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为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站:
http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询
http://www.renesas.com/inquiry 。
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瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
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它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
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应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用,包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题,请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
瑞萨的LSI
M5M5256DFP,VP-55LL,-70LL,-70LLI,
-55XL,-70XL
262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM
描述
该M5M5256DFP , VP是262,144位CMOS静态RAM
由8位是用F abricated组织为32,768字
高的性能有所3多晶硅CMOS技术。利用
resistiv 加载NMOS的细胞和CMOS周产生了高
密度和低功耗静态RAM 。待机电流小
足够的F或电池备份应用程序。它是理想的F或内存
SY茎需要简单INTERF王牌。
尤其是M5M5256DVP被包装在一个28引脚薄型小
外形封装。
引脚配置(顶视图)
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VCC
27
/W
26
A13
25
A8
24
A9
23
A11
22
/ OE
21
20
19
18
17
16
15
28
特征
TY PE
访问Oprating电源电流
时间温度活动唤醒中断ê待机
(最大)
(最大)
(最大)
55ns
DQ3
13
GND
14
概要
A10
/S
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
28P2W -C ( FP )
M5M5256DFP,VP-55LL
M5M5256DFP,VP-70LL
0~70°C
70ns
20A
(VCC = 5.5V )
22
/ OE
23
A11
24
A9
25
A8
26
A13
27
/W
28
VCC
1
A14
2
A12
3
A7
4
A6
5
A5
6
A4
7
A3
M5M5256DFP,VP-70LLI
70ns
-40~85°C
50mA
(VCC = 5.5V )
40A
(VCC = 5.5V )
M5M5256DVP
5A
M5M5256DFP,VP-55XL
M5M5256DFP,VP-70XL
55ns
70ns
(VCC = 5.5V )
0~70°C
0.05A
(VCC = 3.0V ,
典型)
单+ 5V电源
没有时钟,没有裁判RESH
在+ 2.0V电源数据保持
直接TTL兼容:所有输入和输出
三态输出:或领带的能力
/ OE上一个经济需求测试数据的I / O总线争
通用数据的I / O
电池备份功能
低待机电流.......... 0.05μA ( TY页)
A10
21
/S
20
DQ8
19
DQ7
18
DQ6
17
DQ5
16
DQ4
15
GND
14
DQ3
13
DQ2
12
DQ1
11
A0
10
A1
9
A2
8
概要
28P2C -A ( VP)
M5M5256DFP
M5M5256DVP
: 28引脚450密耳SOP
2
: 28PIN 8× 13.4毫米TSOP
应用
小容量米埃默里单位
1
瑞萨的LSI
M5M5256DFP,VP-55LL,-70LL,-70LLI,
-55XL,-70XL
262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM
功能
该M5M5256DFP的操作模式中, VP为
通过的dev的冰的控制输入的组合来确定
/ S / W和/ OE 。对每种模式进行总结的F油膏
表。
在执行写CY第一百whenev呃低列弗EL / W
OV erlaps与低列弗EL / S 。该地址必须设置
向上BEF矿石写赛扬第一百且必须在稳定
整个CY CLE 。该数据被锁存到尾部的小区
/ w的边缘/ S, whichev呃发生开始步骤,要求设定
建立和保持时间relativ E要将这些优势来维持。
输出使能/ OE直接控制输出级。
设置/ OE在一个较高的利埃尔,输出级是在一个
高阻抗状态,并在数据总线争用
在写入立方码第一百问题被消除。
一个读CY CLE是在高温列弗EL设置/ W执行
和/ OE在低列弗EL ,而/ S处于ACTIV E状态。
当以高的利埃尔设定/ S,则芯片是在非
可选的模式,其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下,输出级是在高
阻抗状态,允许或领带与其他芯片和
通过/ S的内存扩展。的电源电流为
减小低至待机电流是注明:灭蝇灯
作为ICC3或ICC4 ,并且存储器的数据可在保持
+ 2V电源,使电池备份操作
期间在所述非能力F ailure或掉电操作
选择的模式。
功能表
/S
H
L
L
L
/W
X
L
H
/ OE
X
X
L
模式
非选择
DQ
高阻抗
D
IN
D
OUT
ICC
待用
ACTIV ê
ACTIV ê
高阻抗
ACTIV ê
H
H
注意 "H"和"L"在此表中的意思是VIH和VIL , respectiv伊利。
本表"X"应该是"H"或"L" 。
框图
A8
A 13
A 14
A 12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
A3
25
26
1
2
2
3
4
5
6
7
( 512行×
17
512列)
18
19
32768字
X 8BIT
11
12
13
15
16
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
数据I / O
A2
A1
A0
A 10
A 11
A9
写控制
INPUT / W
芯片选择
输入
/S
8
9
10
21
23
24
时钟
发电机
27
20
28
14
VCC
(5V)
GND
(0V)
OUTPUT ENABLE
/ OE
输入
22
2
瑞萨的LSI
M5M5256DFP,VP-55LL,-70LL,-70LLI,
-55XL,-70XL
262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
( VCC = 5V ± 10% ,除非另有说明)
条件
相对于GND
Ta=25°C
-LL , -XL
-LLI
评级
-0.3
*
~7.0
-0.3
*
~Vcc+0.3
(最多7.0 )
单位
V
V
V
mW
°C
°C
0~Vcc
700
0~70
-40~85
-65~150
_
* -3.0V的情况下交流(脉冲宽度为30ns < )
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
测试条件
范围
2.2
-0.3*
2.4
VCC
-0.5
典型值
最大
VCC
+0.3
单位
V
V
V
V
0.8
高电平输出电压1 I
OH
=-1mA
高电平输出电压2 I
OH
=-0.1mA
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
( AC , MOS列弗EL)
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
/ S = V
IH
或或/ OE = V
IH
, V
I / O
=0
~
VCC
55ns
_
/S<0.2V,
其他inputs<0.2V或>Vcc - 0.2V为70ns
输出开
1MHz
/ S = V
IL
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开
~25°C
_
/S>Vcc-0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
0.4
±1
±1
30
25
2
30
25
4
0.1
45
40
4
50
45
8
2
0.4
6
1.2
20
5
40
3
V
A
A
mA
55ns
70ns
1MHz
-LL , -LLI
-xl
-LL , -LLI
-xl
-LL , -LLI
-xl
-LLI
ICC
2
主动电源电流
( AC , TTL列弗EL)
mA
ICC
3
待机电流
~40°C
~70°C
~85°C
A
ICC
4
待机电流
/ S = V
IH
,其它输入= 0
~
VCC
mA
_
* -3.0V的情况下交流(脉冲宽度为30ns < )
电容
符号
C
I
C
O
( VCC = 5V ± 10% ,除非另有说明)
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ,V
I
= 25mVrms , F = 1MHz的
V
O
= GND ,V
O
= 25mVrms , F = 1MHz的
范围
最小典型最大
6
8
单位
pF
pF
注0 : F方向或电流F降脂成IC是positiv E(无标记) 。
1 :TY皮卡尔设定的值是在Ta = 25 ℃。
2: C
I
, C
O
是周期性采样,不100 %测试。
3
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
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