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瑞萨的LSI
M5M5V5636UG - 16
18874368 - BIT ( 524288 - WORD 36 - BIT )网络SRAM
描述
该M5M5V5636UG是一个家庭的18M比特同步
SRAM的36位组织为524288字。它被设计成
打开公交车之间左右时消除死总线周期
读取和写入,或写入和读取。瑞萨SRAM是
制造具有高性能,低功耗CMOS技术,
提供更高的可靠性。 M5M5V5636UG工作电压为3.3V
电源/ 2.5VI / O电源或3.3V单电源供电,并
3.3V CMOS兼容。
该M5M5V5636UG还运行在一个单一的2.5V电源
供应也是2.5V CMOS兼容。因此,
M5M5V5636UG可以代替M5M5T5636UG 。
该M5M5V5636UG - 16工作在167MHz或133MHz的,是
167MHz的保证双方交流直流电气特性和
那些为133MHz 。
165 ( 11×15 )凹凸BGA
机身尺寸(13毫米X 15毫米)
凸块间距1.0毫米
应用
需要高带宽的高端网络产品,如
交换机和路由器
.
功能
同步电路,允许精确的周期控制
通过一个上升沿时钟跳变触发。
同步信号包括:所有的地址,所有的数据输入,
所有的芯片启用( # E1 ,E2 , E3 # ) ,地址前进/加载( ADV ) ,
时钟使能( CKE # ) ,字节写使能( BWA # , BWB # , BWC # ,
BWD #)和读/写( W# ) 。写操作被控制
这四个字节写使能( BWA # - # BWD )和读/写( W# )
输入。所有的写操作都带有片上同步进行
自定时写电路。
异步输入包括输出使能(G # ) ,时钟( CLK )
贪睡和使能( ZZ ) 。 ZZ引脚的高输入放
SRAM在掉电state.The线性突发顺序( LBO # )是
直流操作引脚。 LBO #引脚将允许任一选择
交错爆裂,或线性爆裂。
所有的读,写和取消的周期是由ADV启动
低输入。随后一阵地址可以是内部
产生的ADV高电平输入的控制。
特点
完全注册的输入和输出的流水线操作
快速的时钟速度: 167和133 MHz的
快速存取时间: 3.8和4.2纳秒
单3.3V -5 %至+ 5 %电源V
DD
独立的V
DDQ
为3.3V或2.5V的I / O
单2.5V -5 %至+ 5 %电源V
DD
单个字节写入( BWA # - # BWD )控件,可以绑
单读/写控制引脚( W# )
CKE #引脚,使时钟和暂停运营
内部自定时,寄存器的输出省去了
控制G#
贪睡模式( ZZ )用于掉电
线性或交错突发模式
三个芯片使简单的深度扩张
JTAG边界扫描支持
PART NAME表
M5M5V5636UG-16
工作频率
ACCESS
周期
工作电流
( MAX 。 )
待机电流
( MAX 。 )
167MHz
133MHz
3.8ns
4.2ns
6.0ns
7.5ns
380mA
350mA
30mA
30mA
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M5M5V5636UG-16
REV.2.0
瑞萨的LSI
M5M5V5636UG - 16
18874368 - BIT ( 524288 - WORD 36 - BIT )网络SRAM
凸点的位置(顶视图)
165bump-BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
MCH
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
NC
LBO #
A
7
A
6
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
MCH
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
NC
NC
E1#
E2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
5
A
4
BWC #
BWD #
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
3
A
2
BWB #
BWA #
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
E3#
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A1
A0
CKE #
W#
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
