修订- P04 ， “ 98.12.16
三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
描述
该M5M5V416B是低V oltage 4兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为262,144字，女abricated三菱的
高的性能有所0.25μmCMOS工艺。
该M5M5V416B适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5V416BTP ， RT被封装在一个44引脚400mil轻薄小本
外形封装。 M5M5V416BTP （普通导线弯曲TY PE包）
， M5M5V416BRT （转ERSE引脚弯曲TY PE包） ，这两个TY PES
为V红霉素容易设计的印刷电路板。
从工作温度的点，的F艾米莉逃不脱被div的ided成
3 V ersions ; "Standard" ， "W -V ersion"和"I -V ersion" 。这些都是
总结在下面的部分名称表。
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5V416BTP ， RT -70L
M5M5V416BTP ， RT -85L
初步
特点
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
单+ 2.7 + 3.6V电源
小的待机电流： （ 3V ， TY P） 0.3μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V至3.6V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1，S2， BC1和BC2容易记忆膨胀
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
工艺技术： 0.25微米CMOS
包装： 44引脚400mil TSOP （ II ）
待机用C光凭目前的Icc
（PD）的
， VCC = 3.0V
ACTIV ê
当前
额定值（最大值）
Icc1
25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85 ℃（ 3.0V ， TY页）
---
---
20A
---
动力
供应
存取时间
TY ·皮卡尔
25°C
---
40°C
---
马克斯。
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
标准
0 ~ +70°C
M5M5V416BTP ， RT -10L
M5M5V416BTP ， RT -70H
M5M5V416BTP ， RT -85H
M5M5V416BTP ， RT -10H
M5M5V416BTP ， RT -70LW
M5M5V416BTP ， RT -85LW
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
0.3A 1A
1A
3A
10A
---
---
---
---
---
20A 40A
40mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
W-
V版为
M5M5V416BTP ， RT -10LW
RT -70HW
M5M5V416BTP ， RT -85HW
M5M5V416BTP ， RT -10HW
M5M5V416BTP ， RT -70LI
M5M5V416BTP ， RT -85LI
-20 ~ +85°C
M5M5V416BTP ，
2.7 ~ 3.6V
0.3A 1A
---
---
1A
---
3A
---
10A 20A
20A 40A
I-
V版为
2.7 ~ 3.6V
M5M5V416BTP ， RT -10LI
RT -70HI
M5M5V416BTP ， RT -85HI
M5M5V416BTP ， RT -10HI
-40 ~ +85°C
M5M5V416BTP ，
2.7 ~ 3.6V
0.3A 1A
1A
3A
10A 20A
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
S1
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
GND
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
WE
A15
A14
A13
A12
A16
* "ty pical"参数进行采样，而不是100 ％测试。
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
BC2
BC1
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
GND
VCC
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
S2
A8
A9
A10
A11
A17
A5
A6
A7
OE
BC2
BC1
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
GND
VCC
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
S2
A8
A9
A10
A11
A17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A4
A3
A2
A1
A0
S1
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
GND
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
WE
A15
A14
A13
A12
A16
针
A0 ~ A17
S1
S2
W
OE
BC1
BC2
VCC
GND
功能
地址输入
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
DQ1 DQ16数据输入/输出
44P3W-H
44P3W-J
概要：
44P3W-H/J
NC ：无连接
三菱电机
1
修订- P04 ， “ 98.12.16
三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5V416BTP ， RT组织为262,144字
由16位。这些开发冰在单+ 2.7 3.6V工作
电源，并直接TTL兼容两者
输入和输出。它的F ully静态电路，需要的不是钟
没有裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
dev的冰控制输入BC1， S1，S2 ，W和OE 。
每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W
半岛erlaps与低利埃尔BC1和/或BC2和低
列夫·埃尔S1和高列弗EL S2。地址（ A0 A17 ）绝
成立BEF矿石写CY CLE ，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦瓦，高列夫执行报
和OE在低利埃尔而BC1和/或BC2和S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 = L ，S2 = H）。
当设置BC1在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。和BC2设置在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低级
由德是在一个可选择的模式和上层由德是在一个
非可选模式。
当设置BC1和BC2在一个较高的利EL或S1在高
利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是在非选择
在这种模式下读取和写入都被禁止。在这
模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使
OR-领带与其他芯片和内存扩展了BC1 ， BC2
和S1，S2 。
电源供应C光凭目前被减小低至0.3μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2V功率举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
S2 BC1 BC2 W OE
X
X X
L X
L X
X
X X
H X将
X
X X
x高
H
X X
H L
H
L X
H L
H
H L
H L
H
H H
H H
L
L
X
H H
L
H L
H H
L
H H
H L
L
L X
H L
L
H L
H L
L
H H
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
写
读
写
读
写
读
框图
A
0
A
1
存储阵列
262144字
×16 BITS
A
16
A
17
S1
S2
BC1
BC2
W
时钟
发电机
