修订-01 ， 7月17日00
三菱的LSI
M5M5V416BUG - 70H我
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5V416B是低V oltage 4兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为262,144字，女abricated三菱的
高的性能有所0.25μmCMOS工艺。
该M5M5V416B适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5V416BUG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
与采用7mm x 8.5毫米大纲， 6× 8 （ 48PIN ）球矩阵
为0.75mm球间距。它GIV ES的最佳解决方案F或压实
安装面积以及布线模式f lexibility的印刷
电路板。
这些总结在下面的部分名称表。
特点
单+ 2.7 + 3.6V电源
小的待机电流： （ 3V ， TY P） 0.3μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V至3.6V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1，S2， BC1和BC2容易记忆膨胀
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
工艺技术： 0.25微米CMOS
包装： 48PIN采用7mm x 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
动力
供应
存取时间
马克斯。
ACTIV ê
当前
TY ·皮卡尔
额定值（最大值）
Icc1
25 ℃， 40 ℃， 25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85 ℃（ 3.0V ， TY页）
待机用C光凭目前的Icc
（PD）的
， VCC = 3.0V
50mA
(10MHz)
7mA
(1MHz)
I-
V版为
-40 ~ +85°C
M5M5V416BUG -70HI
2.7 ~ 3.6V
70ns
0.3A
1A
1A
3A
15A 30A
* "ty pical"参数进行采样，而不是100 ％测试。
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1
（ TOP VIEW ）
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
针
DQ9
BC2
A3
A4
S1
DQ1
功能
地址输入
数据输入/输出
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A17
DQ10
DQ11
A5
A6
DQ2
DQ3
DQ1 DQ16
S1
GND
DQ12
A17
A7
DQ4
VCC
S2
W
OE
BC1
BC2
VCC
GND
VCC
DQ13
GND
A16
DQ5
GND
DQ15
DQ14
A14
A15
DQ6
DQ7
DQ16
北卡罗来纳州
A12
A13
W
DQ8
北卡罗来纳州
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要：
48FJA
NC ：无连接
三菱电机
1
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三菱的LSI
M5M5V416BUG - 70H我
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5V416BWG被组织为262,144字
16位。这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的F ully ST ATIC电路，需要的不是钟也没有
裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
dev的冰控制输入BC1， S1，S2 ，W和OE 。
每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W
半岛erlaps与低利埃尔BC1和/或BC2和低
列夫·埃尔S1和高列弗EL S2。地址（ A0 A17 ）绝
成立BEF矿石写CY CLE ，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦瓦，高列夫执行报
和OE在低利埃尔而BC1和/或BC2和S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 = L ，S2 = H）。
当设置BC1在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。和BC2设置在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低级
由德是在一个可选择的模式和上层由德是在一个
非可选模式。
当设置BC1和BC2在一个较高的利EL或S1在高
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ， BC2
和S1，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.3μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2V功率举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1 S2 BC1 BC2 W OE
H X将X
X
X X
x长
X X
L H
L H
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
模式
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
ICC
高-Z高阻待机
DQ9~16
高-Z高阻待机
高-Z高阻待机
DIN
高阻活动唤醒中断é
DOUT高阻活动唤醒中断é
高-Z高阻
高阻声浪
高阻Dout的
高-Z高阻
DIN
DIN
DOUT
DOUT
高-Z高阻
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
写
读
写
读
写
读
框图
A
0
A
1
存储阵列
262144字
×16 BITS
A
16
A
17
S1
S2
BC1
BC2
W
时钟
发电机
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
DQ
16
VCC
GND
OE
三菱电机
2
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三菱的LSI
M5M5V416BUG - 70H我
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
Ta=25°C
我-V版为
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.5
*
~ +4.6
-0.5
*
VCC + 0.5
0 Vcc的
700
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
mW
°C
°C
V
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
条件
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.3V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
ICC
2
低列弗EL输出电压V oltage
输入漏电流
输出漏电流
ACTIV ê供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
（ AC ， TTL列弗EL）
I
OH
= -0.5mA
I
OH
= -0.05mA
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
BC1和BC2 = VIH或S1 = VIH或S2 = VIH或OE = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
BC1和BC2< 0.2V ， 0.2V S1< ，S2 VCC- 0.2V
=
=
＆ GT ;
其他输入<或0.2V = VCC - 0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
2.2
-0.3 *
2.4
Vcc-0.5V
0.6
V
0.4
±1
±1
70
15
70
15
40
20
5.0
2.0
2.0
2.0
0.5
mA
A
A
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
+85°C
+70°C
+40°C
0 ~ +25°C
- 20 ~ +25°C
- 40 ~ +25°C
BC1和BC2 = V
IL
，S = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
<1>
＆ GT ;
S1
=
VCC - 0.2V ，
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
7
50
7
-
-
1
0.3
0.3
0.3
-
mA
其他输入= 0 Vcc的
<2>
ICC
3
站在由s upply电流
（ AC ， MOS列弗EL）
S2
<3>
0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
＆ GT ;
BC1和BC2
=
VCC - 0.2V
＆ GT ;
S1
＆ LT ;
0.2V ， S2
=
VCC - 0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
BC1和BC2 = V
IH
或S1 = V
IH
或S2 = V
IL
其他输入= 0 Vcc的
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注2 ：典型值是VCC = 3.0V和Ta = 25
°
C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
最大
C
I
C
O
10
10
pF
三菱电机
3
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三菱的LSI
M5M5V416BUG - 70H我
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7V~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V,V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡测量± 500mV的f光盘
稳态电压（F或T
en
,t
DIS
)
输出负载
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2高
输出禁止时间自动对焦吨ER OE高
输出使能时AF器S1低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1低
输出使能时AF器BC2低
输出使能时AF器OE低
地址后，数据V alid时间
单位
民
70
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
10
10
5
10
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
V
(A)
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
单位
民
70
55
0
60
60
60
60
60
35
0
0
25
25
5
5
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CW
写CY CLE时间
t
w
(W)
把脉冲宽度
t
su
(A)
地址建立时间
t
su
（ A- WH ）地址建立时间就为W
t
su
（ BC1 ）通过TE控制1建立时间
t
su
（ BC2 ）通过TE控制2建立时间
t
su
(S1)
芯片选择1设置时间
t
su
(S2)
芯片选择2建立时间
t
su
(D)
数据建立时间
t
h
(D)
数据保持时间
t
REC
(W)
写RECOV ERY时间
t
DIS
(W)
输出禁止时间f光盘W低
t
DIS
（ OE ）输出禁止时间f光盘OE高
t
en
(W)
输出使能时间f光盘W高
t
en
（ OE ）输出使能时间f光盘OE低
三菱电机
4
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三菱的LSI
M5M5V416BUG - 70H我
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~17
t
CR
t
a
(A)
t
a
(BC1)
or
t
a
(BC2)
BC1,BC2
(Note3)
t
v
(A)
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC1)
t
a
(S1)
(Note3)
S1
(Note3)
t
DIS
(S1)
t
a
(S2)
(Note3)
S2
(Note3)
t
DIS
(S2)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE
(Note3)
W = "H"列弗报
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
CW
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写循环（W控制模式）
A
0~17
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1,BC2
(Note3)
(Note3)
S1
(Note3)
t
su
(S1)
(Note3)
S2
(Note3)
t
su
(S2)
(Note3)
OE
t
su
(A)
W
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
t
su
（ A- WH ）
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
QQ：2881677436 复制
