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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第87页 > M5M51008BVP-70VLL
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR是1048576位CMOS
静态RAM的8位被组织为131072字
采用高性能的三层多晶硅CMOS制造
技术。使用阻性负载NMOS细胞和CMOS的
周边结果中的高密度和低功率的静态RAM 。
它们是低待机电流和低工作电流和理想
对于电池备份应用程序。
该M5M51008BVP ， RV ， KV ， KR封装在一个32引脚薄型
小外形封装是一种高可靠性，高密度
表面贴装器件（SMD ） 。二类型的设备是可用的。
副总裁， KV （正常引脚弯曲型封装） ， RV ， KR （反向弯曲铅
式封装） 。使用这两种类型的设备，它变得非常容易
设计一个印刷电路板。
引脚配置（顶视图）
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
地址
输入
特点
型号名称
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-70VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-10VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-12VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-15VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-70VLL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-10VLL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-12VLL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-15VLL
ACCESS
时间
（最大）
电源电流
V
CC
主动待机
(1MHz)
（最大）
（最大）
数据
输入/
输出
70ns
100ns
120ns
150ns
70ns
100ns
120ns
150ns
A
2 10
A
1 11
A
0 12
DQ
1 13
DQ
2 14
DQ
3 15
GND
16
V
CC
地址
A
15
输入
S
2片选
输入
W
写控制
输入
A
13
A
8
地址
输入
A
9
A
11
OE
OUTPUT ENABLE
输入
A
10
地址
输入
S
1芯片选择
输入
DQ
8
DQ
7
DQ
6
数据
输入/
M5M51008BFP
DQ
5
输出
DQ
4
3.3±0.3V
3.0±0.3V
3.3±0.3V
3.0±0.3V
10mA
10mA
10mA
10mA
60A
概要32P2M -A
55A
12A
11A
A
11
A
9
A
8
A
13
W
S
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
OE
A
10
S
1
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
GND
DQ
3
DQ
2
DQ
1
A
0
A
1
A
2
A
3
低待机电流0.3μA （ TYP。）
直接TTL兼容：所有输入和输出
易内存扩展，并用S断电
1
,S
2
在+ 2V电源数据保持
三态输出： OR - 领带能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
包
M5M51008BFP
············
32引脚525mil SOP
M5M51008BVP,RV
············
32引脚8 ×20mm的
2
TSOP
M5M51008BKV,KR
············
32引脚8× 13.4毫米
2
TSOP
M5M51008BVP,KV
25
24
23
22
21
20
19
18
17
应用
小容量的存储单元
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
S
2
W
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
概述32P3H -E （ VP） ， 32P3K -B （ KV ）
17
18
19
20
21
22
23
M5M51008BRV,KR
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
S
1
A
10
OE
概述32P3H -F （ RV ） ， 32P3K -C （ KR ）
NC ：无连接
1
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M51008B系列的操作模式是通过确定
该装置的控制输入S的组合
1
,S
2
， W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
写周期执行每当低水平W和重叠
低电平S
1
和高电平S
2
。该地址必须设置
前的写周期，并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到细胞上的W，S的后缘
1
or
S
2
，以先到为准，要求的建立和保持时间
相对于这些边缘被保持。输出使能输入
OE直接控制输出级。设置OE在一个较高的
级，输出级处于高阻抗状态，和所述数据
在写周期的总线争用的问题被消除。
读周期由在高电平和OE在一个设定W执行
较低的水平，而S
1
和S
2
处于活动状态（S
1
= L，S
2
=H).
