修订-01 ， “ 98.12.08
三菱的LSI
M5M5V216AWG
2097152 - BIT （ 131072 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M5V216A是一个家庭的低电压2兆位静态RAM的
16位组织为131,072字，制作了三菱的
高性能的0.25μmCMOS工艺。
该M5M5V216A适用于存储应用场合
简单的接口，电池的使用和备用电池是
重要的设计目标。
M5M5V216AWG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
随着7.0毫米X 8.5毫米的轮廓， 6× 8 （ 48PIN ）球矩阵
和球是0.75mm间距。
它给出了一个最佳的解决方案
安装区域的压实以及布线图案的灵活性
的印刷电路板。
从工作温度的角度来看，家庭划分
分为三个版本; "Standard" ， "W - version"和"I - version" 。
这些总结在下面的部分名称表。
特点
单+ 2.7 + 3.6V电源
小的待机电流： （ 3V ，典型值） 0.3μA
没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压= 2.0V至3.6V
所有的输入和输出为TTL兼容。
按S， BC1和BC2轻松扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
工艺技术： 0.25微米CMOS
包装： 48引脚7.0毫米x8.5mm CSP
PART NAME表
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5V216AWG -55L
动力
供应
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
ACCESS
时间
待机电流Icc
（PD）的
， VCC = 3.0V
典型*
额定值（最大值）
25 C
---
40 C
---
25 C
---
1A
40 C
---
3A
70 C
20A
8A
85 C
---
---
马克斯。
55ns （ @ 2.7V ） /为50ns （ @ 3.3V ）
为70ns （ @ 2.7V ） / 65ns （ @ 3.3V ）
55ns （ @ 2.7V ） /为50ns （ @ 3.3V ）
为70ns （ @ 2.7V ） / 65ns （ @ 3.3V ）
55ns （ @ 2.7V ） /为50ns （ @ 3.3V ）
活跃
当前
Icc1
（ 3.0V ，典型值）。
标准
0 ~ +70 C
M5M5V216AWG -70L
M5M5V216AWG -55H
M5M5V216AWG -70H
M5M5V216AWG -55LW
0.3A 1A
W-
VERSION
-20 ~ +85 C
M5M5V216AWG -70LW
M5M5V216AWG -55HW
M5M5V216AWG -70HW
M5M5V216AWG -55L我
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
为70ns （ @ 2.7V ） / 65ns （ @ 3.3V ）
55ns （ @ 2.7V ） /为50ns （ @ 3.3V ）
为70ns （ @ 2.7V ） / 65ns （ @ 3.3V ）
55ns （ @ 2.7V ） /为50ns （ @ 3.3V ）
为70ns （ @ 2.7V ） / 65ns （ @ 3.3V ）
55ns （ @ 2.7V ） /为50ns （ @ 3.3V ）
为70ns （ @ 2.7V ） / 65ns （ @ 3.3V ）
---
---
---
1A
---
1A
---
3A
---
3A
20A 50A
8A
24A
45mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
0.3A 1A
---
---
I-
VERSION
-40 ~ +85 C
M5M5V216AWG -70L我
M5M5V216AWG -55H我
M5M5V216AWG -70H我
20A 50A
8A
24A
0.3A 1A
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BC1
DQ
16
DQ
14
* "typical"参数进行采样，而不是100 ％测试。
（底视图）
5
A0
S
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
W
A15
2
OE
BC2
DQ
15
3
A6
A7
A5
NC
4
A3
A2
A1
A4
6
NC
DQ
1
DQ
3
VCC
GND
DQ
6
DQ
8
NC
6
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
DQ
1
DQ
3
VCC
5
A0
S
DQ
2
DQ
4
4
A3
A2
A1
A4
3
A6
A7
A5
NC
2
OE
BC2
DQ
15
DQ
13
1
BC1
DQ
16
DQ
14
GND
VCC
DQ
11
DQ
9
NC
针
A0 ~ A16
S
W
OE
BC1
BC2
VCC
GND
功能
地址输入
片选输入
写控制输入
输出inable输入
低字节（ DQ1 8 ）
高字节（ DQ9 16 ）
电源
供应地
概要：
48FJA
NC ：无连接
DQ1 DQ16数据输入/输出
GND DQ
13
VCC
DQ
11
DQ
9
NC
DQ
12
DQ
10
NC
A8
GND A16
A9
A10
A11
A14
A13
A12
GND DQ
5
DQ
6
DQ
8
NC
DQ
7
W
A15
A16 GND DQ
12
A14
A13
A12
A9
A10
A11
DQ
10
NC
A8
三菱电机
1
修订-01 ， “ 98.12.08
三菱的LSI
M5M5V216AWG
2097152 - BIT （ 131072 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5V216AWG被组织为131,072字
16位。这些器件在单个+ 2.7 3.6V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的全静态电路，需要的不是钟也没有
刷新，并使其有用。
的操作模式是由一个组合确定
该装置的控制输入的BC1 ， BC2 ，S，W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
在执行写操作时的水平低W
与低级别BC1和/或BC2和低重叠
级别S.地址（ A0 A16 ），必须建立之前，
写周期，并且必须在整个周期内是稳定的。
读操作是由在高级别设置W执行
和OE为低电平而BC1和/或BC2和S是在
为激活状态（S = L） 。
当设定的BC1在高电平和其他的管脚都
一个活跃的阶段，上个字节是一个selesctable模式
该读写使能，和低字节
处于非选择的模式。和BC2设置在当
高级别和其它引脚处于活动阶段，低级
字节是一个可选择的模式和上层字节是在一个
非可选模式。
当设置BC1和BC2在高电平或S以高
电平，芯片处于非选择的模式，其中两个
阅读和写作都被禁止。在这种模式下，输出
阶段是在一个高阻抗状态，从而允许或结与
其他芯片和内存扩展了BC1 ， BC2和S.
