三菱的LSI
1997.01.22
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化。
M5M5V32R16J,TP-10,-12,-15
524288 - BIT （ 32768 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5V32R16是一个家庭的32768字×16位
静态RAM ，制造的高性能CMOS
处理而设计的高速应用。这些
器件在3.3V单电源供电，并直接
TTL兼容。
它们包括降低功能的电源也是如此。在写
和读周期中，下部和上部的字节是能够
要得以控制的togethe要么单独或通过/ LB
和/ UB 。
引脚配置（顶视图）
N.C
A3
地址
输入
芯片
SELECT
输入
数据
输入/
输出
1
2
3
4
5
6
44
43
42
41
40
39
A4
A5
地址
输入
A2
A1
A0
/S
DQ
1
DQ
2
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
38
35
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
特点
快速访问时间
M5M5V32R16J,TP-10
10ns(max)
M5M5V32R16J,TP-12
12ns(max)
M5M5V32R16J,TP-15
15ns(max)
低功耗主动
297mW(typ)
支持
0.33mW(typ)
+ 3.3V单电源供电
全静态操作：无时钟，无刷新
通用数据的I / O
通过/ S易扩展内存
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
直接TTL兼容：所有输入和输出
由/ LB和/ UB上下字节独立的控制
DQ
3
DQ
4
（ 3.3V ）的Vcc
（0V） GND
DQ
5
数据
DQ
6
输入/
输出
DQ
7
DQ
8
写
控制
/W
输入
A14
A13
地址
输入
A6
产量
/ OE
启用
字节
/ UB
控制
/磅
输入
DQ
16
DQ
15数据
输入/
DQ
14将
DQ
13
GND （0V）
VCC （ 3.3V ）
DQ
12
DQ
11个数据
输入/
DQ
10路输出
DQ
9
NC
A7
A8
地址
A9
A10
NC
输入
M5M5V32R16J,TP
A12
A11
NC
概要
44P0K(J)
44P3W-H(TP)
应用
高速存储系统
包
M5M5V32R16J ： 44PIN 400mil SOJ
M5M5V32R16VP ： 44PIN 400mil TSOP （ II ）
功能
该M5M5V32R16的操作模式是
通过设备控制的组合来确定
输入/ S ， / W ， / OE ， / LB和/ UB 。每个模式
总结在表的功能。
写周期执行每当低水平/ W
低级别/ LB和/或低级别/ UB和低重叠
水平/ S 。该地址必须设置写周期之前
并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到上的traling边缘的小区
/ W ， / LB ， / UB或/ S，以先到为准，要求
建立和保持时间上相对于这些边缘是
维护。输出使能输入/ OE直接
控制所述输出级。设置/ OE在高
级，输出级处于高阻抗状态，并
在写周期中的数据总线争用的问题是
消除了。
读周期由在较高的水平设置W excuted
和/ OE在较低水平，同时/ LB和/或/ UB和/ S分别
在活跃状态。 （ / LB和/或/ UB = L ， / S = L）的
当设置/ LB在高电平和其他的管脚都
激活状态，上层字节是一个可选择的方式
在读取和写入都能够和
低字节是在非选择的模式。而当
设定/ UB在高电平和其它引脚处于
激活状态时，较低的字节是在一个可选择的模式
其读取和写入都能够和
上层字节处于非选择的模式。
当设置/ LB和/ UB在高电平或/ S的高
电平，该芯片是在非选择的模式，其中
读取和写入都被禁止。在这种模式下，
输出级处于高阻抗状态，
允许或领带与其他芯片和内存
扩张/ LB ， / UB和/ S 。
信号 - / S控制的省电特性。当/ S
变高，功率dissapation极度降低。
从/ S的访问时间等同于地址
访问时间。
三菱
电
1
三菱的LSI
M5M5V32R16J,TP-10,-12,-15
524288 - BIT （ 32768 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能表
/S
L
L
L
L
L
L
L
L
H
/W
H
H
H
L
L
L
H
X
X
/ OE / LB / UB
L
L
L
X
X
X
H
X
X
L
H
L
L
H
L
X