MCH
TDO
TCK
ADV
G#
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
15
A
16
A
17
A
18
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
13
A
14
A
8
A
9
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
11
A
12
NC
NC
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
ZZ
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
NC
A
10
注1 。 MCH意味着"Must连接High" 。 MCH应连接到高电压。
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M5M5V5636UG-16
REV.2.0
瑞萨的LSI
M5M5V5636UG - 16
18874368 - BIT ( 524288 - WORD 36 - BIT )网络SRAM
框图
V
DD
V
DDQ
A0
A1
A2~18
19
19
地址
注册
A1
D1
A0
D0
线性/
交错
BURST
计数器
Q1
A0'
Q0
A1'
17
LBO #
CLK
CKE #
19
写地址
REGISTER1
写地址
REGISTER2
19
ZZ
ADV
BWA #
BWB #
BWC #
BWD #
W#
BYTE1
DRIVERS
输出寄存器
BYTE2
DRIVERS
BYTE3
DRIVERS
BYTE4
DRIVERS
256Kx36
输出缓冲器
数据一致性
控制逻辑
内存
ARRAY
输入
36
REGISTER1
输入
REGISTER0
G#
E1#
E2
E3#
逻辑
V
SS
注2 。框图不包括边界扫描逻辑。见边界扫描的篇章。
注3 。方框图显示了简化设备操作。见真值表,引脚功能
和时序图的详细信息。
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M5M5V5636UG-16
REV.2.0
输出选择
写入注册表
DQA
DQPa
DQB
DQPb
DQC
DQPc
DQD
DQPd
瑞萨的LSI
M5M5V5636UG - 16
18874368 - BIT ( 524288 - WORD 36 - BIT )网络SRAM
引脚功能
A0~A18
名字
同步
地址
输入
同步
字节写
使
功能
这些输入被登记,并且必须满足建立和保持时间周围的上升沿
CLK 。 A0和A1是地址字段的两个最低显著位( LSB),并设置内部
突发计数器,如果突发需要。
这些低电平输入允许时,写入周期处于活动状态,单个字节写入
必须满足建立和保持周围CLK的上升沿时间。字节写操作必须
上认定的相同的周期的地址。 BW的与地址相关联的,并适用于
随后的数据。 BWA #控制DQA , DQPa销; BWB #控制DQB , DQPb销; BWC #
控制DQC , DQPc销; BWD #控制DQD , DQPd引脚。
这个信号寄存器的地址,数据,芯片启用,字节写使能
和突发其上升沿控制输入。所有的同步输入必须
满足建立和保持全天候的上升沿时间。
这个低电平输入,用来使能的设备和进行采样,只有当新的外部
地址被加载( ADV为低) 。
此活性高输入,用来使能设备和采样只有当一个新的外部
地址被加载( ADV为低) 。此输入可用于存储器深度扩展。
这个低电平输入,用来使能的设备和进行采样,只有当新的外部
地址被加载( ADV为低) 。此输入可用于存储器深度扩展。
此低电平有效的异步输入使能数据的I / O输出驱动器。
高电平时,此输入用于推进内部突发计数器,控制后突发访问
外部地址被加载。当HIGH ,W #被忽略。的低电平引脚允许新
地址在CLK的上升沿被装入。
此低电平输入允许CLK整个设备进行传播。当高,设备
忽略CLK输入有效的内部扩展了以前的CLK周期。该输入必须
满足建立和保持周围CLK的上升缘时间。
此高电平有效的异步输入,使设备在进入低功耗待机模式
其中所述存储器阵列中的所有数据将被保留。当激活时,所有其他的输入将被忽略。当此
引脚为低电平或NC的SRAM正常工作。
这种积极的投入决定了周期型时, ADV为低。这是唯一的手段
确定读取和写入。读周期可能不会被转换成写入(副
反之亦然),比通过加载新的地址等。一个低引脚上允许写字节操作
且必须满足的建立和保持周围CLK的上升沿时间。全总线宽度写道:
如果发生的所有字节写使能低。
