三菱的LSI
1998年11月30日Ver..B
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
M5M54R08AJ-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
引脚配置（顶视图）
描述
该M5M54R08AJ是一个家庭的524288字由8位
静态RAM ，制造的高性能CMOS
硅栅工艺和设计用于高速
应用程序。
这些器件在3.3V单电源供电，并
直接TTL兼容。它们包括一个功率下
功能也是如此。
特点
快速存取时间
M5M54R08AJ-10
...
10ns(max)
M5M54R08AJ-12
...
12ns(max)
M5M54R08AJ-15
...
15ns(max)
+ 3.3V单电源供电
全静态操作：无时钟，无刷新
通用数据的I / O
易于内存扩张
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
直接TTL兼容：所有输入和输出
A
0
A
1
地址
A
2
输入
A
3
A
4
芯片选择
S
输入
DQ
1
数据输入/
输出
DQ
2
(3.3V)
V
CC
(0V)
GND
数据
DQ
3
输入/
输出
DQ
4
写控制
W
输入
A
5
A
6
地址
A
7
输入
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
地址
输入
A
16
A
15
OUTPUT ENABLE
OE
输入
数据
DQ
8
输入/
DQ
7
输出
GND
(0V)
V
CC
(3.3V)
DQ
6
数据
输入/
DQ
5
输出
A
14
A
13
A
12
A
11
地址
输入
A
10
NC
概要
36P0K （ SOJ ）
应用
高速存储单元
包
M5M54R08AJ
： 36PIN 400mil SOJ
框图
A
0
A
1
A
2
地址
A
4
输入
1
2
3
4
5
存储阵列
1024行
4096柱
7
8
11
12
25
26
29
30
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
数据
输入/
输出
A
3
A
5
14
A
6
15
A
7
16
A
8
17
A
9
18
列I / O电路
S
6
列地址
COLUMN
解码器
地址
9
27
10
28
W
13
解码器
COLUMN输入缓冲器
VCC （ 3.3V ）
OE 31
GND （0V）
20 21 22 23 24 32 33 34 35
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
16
A
17
地址输入
三菱
电
1
三菱的LSI
M5M54R08AJ-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M54R08AJ的操作模式是由一个确定
结合设备控制输入S， W和OE的。每
模式被概括在表的功能。
执行写入周期时的水平低W
与低级别S的地址重叠，必须建立
前的写周期，并且必须在整个过程中是稳定的
周期。
该数据被锁存到细胞上W的后缘或
S，以先到为准，要求的建立和保持时间
相对于这些边缘被保持。输出使能
输入操作环境直接控制输出级。设置在OE
高电平时，输出级处于高阻抗状态，而
和数据总线
在写周期的争用问题被消除。
读周期是通过设置W底高电平excuted和
OE在低水平，而S是不活动状态（S = L） 。
当处于高电平设定S，该芯片是在非
可选的模式，其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下，输出级是在高
阻抗状态，允许或领带与其他芯片和
由S.内存扩展
信号-S控制的省电特性。当S变
高功率dissapation极度降低。访问
从s的时间等同于地址存取时间。
功能表
S
H
L
L
L
W
X
L
H
H
OE
X
X
L
H
模式
非选择
写
读
DQ
高阻抗
DIN
DOUT
高阻抗
ICC
支持
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
cc
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
*
脉冲
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
条件
相对于GND
评级
- 2.0 * 4.6
~
- 2.0 * VCC + 0.5
- 2.0 * VCC
1000
0 ~ 70
- 10 ~ 85
- 65 ~ 150
+10%
- 5%
单位
V
V
V
mW
°C
°C
°C
Ta=25°C
T
STG （偏置）
储存温度
（偏置）
储存温度
宽度
≤
为3ns ，在案件DC ： - 0.5V
DC电气特性
(Ta=0
~ 70
°C
， VCC = 3.3V
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流
条件
中，除非另有说明）
范围
民
2.0
2.4
0.4
2
2
典型值
最大
Vcc+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
uA
uA
I
OH
= - 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
I
= 0 Vcc的
V
我（多个）
=V
IH
输出电流关断状态V
I / O
= 0 Vcc的
主动电源电流
（ TTL电平）
V
我（多个）
=V
IL
其他inpus = V
IH
或V
IL
输出开（占空比100 ％ ）
周期为10ns
AC周期为12ns
周期为15ns
DC
周期为10ns
AC周期为12ns
周期为15ns
DC
I
CC1
I
CC2
按目前的立场
（ TTL电平）
V
我（多个）
=V
IH
V
我（多个）
=Vcc≥0.2V
其他投入V
I
≤0.2V
或V
I
-vcc
- 0.2V
230
220
200
100
90
70
60
40
10
mA
mA
I
CC3
按目前的立场
mA
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
三菱
电
2
三菱的LSI
M5M54R08AJ-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
电容
(Ta=0~70
°C
， VCC = 3.3V
符号
C
I
C
O
参数
输入电容
输出电容
+10%
-5%
中，除非另有说明）
测试条件
民
极限
典型值
最大
7
8
单位
pF
pF
V
I
= GND ，V
I
=25mVrms,f=1MHz
V
O
= GND ，V
O
=25mVrms,f=1MHz
注2 ：C
I
,C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
AC电气特性
(Ta=0~70
°C
， VCC = 3.3V
（1）测定条件
+10%
-5%
中，除非另有说明）
输入脉冲电平
....................................
