三菱的LSI
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
M5M5V4R08J-12,-15,-20
1997年2月6日Rev.D
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M5V4R08J是由8位的静态一族524288字
公羊，制造的高性能CMOS硅
栅工艺和设计的高速应用。
该M5M5V4R08J提供的36引脚塑料小外形
J形引脚封装（ SOJ ） 。
这些器件工作在3.3V单电源供电，并直接
TTL兼容。它们包括降低功能的电源也是如此。
引脚配置（顶视图）
特点
M5M5V4R08J-12
12ns(max)
M5M5V4R08J-15
15ns(max)
M5M5V4R08J-20
20ns(max)
低功耗
活跃
363mW(typ)
支持
3.3mW(typ)
+ 3.3V单电源供电
全静态操作：无时钟，无刷新
通用数据的I / O
易于内存扩张
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
直接TTL兼容：所有输入和输出
快速存取时间
A
0
A
1
地址
A
2
输入
A
3
A
4
芯片选择
S
输入
数据输入/
DQ
1
输出
DQ
2
(3.3V)
V
CC
(0V)
GND
数据
DQ
3
输入/
DQ
4
输出
写控制
W
输入
A
5
A
6
地址
A
7
输入
A
8
A
9
1
2
3
4
5
36
35
34
33
32
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
地址
输入
A
16
A
15
OUTPUT ENABLE
OE
输入
数据
DQ
8
输入/
DQ
7
输出
(0V)
GND
V
CC
(3.3V)
DQ
6
数据
输入/
DQ
5
输出
A
14
A
13
地址
A
12
输入
A
11
A
10
NC
M5M5V4R08J
概要
36P0K （ SOJ ）
应用
高速存储单元
包
36PIN 400mil SOJ
框图
A
0
A
1
A
2
地址
输入
行地址解码器
1
ROW输入缓冲器
7
输出缓冲器
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
数据
输入/
输出
2
3
4
8
11
12
25
26
29
30
A
3
A
4
5
A
5
14
A
6
15
A
7
16
A
8
17
存储阵列
512行
8192柱
S
COLUMN
I / O
电路
6
列地址
COLUMN
解码器
地址
数据输入缓冲器
W
13
9
27
10
28
解码器
COLUMN输入缓冲器
VCC （ 3.3V ）
OE 31
GND （0V）
18 20 21 22 23 24 32 33 34 35
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
16
A
17
地址输入
三菱
电
1
三菱的LSI
M5M5V4R08J-12,-15,-20
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M5V4R08J的操作模式是由一个确定
结合设备控制输入S， W和OE的。每种模式
总结在功能表。
写周期执行每当低水平W重叠
与低级别S的地址必须被设置在写前
周期，并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到细胞上的W或S的后缘，
以先到为准，要求的建立和保持时间相对
这些边被保持。输出使能输入OE
直接控制输出级。设置在OE在一个较高的水平，
输出级处于高阻抗状态，并在数据总线
在写周期的争用问题被消除。
读周期由在高电平和OE在一个设定W excuted
低的水平，而S是不活动状态（S = L） 。
当处于高电平设定S，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都禁用。在这种模式下，
输出级处于高阻抗状态，从而允许或结
与其他芯片和存储器扩展由S.
信号-S控制的省电特性。当S变为高电平，
电源dissapation极度降低。从S访问时间
等效于地址存取时间。
功能表
S
H
L
L
L
W
X
L
H
H
OE
X
X
L
H
模式
非选择
写
读
DQ
高阻抗
DIN
DOUT
高阻抗
ICC
支持
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
cc
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
TA = 25℃
相对于GND
条件
评级
-2.0 ~ 4.6
-2.0
*
VCC + 0.5
-2.0
*
VCC + 0.5
1000
0 ~ 70
-10 ~ 85
-65 ~ 150
+10%
-5%
*
单位
V
V
V
mW
C
C
C
T
STG （偏置）
储存温度
（偏置）
储存温度
*脉冲宽度
≤
为20ns ，在案件DC ： -0.5V
DC电气特性
（大= 0 70℃ ， VCC = 3.3V
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压余
OH
=-4mA
低电平输出电压I
OL
= 8毫安
输入电流
V
I
= 0 Vcc的
V
我（S）
= V
IH
输出电流在关断状态
V
O
= 0 Vcc的
主动电源电流
（ TTL电平）
V
我（S）
= V
IL
其他投入V
IH
或V
IL
输出开（占空比100 ％ ）
条件
除非另有说明）
范围
民
2.0
-0.3*
2.4
典型值
最大
Vcc+0.3
0.8
0.4
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
I
CC1
I
CC2
按目前的立场
（ TTL电平）
V
我（S）
= V
IH
V
我（S）
=
Vcc≥0.2V
其他投入V
I
≤0.2V
或V
I
≥Vcc-0.2V
周期为12ns
AC周期为15ns
周期为20ns
DC
周期为12ns
AC周期为15ns
周期为20ns
DC
110
170
160
150
120
85
80
75
60
10
mA
mA
I
CC3
按目前的立场
1
mA
*脉冲宽度
≤
为20ns ，如果交流电源的： -3.0V
三菱
电
2
三菱的LSI
M5M5V4R08J-12,-15,-20
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
电容
（大= 0 70℃ ， VCC = 3.3V
符号
C
I
C
O
参数
输入电容
输出电容
+10%
-5%
除非另有说明）
测试条件
极限
典型值
单位
pF
pF
民
最大
7
8
V
I
= GND ，V
I
=25mVrms,f=1MHz
V
O
= GND ，V
O
=25mVrms,f=1MHz
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
2 ：典型值是VCC = 5V ，TA = 25℃
3: C
I
,C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
AC电气特性
（1）测定条件
（大= 0 70℃ ， VCC = 3.3V
+10%
-5%
除非另有说明）
输入脉冲电平
V
IH
=3.0V, V
IL
=0.0V
输入上升和下降时间
3ns
输入定时基准水平
V
IH
=1.5V, V
IL
=1.5V
输出时序参考电平
V
OH
=1.5V, V
OL
=1.5V
输出负载
Fig1,Fig2
VCC
产量
Z0=50
DQ
RL=50
VL=1.5V
255
480
5pF
（包括
范围， JIG ）
图1输出负载
图2输出负载在t
en
, t
DIS
三菱
电
3
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