字节“a”是DQA , DQPa销;字节“ B”是DQB , DQPb销;字节“c”是DQC , DQPc销;字节“ d”是
DQD , DQPd引脚。输入数据必须满足建立和保持各地CLK上升沿时间。
该直流操作引脚允许的任意交错爆裂或线性突发的选择。如果该引脚为
高开或常闭,交错发生爆裂。当该引脚为低电平时,线性爆裂时,输入
泄漏到该引脚的电流。
核心供电
I / O缓冲器电源
BWA # , BWB # ,
BWC # , BWD #
CLK
E1#
E2
E3#
G#
ADV
CKE #
ZZ
时钟输入
同步
芯片使能
同步
芯片使能
同步
芯片使能
OUTPUT ENABLE
同步
地址
前进/负载
同步
时钟使能
贪睡
启用
W#
同步
读/写
DQA , DQPa , DQB , DQPb
DQC , DQPc , DQD , DQPd
LBO #
V
DD
V
SS
V
DDQ
TDI
TDO
TCK
TMS
MCH
NC
同步
数据I / O
突发模式
控制
V
DD
V
SS
V
DDQ
测试数据输入
测试数据输出
测试时钟
测试模式选择
必须连接高
这些引脚用于边界扫描测试。
这些引脚应连接到HIGH
这些引脚没有内部连接,并可以连接到地面。
无连接
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M5M5V5636UG-16
REV.2.0
瑞萨的LSI
M5M5V5636UG - 16
18874368 - BIT ( 524288 - WORD 36 - BIT )网络SRAM
直流操作真值表
名字
输入状态
手术
LBO #
高开或常闭
交错突发序列
线性突发序列
注4 。 LBO #是直流操作引脚。
注5 。 NC表示无连接。
注6 。请参阅有关交错和线性突发序列突发序列表。
突发序列表
交错突发序列
(当LBO # =高开或常闭)
手术
A18~A2
A1,A0
第一次访问,锁存外部地址
第二次访问(先是一阵地址)
第三接入(第二突发地址)
第四接入(第三突发地址)
线性突发序列
(当LBO # = LOW )
手术
A18~A2
锁定A18 A2
锁定A18 A2
锁定A18 A2
0,0
0,1
1,0
1,1
0,1
0,0
1,1
1,0
1,0
1,1
0,0
0,1
1,1
1,0
0,1
0,0
A18~A2
A1,A0
第一次访问,锁存外部地址
第二次访问(先是一阵地址)
第三接入(第二突发地址)
第四接入(第三突发地址)
A18~A2
锁定A18 A2
锁定A18 A2
锁定A18 A2
0,0
0,1
1,0
1,1
0,1
1,0
1,1
0,0
1,0
1,1
0,0
0,1
1,1
0,0
0,1
1,0
注7 。色同步信号序列回绕到它的初始状态完成时。
真值表
E1#
E2
E3#
ZZ
ADV
W#
BWX #
G#
CKE #
CLK
DQ
地址
二手
手术
H
X
X
X
L
X
L
X
L
X
L
X
X
X
L
X
X
H
X
H
X
H
X
H
X
X
X
X
H
X
L
X
L
X
L
X
L
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
H
X
H
X
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
L- >H
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
Q
高-Z
高-Z
D
D
高-Z
高-Z
-
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
取消选择周期
取消选择周期
取消选择周期
CONTINUE DESELECT周期
读周期,开始突发
读周期,继续突发
NOP /虚读,开始爆发
假读,继续爆
写周期,开始突发
写周期,继续突发
NOP /写入中止,开始爆发
写入中止,继续爆发
忽略时钟边沿,失速
X
X
X
H
X
X
X
X
X
X
高-Z
贪睡模式
注8 。为“H” =输入VIH ;为“L” =输入的VIL ; “X” =输入VIH或VIL 。
注9 。 BWX # = H指所有的同步字节写使能( BWA # , BWB # , BWC # , BWD # )为高。 BWX # = L,代表一个或多个
同步字节写使能低。
注10 。除了G#和ZZ所有输入必须满足建立和保持CLK周围的上升沿时间(由低至高) 。
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M5M5V5636UG-16
REV.2.0
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