修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M5V408B是一个家庭的低电压4兆位静态RAM的
由8位组织为524,288字，捏造三菱的高
性能0.25μmCMOS工艺。
该M5M5V408B适用于存储应用场合
简单的接口，电池的使用和备用电池是
重要的设计目标。
M5M5V408B封装在32引脚塑料SOP ， 32引脚塑料
TSOP和32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP包。两种类型的
TSOPs和两种类型STSOPs的都可用， M5M5V408BTP
（正常铅弯TSOP ） ， M5M5V408BRT （反向引弯
TSOP ）
M5M5V408BKV
（正引线弯
STSOP ）
和
M5M5V408BKR （反向铅弯曲STSOP ） 。
这两种类型的
TSOPs和两种类型STSOPs是适于表面安装
在双面印刷电路板。
从工作温度的角度来看，家庭分为
三个版本; "Standard" ， "W - version"和"I - version" 。这些都是
总结在下面的部分名称表。
特点
单+ 2.7 + 3.6V电源
小待机电流： （ 3V ，典型值） 0.3μA
没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压= 2.0V至3.6V
所有输入和输出为TTL兼容。
易于内存扩张
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
工艺技术： 0.25微米CMOS
??包装：
M5M5V408BFP ： 32引脚525密耳SOP
M5M5V408BTP / RT ： 32引脚400mil TSOP （ LL ）
M5M5V408BKV / KR ： 32引脚8毫米x13.4mm STSOP
PART NAME表
版本，
操作
温度
部件名称
（ ##代表"FP","TP" ，
"RT","KV"or"KR" ）
M5M5V408B ## -85L
M5M5V408B ## -10L
M5M5V408B ## -85H
M5M5V408B ## -10H
M5M5V408B ## -85LW
动力
供应
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
ACCESS
时间
待机电流Icc
（PD）的
， VCC = 3.0V
典型*
额定值（最大值）
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
---
---
---
1A
---
3A
20A
10A
---
---
马克斯。
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
活跃
当前
Icc1
（ 3.0V ，典型值）。
标准
0 ~ +70°C
0.3A 1A
W-
VERSION
-20 ~ +85°C
M5M5V408B ## -10LW
M5M5V408B ## -85HW
M5M5V408B ## -10HW
M5M5V408B ## -85LI
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
---
---
---
1A
---
1A
---
3A
---
3A
20A 40A
10A 20A
30mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
0.3A 1A
---
---
I-
VERSION
-40 ~ +85°C
M5M5V408B ## -10LI
M5M5V408B ## -85HI
M5M5V408B ## -10HI
20A 40A
10A 20A
0.3A 1A
* "typical"参数进行采样，而不是100 ％测试。
三菱电机
1
修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
引脚配置（顶视图）
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
17
W
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
S
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
V
CC
A
15
A
17
W
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
S
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
概要
32P2M -A （ FP ）
32P3Y -H （ TP）的
概要
32P3Y -J （ RT ）
A
11
A
9
A
8
A
13
W
A
18
A
15
VCC
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
M5M5V408BKV
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
S
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
GND
DQ3
DQ2
DQ1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
VCC
A
15
A
18
W
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
M5M5V408BKR
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
DQ3
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
S
A
10
OE
概要
32P3K-B
概要
32P3K-C
三菱电机
2
修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M5408BFP ， TP ， RT ， KV ， KR组织为524,288-
字由8位。这些器件在单个+ 2.7 3.6V工作
电源，并且是直接TTL兼容于两个输入
和输出。它的全静态电路，需要的不是钟也没有
刷新，并使其有用。
在S中执行写操作低和W低
重叠时间。地址（ A0 A18 ） ，必须设置前
在写周期
读操作是由在高级别设置W执行
和OE为低电平，而S是不活动状态（S = L） 。
当在较高的水平设定S，则芯片是在一个非
可选的模式，其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下，输出级处于高阻抗
状态，允许或领带与其他芯片。设置OE在一个较高的
级，输出级处于高阻抗状态，并在
在写周期的数据总线争用的问题被消除。
电源电流减小低至0.3μA （25℃ ，
典型的） ，并且所述存储器中的数据可以在+ 2V功率举行
供应，使电池备用电源发生故障时的操作
在非选择的模式或断电操作。
功能表
S
H
L
L
L
W
X
L
H
H
OE
X
X
L
H
模式
非选择
写
读
读
DQ
高阻抗
数据输入（ D）
数据输出（Q）的
