我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如三菱的变化
电气和三菱XX ，瑞萨科技公司
日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱
半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称
已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。
除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经
到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的
文件本身的内容。
注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营
与功率器件。
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
2002.08.30
版本。 6.1
三菱的LSI
M5M5W816TP - 55HI ， 70HI ， 85HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5W816TP是低V oltage 8兆位静态AF艾米莉逃不脱
RAM的组织为524288字×16位，女abricated通过
三菱高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816TP适合F或内存的应用程序
其中，一个简单的INTERF acing ，电池的使用和电池
备份是重要的设计objectiv上课。
该M5M5W816TP封装在一个44针薄型小
概述安装开发冰块，用400mil TSOP的轮廓
TY聚乙烯（Ⅱ） 。它GIV上课的最佳解决方案F或的压实
安装面积以及布线模式f lexibility
印刷电路板。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
特点
单2.7 3.6V电源
小的待机电流： （ 2.0V ， TY P） 0.1μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V
所有的输入和输出为TTL兼容。
用S ＃ ， ＃ BC1和BC2 ＃易于扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE ＃上一个经济需求测试数据争
工艺技术：采用0.18μm CMOS
包装： 44针400mil TSOP型（ II ）
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816TP -55HI
M5M5W816TP -70HI
M5M5W816TP -85HI
动力
供应
待机光凭目前
存取时间
收视率（最高@ 3.6V ）
*典型。 （ @ 3.0V ）
马克斯。
55ns
70ns
85ns
ACTIV ê
当前
Icc1
25 ℃， 40 ℃， 25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85° C * （ 3.0V TY页）
0.5
1.0
5.0
8.0
20
40
30mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
I-版
-40~+85°C
2.7~3.6V
*典型参数表示的值
中心分布的，而不是100 ％测试。
引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
S#
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
CC
GND
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
W#
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
A
5
A
6
A
7
OE ＃
BC2#
BC1#
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
GND
针
A0 ~ A18
S#
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
功能
地址输入
片选输入
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
DQ1 DQ16数据输入/输出
V
CC
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
A
18
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
44PIN 400mil TSOP
概要：
44P3W
1
2002.08.30
版本。 6.1
三菱的LSI
M5M5W816TP - 55HI ， 70HI ， 85HI
功能
该M5M5W816TP由16组织为524288字
位。这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的F ully ST ATIC电路，需要的不是钟也没有
裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ，S ＃ W＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S ＃ 。地址（ A0 A18 ）必须设置BEF矿
写CY 文件，必须对整个CY 乐时是稳定的。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的执行
列夫·埃尔和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和
S ＃是一个ACTIV E状态（S ＃ = L ） 。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚
在ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低级
由德是在一个可选择的模式和上层由德是在一个
非可选模式。
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S ＃在一个较高的
利埃尔，该芯片是在非选择的模式，其中两个
阅读和写作都被禁止。在这种模式下，输出
阶段是在一个高阻抗状态，从而允许或结与其它
芯片和BC1 ＃ ， ＃ BC2和S ＃内存扩展。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S#
BC1 BC2 ＃ ＃
W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
DQ1 8 DQ9 16
ICC
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
HIGH -Z STANDBY
HIGH -Z STANDBY
高阻活动唤醒中断é
高阻活动唤醒中断é
高阻活动唤醒中断é
DIN
ACTIV ê
DOUT
ACTIV ê
高阻活动唤醒中断é
DIN
ACTIV ê
DOUT
ACTIV ê
高阻活动唤醒中断é
框图
A
0
A
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
在此表中（注） "H"和"L"意味着V
IH
或V
IL
， respectiv伊利。
"X"在此表中应该"H"or "L" 。
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
时钟
发电机
S#
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
2002.08.30
版本。 6.1
三菱的LSI
M5M5W816TP - 55HI ， 70HI ， 85HI
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA
25°C
评级
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
V
mW
°C
°C
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
民
2.2
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高列弗EL输出电压V oltage
I
OH
= - 0.5毫安
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
=2mA
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
50
15
50
15
5
8
20
40
2
V
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S ＃ = VIH或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ，S ＃ < 0.2V
其他输入< 0.2V或> VCC- 0.2V
输出 - 开（占空比100 ％ ）
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
，S ＃ = V
IL
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
（ 1 ）S ＃ >为VCC - 0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
（ 2 ） ＃ BC1和BC2 ＃ >为VCC - 0.2V
S ＃ < 0.2V
其他输入= 0 Vcc的
A
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IH
或S ＃ = V
IH
其他输入= 0 Vcc的
mA
<为30ns ）
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记） 。
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度
注2 ：典型参数指示分布在3.0V的中心值，而不是100 ％测试。
电容
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
条件
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
范围
TY P
单位
参数
输入电容
输出电容
最大
C
I
C
O
10
10
pF
3
2002.08.30
版本。 6.1
三菱的LSI
M5M5W816TP - 55HI ， 70HI ， 85HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
2.7~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.50V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
(BC1,2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
民
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间AF吨ER S ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S ＃低
输出使能时AF之三＃ BC1 ， BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
55
55
55
55
55
30
20
20
20
20
10
5
5
10
10
5
5
10
55HI
最大
民
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
10
5
5
10
70HI
最大
民
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
片选建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
55HI
民
55
45
0
50
50
50
50
30
0
0
最大
70HI
民
70
55
0
65
65
65
65
35
0
0
最大
85HI
民
85
60
0
70
70
70
70
45
0
0
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
20
20
5
5
5
5
25
25
5
5
30
30
4
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816TP - 70HI ， 85HI
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
这些总结在下面的部分名称表。