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
DQ
16
VCC
GND
OE
三菱电机
2
修订- P04 ， “ 98.12.16
三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
Ta=25°C
标准
W- V版为
我-V版为
（ -L ， -H ）
（ -LW ， -HW ）
（ -LI ，嗨）
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.5
*
~ +4.6
-0.5
*
VCC + 0.5
0 Vcc的
700
0 ~ +70
- 20 ~ +85
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
DC电气特性
符号
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
条件
范围
民
TY P
最大
Vcc+0.3V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
ICC
2
低列弗EL输出电压V oltage
输入漏电流
输出漏电流
ACTIV ê供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
（ AC ， TTL列弗EL）
I
OH
= -0.5mA
I
OH
= -0.05mA
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
BC1和BC2 = VIH或S1 = VIH或S2 = VIH或OE = VIH ， VI / O = 0 Vcc的
BC1和BC2< 0.2V ， 0.2V S1< ，S2 VCC- 0.2V
=
=
＆ GT ;
其他输入<或0.2V = VCC - 0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
2.2
-0.3 *
2.4
Vcc-0.5V
0.6
V
0.4
±1
±1
50
10
50
10
48
24
24
12
3.6
1.2
1.2
1.2
0.5
mA
A
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
+70 ~ +85°C
+70°C
+70 ~ +85°C
+40 ~ +70°C
+25 ~ +40°C
0 ~ +25°C
- 20 ~ +25°C
- 40 ~ +25°C
BC1和BC2 = V
IL
，S = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
<1>
＆ GT ;
S1
=
VCC - 0.2V ，
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
5
40
5
-
-
-
-
1
0.3
0.3
0.3
-
mA
-LW ， -LI
-L ， -LW ， -LI
-HW ，嗨
-H ， -HW ，嗨
-H
-HW
嗨
其他输入= 0 Vcc的
<2>
ICC
3
站在由s upply电流
（ AC ， MOS列弗EL）
S2
<3>
0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
＆ GT ;
BC1和BC2
=
VCC - 0.2V
＆ GT ;
S1
＆ LT ;
0.2V ， S2
=
VCC - 0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
A
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
BC1和BC2 = V
IH
或S1 = V
IH
或S2 = V
IL
其他输入= 0 Vcc的
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注2 ：典型值是VCC = 3.0V和Ta = 25
°
C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
TY P
单位
民
最大
C
I
C
O
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
10
10
pF
三菱电机
3
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三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7V~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V,V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡测量± 500mV的f光盘
稳态电压（F或T
en
,t
DIS
)
输出负载
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
范围
图1输出负载
（ 2 ）读周期
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2高
输出禁止时间自动对焦吨ER OE高
输出使能时AF器S1低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1低
输出使能时AF器BC2低
输出使能时AF器OE低
地址后，数据V alid时间
70L,70H,70LW
70HW,70LI,70HI
85L,85H,85LW
85HW,85LI,85HI
10L,10H,10LW
10HW,10LI,10HI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
70
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
民
85
最大
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
30
民
100
最大
100
100
100
100
100
50
35
35
35
35
35
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
10
10
10
10
10
5
10
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W低
输出禁止时间f光盘OE高
输出使能时间f光盘W高
输出使能时间f光盘OE低
70L,70H,70LW
85L,85H,85LW
70HW ， 70LI ， 70HI 85HW ， 85LI ， 85HI
10L,10H,10LW
10HW,10LI,10HI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
民
70
55
0
65
65
65
65
65
35
0
0
最大
民
85
60
0
70
70
70
70
70
35
0
0
最大
民
100
75
0
85
85
85
85
85
40
0
0
最大
25
25
5
5
5
5
30
30
5
5
35
35
ns
ns
ns
ns
三菱电机
4
修订- P04 ， “ 98.12.16
三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~17
t
CR
t
a
(A)
t
a
(BC1)
or
t
v
(A)
t
a
(BC2)
(Note3)
BC1,BC2
(Note3)
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC1)
t
a
(S1)
S1
(Note3)
t
DIS
(S1)
t
a
(S2)
(Note3)
S2
(Note3)
t
DIS
(S2)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE
(Note3)
W = "H"列弗报
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
CW
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写循环（W控制模式）
A
0~17
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1,BC2
(Note3)
(Note3)
S1
(Note3)
t
su
(S1)
(Note3)
S2
(Note3)
t
su
(S2)
(Note3)
OE
t
su
(A)
W
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
t
su
（ A- WH ）
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
DATA IN
稳定
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
QQ：2880707522 复制