当值[S
1
在高电平或S
2
在一个低的水平，该芯片是
在非选择的模式，在其中读取和写入是
禁用。在这种模式下，输出级处于高阻抗
状态，允许或领带与其他芯片和内存扩张
S
1
和S
2
。电源电流降低为低的
待机被指定为I电流
CC3
还是我
CC4
和
内存中的数据可在+ 2V电源的举办，使电池
在停电或断电操作过程中备份操作
未选择的模式。
功能表
S
1
X
H
L
L
L
S
2
L
X
H
H
H
W
X
X
L
H
H
模式
DQ
OE
X非选择高阻抗
X非选择高阻抗
DIN
X
写
DOUT
L
读
高阻抗
H
I
CC
待用
待用
活跃
活跃
活跃
框图
*
A4
A5
A6
A7
8
7
6
5
16
15
*
21
13 DQ1
14 DQ2
15 DQ3
17 DQ4
18 DQ5
19 DQ6
20 DQ7
21 DQ8
数据
输入/
输出
22
地址输入
卜FF器
13
12
11
10
7
4
3
产量
卜FF器
14
ROW
解码器
A12 4
A14 3
A16 2
A15 31
A13 28
A8 27
131072字
×8位
（ 1024行
X128柱
X 8BLOCKS ）
感测放大器。
23
25
26
27
28
29
地址输入
卜FF器
A2 10
A3
9
18
17
31
A10 23
COLUMN
解码器
A0 12
20
时钟
发电机
数据输入
卜FF器
地址
输入
5
地址输入
卜FF器
写
29 W控制
输入
22 S1
30 S2
芯片
SELECT
输入
块
解码器
A1 11
A11 25
A9 26
19
1
2
30
6
32
8
24
产量
24 OE启用
输入
32 V
CC
GND
16 (0V)
*内点线引脚号显示这些TSOP的
2
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
相对于GND
Ta=25°C
条件
评级
– 0.3*~4.6
- 0.3 * VCC + 0.3
（最多4.6 ）
0~Vcc
700
0~70
– 65~150
单位
V
V
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
DC电气特性
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
范围
符号
参数
测试条件
-70VL ， -70VLL
-10VL ， -10VLL
V
CC
=3.3±0.3V
民
典型值
最大
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
I
CC1
I
CC2
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（最小循环）
主动电源电流
(1MHz)
2.0
–
0.3
VCC
+0.3V
-12VL ， -12VLL
-15VL ， -15VLL
V
CC
=3.0±0.3V
民
典型值
最大
2.0
–
0.3
VCC
+0.3V
单位
V
V
V
V
0.6
0.6
I
OH
=
–
0.5mA
I
OH
=
–
0.05mA
I
OL
=2mA
V
I
=0~Vcc
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
或OE = V
IH
V
I / O
=0~V
CC
S
1
=V
IL
,S
2
=V
IH
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开（占空比100 ％ ）
1) S
2
≤
0.2V
2) S
1
≥
V
CC
–0.2V,
S
2
≥
V
CC
–0.2V
其他输入= 0 V
CC
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
,
其他输入= 0 V
CC
-L
-LL
2.4
VCC
-0.5V
2.4
VCC
-0.5V
0.4
±1
±1
20
3
35
10
60
12
0.33
15
3
0.4
±1
±1
30
V
A
A
mA
10
55
A
11
0.33
mA
I
CC3
待机电流
I
CC4
待机电流
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
电容
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
符号
C
I
C
O
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
= GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
民
范围
典型值
最大
6
8
单位
pF
pF
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
2 ：典型值是VCC = 3V ，TA = 25℃
3
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
（1）测定条件
V
CC
................................. 3.3 ± 0.3V （ -70VL ， -70VLL ， -10VL ， -10VLL ）
3.0±0.3V(-12VL,-12VLL,-15VL,-15VLL)
............. V
IH
=2.2V,V
IL
=0.4V
输入脉冲电平
输入上升和下降时间为5ns .....