V
IH
=3.0V, V
IL
=0.0V
输入上升和下降时间
....................................................
3ns
输入定时基准水平
........................
V
IH
=1.5V, V
IL
=1.5V
输出时序参考电平
.................
V
OH
=1.5V, V
OL
=1.5V
输出负载
........................................................
Fig.1,Fig.2
5.0V
产量
Z0=50
DQ
RL=50
VL=1.5V
DQ
255
480
5pF
（包括
范围， JIG ）
图1输出负载
图2输出负载在t
en
, t
DIS
三菱
电
3
三菱的LSI
M5M54R08AJ-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
（ 2 ）读周期
范围
符号
参数
M5M54R08AJ-10
M5M54R08AJ-12
M5M54R08AJ-15
单位
民
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
（ OE）的
t
v
(A)
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
之后的高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
之后的低输出使能时间
OE后低输出使能时间
地址更改后的数据有效时间
芯片的选择上电后的时间
片选后掉电时间
最大
10
10
5
民
12
最大
12
12
6
民
15
最大
ns
15
15
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
0
0
2
0
2
0
5
5
0
0
3
1
3
0
6
6
0
0
3
1
3
0
7
7
10
12
15
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
M5M54R08AJ-10
M5M54R08AJ-12
M5M54R08AJ-15
单位
民
t
CW
t
w
(W)
t
w
(W)
t
su
(A)
1
t
su
(A)
2
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
t
su
（ A- WH ）
写周期时间
把脉冲宽度（ OE低）
把脉冲宽度（ OE高）
地址建立时间（W ）
地址建立时间（ S）
片选建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
后W低输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
输出使能后， W高时间
OE后低输出使能时间
地址W高
最大
10
10
8
0
0
8
5
0
1
0
0
0
0
8
5
5
民
12
12
10
0
0
10
6
0
1
0
0
0
0
10
最大
民
15
15
10
0
0
10
7
0
1
0
0
0
0
10
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
6
7
7
三菱
电
4
三菱的LSI
M5M54R08AJ-10,-12,-15
4194304 - BIT （ 524288 -字×8位）的CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期1
A
0~18
V
IH
V
IL
t
CR
ta
(A)
tv
(A)
tv
(A)
未知
数据有效
以前的数据有效
DQ
1~8
V
OH
V
OL
窝
= L1
OE = L
读周期2
（注3）
t
CR
S
V
IH
V
IL
ta
(S)
TEN
(S)
（注4 ）
t
DIS
(S)
（注4 ）
DQ
1~8
V
OH
V
OL
未知
数据有效
t
PU
t
PD
50%
50%
ICC
I
CC
1
I
CC
2
窝
OE = L
注3.地址有效之前或与S期低重合。
4.转换测量±从稳态电压为500mV与指定装载在图2中。
读周期3
（注5 ）
OE
V
IH
V
IL
t
CR
（注4 ）
ta
（ OE）的
（注4 ）
t
DIS
（ OE）的
TEN
（ OE）的
未知
数据有效
DQ
1~8
V
OH
V
OL
窝
= L1
注5.地址和（ TA （A ） -ta （ OE ） ）S前有效OE过渡低， （ TA （ S） -ta （ OE ） ）
三菱
电
5
QQ：2881677436 复制
