简单的接口，电池的使用和备用电池是
重要的设计目标。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
随着7.0毫米X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它给出了一个压缩的最佳解决方案
的安装面积，以及布线图案的灵活性的印刷
电路板。
从工作温度的角度来看，家庭划分
分为两个版本; "Standard"和"I - version" 。
特点
- 单1.8 2.7V电源
- 小待机电流： （ 2.7V ，典型值） 0.1μA
- 没有时钟，没有刷新
- 数据保持电源电压= 1.0V
- 所有输入和输出为TTL兼容。
- 由S1 ， S2 ， BC1和BC2易扩展内存
- 通用数据的I / O
- 三态输出：或领带的能力
- 参考防止数据争用的I / O总线
- 工艺技术：采用0.18μm CMOS
- 包装： 48ball 7.0毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816WG -85L
动力
供应
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
存取时间
马克斯。
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
待机电流（VCC = 2.7V ）
额定值（最大值）
*典型
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.2
0.2
0.2
0.2
---
1
---
1
---
2
---
2
16
8
16
8
---
---
30
15
活跃
当前
Icc1
（ 2.7V ，典型值）。
40mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
标准
0 ~ +70°C
M5M5W816WG -10L
M5M5W816WG -85H
M5M5W816WG -10H
M5M5W816WG -85LI
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -10LI
M5M5W816WG -85HI
M5M5W816WG -10HI
*典型参数表示为中心的值
分布，而不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
BC1
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ9
BC2
A3
A4
S1
DQ1
针
功能
C
DQ10
D
E
F
G
H
GND
DQ11
A5
A6
DQ2
DQ3
A0 A18地址输入
DQ1 DQ16数据输入/输出
S1
S2
W
OE
BC1
BC2
VCC
GND
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低字节（ DQ1 8 ）
高字节（ DQ9 16 ）
电源
供应地
DQ12
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ13
GND
A16
DQ5
GND
DQ15
DQ14
A14
A15
DQ6
DQ7
DQ16
北卡罗来纳州
A12
A13
W
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要：
48FHA
NC ：无连接
三菱电机
1
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
功能
该M5M5W816WG由16组织为524288字
位。这些器件在单个+ 1.8 2.7V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的全静态电路，需要的不是钟也没有刷新，
并使其有用。
的操作模式是由一个组合确定
该装置的控制输入的BC1 ， BC2 ，S1，S2 ，W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
在执行写操作时的水平低W
与低级别BC1和/或BC2和低电平重叠
S1与高层S2。将地址（ A0 A18 ）必须被设置
向上的写周期之前，必须在整个过程中是稳定
周期。
读操作是由在高级别设置W执行
和OE为低电平而BC1和/或BC2和S1和S2
处于活动状态（S1 = L ，S2 = H）。
当设定的BC1在高电平和其它引脚处于
活跃阶段，上层字节是一个可选择的模式，其中
读取和写入使能，和低字节是在一个
非可选模式。和BC2设置在一个较高的水平时，
和其它引脚处于活动阶段，低级字节是在一个
可选择的模式和上层字节处于非选择的
模式。
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
当设置BC1和BC2在高电平或S1中处于高电平
或S2处于低水平，所述芯片是在一个非选择的模式
其读取和写入都被禁止。在这种模式下，
输出级处于高阻抗状态，从而允许或结与
其它芯片和由BC1 ， BC2和S1 ， S2的存储器扩展。
电源电流减小低至0.1μA （25℃ ，
典型的） ，并且所述存储器中的数据可以在+ 1V电源举行
停电时启用备用电池操作或
在非选择的模式掉电操作。
功能表
S1
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
S2 BC1 BC2
L
X X
L
X X
H X将X
X H H
H L
H
H L ^ h
H L ^ h
高高低
高高低
高高低
H L
L
H L
L
H L
L
W OE
X X
X X
X X
X X
L X
H L
H H
L X
H L
H H
L X
H L
H H
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
写
读
写
读
写
读
框图
A
0
A
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
S1
S2
BC1
BC2
W
时钟
发电机
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
DQ
16
VCC
GND
OE
三菱电机
2
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
Ta=25∞C
标准
I-版
（ -L ， -H ）
（ -LI ，嗨）
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.5
*
~ +4.6
-0.2
*
VCC + 0.2 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
0 ~ +70
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
V
mW
°C
°C
DC电气特性
符号
（ VCC = 1.8 2.7V ，除非另有说明）
范围
民
0.7× Vcc的
典型值