电源电流降至低至0.3μA （ 25℃ ，
典型的） ，并且所述存储器中的数据可以在+ 2V功率举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式故障或断电操作。
功能表
S BC1 BC2 W OE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
模式
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
ICC
高-Z高阻待机
高-Z高阻待机
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
DIN
DOUT
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
写
读
高-Z高阻
高-Z高阻
框图
A
0
A
1
存储阵列
131072字
×16 BITS
A
15
A
16
时钟
发电机
高-Z高阻
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
DQ
16
S
BC1
BC2
W
GND
OE
VCC
三菱电机
2
修订-01 ， “ 98.12.08
三菱的LSI
M5M5V216AWG
2097152 - BIT （ 131072 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
操作
温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25℃
标准
W-版
I-版
（ -L ， -H ）
（ -LW ， -HW ）
（ -LI ，嗨）
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
-0.5
*
~ +4.6
-0.5
*
VCC + 0.5
0 Vcc的
700
0 ~ +70
- 20 ~ +85
- 40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
C
C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
DC电气特性
符号
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
条件
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
民
典型值
最大
Vcc+0.3V
单位
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
ICC
2
I
OH
= -0.5mA
高电平输出电压2
I
OH
= -0.05mA
I
OL
=2mA
低电平输出电压
V
I
=0
~
VCC
输入漏电流
高电平输出电压1
输出漏电流
主动电源电流
（ AC ， MOS级）
主动电源电流
（交流， TTL电平）
BC1和BC2 = V
IH
或S = V
IH
或OE = V
IH
, V
I / O
= 0 Vcc的
BC1和BC2
＆ LT ;
0.2V ，S
＆ LT ;
0.2V
=
=
＆ GT ;
其他投入
＆ LT ;
0.2V或
=
Vcc-0.2V
=
输出 - 开（占空比100 ％ ）
BC1和BC2 = V
IL
，S = V
IL
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
<1>
＆ GT ;
S
=
VCC - 0.2V ，
2.0
-0.3 *
2.4
Vcc-0.5V
0.6
V
0.4
±1
±1
A
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
5
45
5
-
-
-
-
1
0.3
0.3
0.3
-
60
15
60
15
60
20
30
10
5
2
2
2
0.5
mA
-LW ， -LI
-L ， -LW ， -LI
-HW ，嗨
-H ， -HW ，嗨
-H
-HW
嗨
+70 ~ +85 C
+70 C
+70 ~ +85 C
+40 ~ +70 C
+25 ~ +40 C
0 ~ +25 C
- 20 ~ +25 C
- 40 ~ +25 C
其他输入= 0 Vcc的
ICC
3
按电源电流待机
（ AC ， MOS级）
<2>
＆ GT ;
BC1和BC2
=
VCC - 0.2V
A
S
＆ LT ;
0.2V
=
其他输入= 0 Vcc的
ICC
4
按电源电流待机
（交流， TTL电平）
BC1和BC2 = V
IH
，S = V
IL
其他输入= 0 Vcc的
or
S = V
IH
mA
注1 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注2 ：典型值是VCC = 3.0V和Ta = 25℃
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
电容
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
范围
典型值
单位
民
最大
C
I
C
O
8
10
pF
三菱电机
3
修订-01 ， “ 98.12.08
三菱的LSI
M5M5V216AWG
2097152 - BIT （ 131072 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源电压
输入脉冲
输入上升时间和下降时间
参考电平
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7V~3.6V
V
IH
=2.2V,V
IL
=0.4V
5ns
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡是从测得的± 500mV的
稳态电压。 （对于T
en
,t
DIS
)
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
输出负载
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
字节1控制访问时间
字节2控制访问时间
输出启用访问时间
之后的高输出禁止时间
后BC1高输出禁止时间
之后BC2高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
之后的低输出使能时间
输出使能后BC1低电平时间
输出使能后， BC2低的时间
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
M5M5V216AWG - 55
M5M5V216AWG - 70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
55
最大
55
55
55
55
30
20
20
20
20
民
70
最大
70
70
70
70
35
25
25
25
25
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
10
10
10
5
10
10
10
10
5
10
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
控制字节1建立时间
字节控制2建立时间
片选建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
M5M5V216AWG - 55
M5M5V216AWG - 70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
民
55
45
0
50
50
50
50
25
0
0
最大
民
70
55
0
65
65
65
65
30
0
0
最大
20
20
5
5
5
5
25
25
三菱电机
4
修订-01 ， “ 98.12.08
三菱的LSI
M5M5V216AWG
2097152 - BIT （ 131072 - WORD 16位） CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期
A
0~16
t
CR
t
a
(A)
BC1
与/或
t
v
(A)
t
a
(BC1)
(Note3)
or
t
a
(BC2)
(Note3)
BC2
t
DIS
（ BC1 ）或
t
DIS
(BC1)
t
a
(S)
S
(Note3)
t
DIS
(S)
t
a
（ OE）的
(Note3)
OE
(Note3)
W = "H"水平
t
en
（ OE）的
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
(S)
t
DIS
（ OE）的
(Note3)
DQ
1~16
有效数据
写循环（W控制模式）
t
CW
A
0~16
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
BC1
与/或
BC2
(Note3)
t
su
(S)
(Note3)
S
(Note3)
t
su
（ A- WH ）
(Note3)
OE
t
su
(A)
W
t
DIS
（ OE）的
DQ
1~16
DATA IN
稳定
t
w
(W)
t
DIS
(W)
t
REC
(W)
t
en
（ OE）的
t
en
(W)
t
su
(D)
t
h
(D)
三菱电机
5
QQ：2881677436 复制