描述
该M5M5W816TP是低V oltage 8兆位静态AF艾米莉逃不脱
RAM的组织为524288字×16位，女abricated通过
三菱高的性能有所0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816TP适合F或内存的应用程序
其中，一个简单的INTERF acing ，电池的使用和电池
备份是重要的设计objectiv上课。
该M5M5W816TP封装在一个44针薄型小
概述安装开发冰块，用400mil TSOP的轮廓
TY聚乙烯（Ⅱ） 。它GIV上课的最佳解决方案F或的压实
安装面积以及布线模式f lexibility
印刷电路板。
工作温度范围为-40 + 85°C
版本，
操作
温度
部件名称
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
特点
单2.7 3.0V电源
小的待机电流： （ 3.0V ， TY P） 0.2μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V
所有的输入和输出为TTL兼容。
用S ＃ ， ＃ BC1和BC2 ＃易于扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE ＃上一个经济需求测试数据争
工艺技术：采用0.18μm CMOS
包装： 44针400mil TSOP型（ II ）
动力
供应
存取时间
马克斯。
70ns
待机光凭目前
额定值（最大值）
·皮卡尔泰
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
0.5
1.0
2
4
20
40
ACTIV ê
当前
Icc1
* （ TY页）
40mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
I-版
-40~+85°C
M5M5W816TP -70HI
2.7~3.0V
M5M5W816TP -85HI
85ns
*典型参数表示的值
中心分布的，而不是100 ％测试。
引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
S#
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE ＃
BC2#
BC1#
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
GND
针
A0 ~ A18
S#
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
VCC
GND
功能
地址输入
片选输入
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
DQ1 DQ16数据输入/输出
V
CC
GND
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
W#
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
V
CC
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
A
18
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
44PIN 400mil TSOP
概要：
44P3W
NC ：无连接
三菱电机
1
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816TP - 70HI ， 85HI
功能
该M5M5W816TP由16组织为524288字
位。这些开发冰在单+ 2.7 3.0V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的F ully ST ATIC电路，需要的不是钟也没有
裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ，S ＃ W＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S ＃ 。地址（ A0 A18 ）必须设置BEF矿
写CY 文件，必须对整个CY 乐时是稳定的。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的执行
列夫·埃尔和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和
S ＃是一个ACTIV E状态（S ＃ = L ） 。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚
在ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低级
由德是在一个可选择的模式和上层由德是在一个
非可选模式。
工作温度范围为-40 + 85°C
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S ＃在一个较高的
利埃尔，该芯片是在非选择的模式，其中两个
阅读和写作都被禁止。在这种模式下，输出
阶段是在一个高阻抗状态，从而允许或结与其它
芯片和BC1 ＃ ， ＃ BC2和S ＃内存扩展。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S ＃ BC1 BC2 ＃ ＃ W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
框图
A
0
A
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
时钟
发电机
-
DQ
1
DQ
8
DQ
9
S#
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
三菱电机
2
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816TP - 70HI ， 85HI
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA
25°C
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.3
*
~ +4.6
-0.3
*
VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
V
mW
°C
°C
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
范围
民
2.2
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高电平输出电压
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
低列弗EL输出电压V oltage
输入漏电流
输出漏电流
I
OH
= - 0.5毫安
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S ＃ = VIH或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ，S ＃ < 0.2V
=
=
＆ GT ;
其他输入<或0.2V = VCC - 0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
-0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
40
10
40
10
2
4
20
40
2
V
A
ICC
1活动唤醒中断供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
ICC
2
（ AC ， TTL列弗EL）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
，S ＃ = V
IL
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
（ 1 ）S ＃ = VCC - 0.2V ，
＆ GT ;
其他输入= 0 Vcc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
0.5
1.0
-
-
-
mA
ICC
3由s upply电流待机
（ AC ， MOS列弗EL）
（ 2 ） ＃ BC1和BC2 ＃ = VCC - 0.2V
＆ GT ;
S#
＆ LT ;
0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
A
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IH
或S ＃ = V
IH
其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
注2 ：典型参数指示分布在3.0V的中心值，而不是100 ％测试。
电容
符号
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
条件
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
范围
TY P
单位
参数
输入电容
输出电容
最大
C
I
C
O
10
10
pF
三菱电机
3
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816TP - 70HI ， 85HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ VCC = 2.7 3.0V ，除非另有说明）
2.7~3.0V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
(BC1,2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间AF吨ER S ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S ＃低
输出使能时AF之三＃ BC1 ， BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
民
70
70HI
最大
70
70
70
70
35
25
25
25
25
10
5
5
10
10
5
5
10
民
85
85HI
最大
85
85
85
85
45
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
*在使用或者BC1 ＃或＃ BC2的为5ns
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
片选建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
70HI
民
70
55
0
65
65
65
65
35
0
0
最大
85HI
民
85
60
0
70
70
70
70
45
0
0
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
25
25
5
5
5
5
30
30
三菱电机
4
2001.4.11
版本。 2.0
三菱的LSI
M5M5W816TP - 70HI ， 85HI
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~18
t
a
(A)
t
a
(BC1)
or
t
a
(BC2)
BC1#,BC2#
(Note3)
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
t
CR
t
v
(A)
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC2)
t
a
(S)
(Note3)
S#
(Note3)
t
DIS
(S)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE ＃
(Note3)
W＃ = "H"列弗报
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S)
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写周期
（W＃控制模式）
A
0~18
t
CW
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1#,BC2#
(Note3)
(Note3)
S#
(Note3)
t
su
(S)
(Note3)
OE ＃
t
su
(A)
W#
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
t
su
（ A- WH ）
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
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