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
I
OH
= -0.1mA
I
OL
=0.1mA
V
I
=0
~
VCC
BC1和BC2 = VIHor S1 = VIHor S2 = VIL或OE = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
BC1和BC2< 0.2V ， 0.2V S1< ，S2 VCC- 0.2V
=
=
＆ GT ;
其他输入<或0.2V = VCC - 0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
-0.2 *
1.6
0.4
0.2
±1
±1
50
10
50
10
1
2
8
15
16
30
0.5
V
A
ICC
1有源电源电流
（ AC ， MOS级）
主动电源电流
ICC
2
（交流， TTL电平）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
BC1和BC2 = V
IL
，S = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
＆ GT ;
(1)
S1 = VCC - 0.2V ，
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
其他输入= 0 Vcc的
-H ，嗨
嗨
-L ， -LI
-LI
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
~ +70°C
~ +85°C
ICC
3待机电源电流
（ AC ， MOS级）
＆ GT ;
(2)
S2 = 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
＆ GT ;
(3)
BC1和BC2 = VCC - 0.2V
＆ GT ;
S1 < 0.2V ， S2 = VCC - 0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
40
5
40
5
0.1
0.2
-
-
-
-
-
mA
A
ICC
4
按电源电流待机
（交流， TTL电平）
BC1和BC2 = V
IH
或S1 = V
IH
或S2 = V
IL
其他输入= 0 Vcc的
mA
＆ LT ;
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度= 30ns的）
注2 ：典型参数指示分布在2.7V的中心值，而不是100 ％测试。
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 1.8 2.7V ，除非另有说明）
范围
典型值
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
三菱电机
3
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源电压
输入脉冲
输入上升时间和下降时间
参考电平
输出负载
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ VCC = 1.8 2.7V ，除非另有说明）
1.8~2.7V
V
IH
= 0.7× Vcc时， V
IL
=0.2V
5ns
V
OH
=V
OL
=0.9V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
字节1控制访问时间
字节2控制访问时间
输出启用访问时间
之后， S1高输出禁止时间
S2后低输出禁止时间
后BC1高输出禁止时间
之后BC2高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
之后， S1低输出使能时间
之后S2高输出使能时间
输出使能后BC1低电平时间
输出使能后， BC2低的时间
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
85L ， 85H ，
85LI ， 85HI
10L， 10H，
10LI ， 10HI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
85
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
民
100
最大
100
100
100
100
100
50
35
35
35
35
35
10
10
10
10
5
10
10
10
10
10
5
10
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
控制字节1建立时间
字节控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
85L ， 85H ，
85LI ， 85HI
10L， 10H，
10LI ， 10HI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
民
85
60
0
70
70
70
70
70
45
0
0
最大
民
100
75
0
85
85
85
85
85
50
0
0
最大
30
30
5
5
5
5
35
35
三菱电机
4
1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~18
t
a
(A)
t
a
(BC1)
or
t
a
(BC2)
BC1,BC2
(Note3)
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
t
CR
t
v
(A)
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC1)
t
a
(S1)
(Note3)
S1
(Note3)
t
DIS
(S1)
t
a
(S2)
(Note3)
S2
(Note3)
t
DIS
(S2)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE
(Note3)
W = "H"水平
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
CW
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写循环（W控制模式）
A
0~18
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1,BC2
(Note3)
(Note3)
S1
(Note3)
t
su
(S1)
(Note3)
S2
(Note3)
t
su
(S2)
(Note3)
OE
t
su
(A)
W
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
t
su
（ A- WH ）
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
QQ：2880707522 复制
