三菱的LSI
M5M51008CP ， FP ，副总裁， RV ， KV ， KR -55H ， -70H ，
-55X, -70X
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M51008CP ， FP ，副总裁， RV ， KV ， KR是1048576位CMOS
静态RAM的8位被组织为131072字
采用高性能的四倍多晶硅制造和
双金属CMOS工艺。使用薄膜晶体管的
（TFT）的测力传感器和CMOS外围结果中的高密度和
低功耗静态RAM 。
它们是低待机电流和低工作电流和理想
对于电池备份应用程序。
该M5M51008CVP ， RV ， KV ， KR封装在一个32引脚薄型
小外形封装是一种高可靠性，高密度
表面贴装器件（SMD ） 。有两种类型的设备。
M5M51008CVP ， KV （普通导线弯曲式封装） ，
M5M51008CRV ， KR （反向弯曲引线式封装） .Using两个
类型的设备，它变得非常容易地设计印刷电路
板。
引脚配置（顶视图）
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
地址
输入
特点
型号名称
M5M51008CP,FP,VP,RV,KV,KR-55H
M5M51008CP,FP,VP,RV,KV,KR-70H
M5M51008CP,FP,VP,RV,KV,KR-55X
M5M51008CP,FP,VP,RV,KV,KR-70X
ACCESS
时间
（最大）
电源电流
活跃
(1MHz)
（最大）
待用
（最大）
数据
输入/
输出
A
2 10
A
1 11
A
0 12
DQ
1 13
DQ
2 14
DQ
3 15
GND
16
V
CC
地址
A
15
输入
芯片选择
S
2
输入
写
W
输入控制
A
13
A
8
地址
输入
A
9
A
11
产量
OE
输入使能
地址
A
10
输入
芯片
S
1
INPUTSELECT
DQ
8
DQ
7
DQ
6
数据
输入/
DQ
5
输出
DQ
4
大纲32P4 （P ） ， 32P2M -A （ FP ）
A
11
A
9
A
8
A
13
W
S
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
55ns
70ns
55ns
70ns
15mA
(1MHz)
20A
(Vcc=5.5V)
8A
(Vcc=5.5V)
0.1A
（ VCC = 3.0V ，典型值）
低待机电流0.1μA （ TYP。）
直接TTL兼容：所有输入和输出
易内存扩展，并用S断电
1
,S
2
在+ 2V电源数据保持
三态输出： OR - 领带能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
包
M5M51008CP
············
32引脚600mil DIP
M5M51008CFP
············
32引脚525mil SOP
M5M51008CVP,RV
············
32引脚8 ×20mm的
2
TSOP
M5M51008CKV,KR
············
32引脚8× 13.4毫米
2
TSOP
M5M51008CVP,KV
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
S
1
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
GND
DQ
3
DQ
2
DQ
1
A
0
A
1
A
2
A
3
应用
小容量的存储单元
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
S
2
W
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
概述32P3H -E （ VP） ， 32P3K -B （ KV ）
17
18
19
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A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
S
1
A
10
OE
M5M51008CRV,KR
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31
32
概述32P3H -F （ RV ） ， 32P3K -C （ KR ）
NC ：无连接
三菱
电
1
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