高阻抗
ICC
待机
活跃
活跃
活跃
针
A0 ~ A18
功能
地址输入
片选输入
写控制输入
输出inable输入
电源
供应地
DQ1 DQ8的数据输入/输出
S
W
OE
VCC
GND
框图
M5M5V408B
FP / TP / RT
M5M5V408BKV/KR
16
15
14
13
12
11
10
9
6
7
21
22
M5M5V408BKV/KR
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
A
18
A
15
A
10
A
11
A
9
A
8
A
13
8
7
6
5
4
3
2
30
1
31
M5M5V408B
FP / TP / RT
13
14
15
17
18
19
20
21
存储阵列
524288字
×8位
23
25
26
27
28
29
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
23
25
26
27
28
31
1
2
3
4
5
30
29
22
24
时钟
发电机
W
S
OE
V
CC
(3V)
A
0
A
1
A
2
A
3
12
11
10
9
20
19
18
17
32
8
32
24
16
GND
(0V)
三菱电机
3
修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
Ta=25°C
标准
W-版
I-版
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
（ -L ， -H ）
（ -LW ， -HW ）
（ -LI ，嗨）
-0.5
*
~ +4.6
-0.5
*
VCC + 0.5
0 Vcc的
700
0 ~ +70
-20 ~ +85
-40 ~ +85
-65 ~150
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
30ns)
DC电气特性
符号
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
I
OH
= -0.5mA
高电平输出电压2
I
OH
= -0.05mA
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
主动电源电流
（ AC ， MOS级）
主动电源电流
（交流， TTL电平）
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
民
典型值
最大
Vcc+0.3V
单位
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
ICC
2
2.2
-0.3 *
2.4
Vcc-0.5V
0.6
V
0.4
±1
±1
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
S = V
IH
或OE = V
IH ，
V
I / O
=0
~
VCC
S
≤0.2V
输出开
其他投入
≤0.2V
or
≥Vcc-0.2V
输出开
S = VIL
其他输入= V
IH
或V
IL
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-LW ， -LI
+70 ~ +85°C
+70°C
-L ， -LW ， -LI
按电源电流待机
（ AC ， MOS级）
-HW ，嗨
+70 ~ +85°C
S
≥Vcc-0.2V
+40 ~ +70°C
-H ， -HW ，嗨
其他输入= 0 Vcc的
+25 ~ +40°C
-H
0 ~ +25°C
-HW
嗨
-20 ~ +25°C
-40 ~ +25°C
ICC
3
30
5
30
5
-
-
-
-
1
0.3
0.3
0.3
-
40
7
40
7
48
24
24
12
3.6
1.2
1.2
1.2
0.5
mA
A
ICC
4
按电源电流待机
（交流， TTL电平）
S = V，其他输入= 0 Vcc的
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注2 ：典型值是VCC = 3.0V和Ta = 25℃
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
30ns)
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
典型值
最大
单位
民
C
I
C
O
8
10
pF
三菱电机
4
修订- K1.0e ， “ 98.09.07
三菱的LSI
M5M5V408BFP/TP/RT/KV/KR
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源电压
输入脉冲
输入上升时间和下降时间
参考电平
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7V~3.6V
V
IH
=2.4V,V
IL
=0.4V
5ns
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 500mV的
稳态电压。 （对于T
en
,t
DIS
)
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
输出负载
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
之后的高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
之后的低输出使能时间
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-85
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-10
单位
民
最大
民
最大
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
85
85
85
45
30
30
10
5
10
100
100
100
50
35
35
10
5
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W高
芯片选择成立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
后W低输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
输出使能后， W高时间
OE后低输出使能时间
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-85
M5M5V408B
FP,TP,RT,KV,KR-10
单位
民
最大
民
最大
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
85
60
0
70
70
35
0
0
30
30
5
5
100
75
0
85
85
40
0
0
35
35
5
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱电机
5
QQ：2881677436 复制