H
X
L
L
H
L
L
H
X
H
X
非选择
高阻抗
高阻抗
支持
模式
读周期的所有字节
读周期较高的字节
读周期较低的字节
写周期的所有字节
写周期较高的字节
写周期较低的字节
输出禁用
DQ1 - 8
D
OUT
高阻抗
D
OUT
D
IN
高阻抗
D
IN
高阻抗
DQ9 - 16
D
OUT
D
OUT
高阻抗
D
IN
D
IN
高阻抗
高阻抗
ICC
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
框图
A7
27
A6
42
A2
3
A1
4
A0
5
A14
18
A13
19
A12
20
A11
21
ROW输入缓冲器
7
8
9
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
行地址
解码器
产量
缓冲器
地址
输入
存储阵列
512行
1024列
10
13
14
15
16
DQ8
芯片选择
输入
写
控制输入
/S
6
列I / O电路
/W
17
产量
缓冲器
数据
输入
缓冲器
产量
使能输入
/ OE
41
列地址
解码器
29
30
31
32
35
36
37
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
38
DQ16
11
33
12
34
VCC
GND
低字节
控制输入
/磅
39
24 25 26 43
44
2
A10 A9 A8 A5 A4 A3
地址输入
三菱
电
2
数据
输入
缓冲器
高字节
控制输入
/ UB
40
COLUMN输入缓冲器
三菱的LSI
M5M5V32R16J,TP-10,-12,-15
524288 - BIT （ 32768 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
V
I
V
O
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
TA = 25℃
相对于GND
条件
评级
-2.0* ~ 4.6
* -2.0 VCC + 0.5
* -2.0 Vcc的
1000
0 ~ 70
-10 ~ 85
-65 ~ 150
+10%
- 5%
,
单位
V
V
V
mW
C
C
C
TSTG （偏置）存储温度（偏置）
储存温度
*脉冲宽度<为20ns ，在案件DC ： - 0.5V
=
DC电气特性
符号
VIH
VIL
VOH
VOL
II
IOZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（ TTL电平）
（大= 0 70℃ ， VCC = 3.3V
条件
除非另有说明）
民
2.0
-0.3*
2.4
范围
典型值
最大
Vcc+0.3
0.8
0.4
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
IOH = - 4毫安
IOL = 8毫安
V I = 0 Vcc的
VI （ / S） = VIH
VO = 0 Vcc的
VI （ / S ）= VIL
其他输入VIH或VIL
输出开（占空比100 ％ ）
AC（周期为10ns ）
AC（周期为12ns ）
AC（ 15ns的周期）
DC
AC（周期为10ns ）
AC（周期为12ns ）
AC（ 15ns的周期）
DC
我CC1
90
我CC2
待机电源电流
（ TTL电平）
待机电流
（ MOS级）
VI （ / S） = VIH
＆ GT ;
VI （ / S） = VCC = 0.2V
其他投入VI < 0.2V
我CC3
=
＆ GT ;
或VI = VCC - 0.2V
*脉冲宽度<为20ns ，如果交流： - 3.0V
=
150
130
110
100
60
55
50
40
1
mA
mA
0.1
mA
电容
（大= 0 70
符号
C， VCC = 3.3V
+10%
- 5%
,
除非另有说明）
测试条件
民
极限
典型值
最大
6
8
单位
pF
pF
参数
C
I
输入电容
V
I
= GND ，V
i
=25mVrms,f=1MHz
C
O
输出电容
V
o
= GND ，V
o
=25mVrms,f=1MHz
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
2 ：典型值是VCC = 3.3V ，TA = 25℃
3: C
I
,C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
AC电气特性
（大= 0 70℃ ， VCC = 3.3V
+10%
中，除非另有说明）
- 5%
（1）测定条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入定时基准水平
输出时序参考电平
输出负载
V
IH
=3.0V, V
IL
=0.0V
3ns
V
IH
=1.5V, V
IL
=1.5V
V
OH
=1.5V, V
OL
=1.5V
Fig1,Fig2
VL=1.5V
图1输出负载
DQ
50
(
包括夹具
)
范围和
DQ
255
VCC
480
(
5pF
INCLUDING
范围，夹具
)
图2输出负载在t
en
, t
DIS
三菱
电
3
三菱的LSI
M5M5V32R16J,TP-10,-12,-15
524288 - BIT （ 32768 - WORD 16位） CMOS静态RAM
读周期
范围
符号
参数
M5M5V32R16 -10 M5M5V32R16 -12 M5M5V32R16 -15
单位
民
最大
10
10
5
0
0
0
4
3
3
0
10
5
5
5
5
0
0
0
4
3
3
0
12
民
12
12
12
6
6
6
6
6
0
0
0
4
3
3
0
15
最大
民
15
15
15
7
7
7
7
7
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
（ OE）的
t
a
(B)
t
DIS
(S)
t
DIS
（ OE）的
t
DIS
(B)
t
en
(S)
t
en
（ OE）的
t
en
(B)
t
v
(A)
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
/ LB ， / UB访问时间
/ S高后输出禁止时间
输出禁止时间后/ OE高
输出禁止时间后， / LB ， / UB高
输出使能时间/ s低后
输出使能时间之后/ OE低
输出使能时间之后/ LB ， / UB低
地址更改后的数据有效时间
芯片的选择上电后的时间
片选后断电时间
4
4
4
写周期
范围
符号
参数
t
CW
t
w
(W)
t
su
(B)
t
su
(A)1
t
su
(A)2
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(B)
t
su
（ A- WH ）
t
su
（ A- SH ）
t
su
（ A- BH ）
写周期时间
把脉冲宽度
/ LB ， / UB建立时间
地址建立时间（ / W）
地址建立时间（ / S）
片选建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
后输出禁止时间/ W的低
输出禁止时间后/ OE高
后输出使能时间/ W高
输出使能时间之后/ OE低
输出使能时间之后/ LB ， / UB低
地址/ W高
地址/ S高
地址/ LB ， / UB高
M5M5V32R16 -10 M5M5V32R16 -12 M5M5V32R16 -15
单位
民
最大
民
最大
民
最大
10
12
15
ns
9
10
12
ns
10
12
ns
9
0
0
0
ns
0
0
0
ns
9
10
12
ns
5
6
7
ns
0
0
ns
0
0
0
ns
0
0
6
0
7
ns
0
5
0
6
0
7
ns
0
5
0
0
ns
0
0
0
ns
0
0
0
ns
0
10
12
ns
9
10
12
ns
9
10
12
ns
9
三菱
电
4
三菱的LSI
M5M5V32R16J,TP-10,-12,-15
524288 - BIT （ 32768 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期1
A
0~14
V
IH
V
IL
t
CR
ta
(A)
tv
(A)
tv
(A)
未知
数据有效
以前的数据有效
DQ
1~16
V
OH
V
OL
/ W = H
/ S = L
/ LB = L
/ UB = L
/ OE = L
读周期2
（注4 ）
t
CR
/S
V
IH
V
IL
ta
(S)
TEN
(S)
（注5 ）
t
DIS
(S)
（注5 ）
DQ
1~16
V
OH
V
OL
未知
数据有效
t
PU
t
PD
50%
50%
ICC
I
CC
1
I
CC
2
/ W = H
/ UB = L
/ OE = L / LB = L
注4：地址有效之前或与/ S期转换的低重合。
5.转换测量±从稳态电压为500mV与指定装载在图2中。
读周期3
（注6 ）
/ OE
V
IH
V
IL
t
CR
ta
（ OE）的
（注5 ）
t
DIS
（ OE）的
（注5 ）
TEN
（ OE）的
未知
数据有效
DQ
1~16
V
OH
V
OL
/ W = H / UB = L
/ S = L
/ LB = L
注6.地址和/ S前/ OE转换为低电平（ TA （A ） -ta （ OE ） ）有效， （ TA （ S） -ta （ OE ） ）
三菱
电
5
QQ：2881677436 复制