参考电平............... V
OH
=V
OL
=1.5V
输出负载...................图1 ，C
L
= 100pF的（ -15VL ， -15VLL ， ）
C
L
= 30pF的（ -70VL ， -10VL ， 12VL ， -70VLL ， -10VLL ， 12VLL ）
C
L
= 5pF的（对于T
en
,t
DIS
)
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （对于T
en
,t
DIS
)
DQ
C
L
INCLUDING
范围，夹具
1TTL
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a(A)
t
a(S1)
t
a(S2)
t
一个（OE）
t
dis(S1)
t
dis(S2)
t
DIS （ OE ）
t
en(S1)
t
en(S2)
t
EN（ OE ）
t
V（A）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
输出启用访问时间
之后一下输出禁止时间
1
高
之后一下输出禁止时间
2
低
OE高后输出禁止时间
之后一下输出使能时间
1
低
之后一下输出使能时间
2
高
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
-70VL,VLL
民
最大
70
70
70
70
35
25
25
25
10
10
5
10
10
10
5
10
-10VL,VLL
民
最大
100
100
100
100
50
35
35
35
10
10
5
10
-12VL,VLL
民
最大
120
120
120
120
60
40
40
40
10
10
5
10
-15VL,VLL
民
最大
150
150
150
150
75
50
50
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
范围
符号
t
CW
t
w(W)
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
su(S1)
t
su(S2)
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ W）
t
EN（ OE ）
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
-70VL,VLL
民
最大
70
55
0
65
65
65
30
0
0
25
25
5
5
5
5
-10VL,VLL
民
最大
100
75
0
85
85
85
40
0
0
35
35
5
5
-12VL,VLL
民
最大
120
85
0
100
100
100
45
0
0
40
40
5
5
-15VL,VLL
民
最大
150
100
0
120
120
120
50
0
0
50
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期
t
CR
A
0~16
t
a(A)
t
V（A）
t
一（S1）
S
1
（注3）
（注3）
t
DIS （ S1 ）
S
2
（注3）
t
一个（S2）的
t
一个（OE）
t
EN（ OE ）
t
DIS （ S2 ）
（注3）
OE
（注3）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ S1 ）
t
EN（ S2 ）
（注3）
DQ
1~8
W = "H"水平
数据有效
写循环（W控制模式）
t
CW
A
0~16
t
SU（ S1 ）
S
1
（注3）
（注3）
S
2
（注3）
t
SU（ S2 ）
（注3）
t
SU（ A- WH ）
OE
t
SU（ A）
W
t
w (W)
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
DQ
1~8
t
EN（ W）
DATA IN
稳定
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
EN（ OE ）
5
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR是1048576位CMOS
静态RAM的8位被组织为131072字
采用高性能的三层多晶硅CMOS制造
技术。使用阻性负载NMOS细胞和CMOS的
周边结果中的高密度和低功率的静态RAM 。
它们是低待机电流和低工作电流和理想
对于电池备份应用程序。
该M5M51008BVP ， RV ， KV ， KR封装在一个32引脚薄型
小外形封装是一种高可靠性，高密度
表面贴装器件（SMD ） 。二类型的设备是可用的。
副总裁， KV （正常引脚弯曲型封装） ， RV ， KR （反向弯曲铅
式封装） 。使用这两种类型的设备，它变得非常容易
设计一个印刷电路板。
引脚配置（顶视图）
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
地址
输入
特点
型号名称
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-70VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-10VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-12VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-15VL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-70VLL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-10VLL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-12VLL
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-15VLL
ACCESS
时间
（最大）
电源电流
V
CC
主动待机
(1MHz)
（最大）
（最大）
数据
输入/
输出
70ns
100ns
120ns
150ns
70ns
100ns
120ns
150ns
A
2 10
A
1 11
A
0 12
DQ
1 13
DQ
2 14
DQ
3 15
GND
16
V
CC
地址
A
15
输入
S
2片选
输入
W
写控制
输入
A
13
A
8
地址
输入
A
9
A
11
OE
OUTPUT ENABLE
输入
A
10
地址
输入
S
1芯片选择
输入
DQ
8
DQ
7
DQ
6
数据
输入/
M5M51008BFP
DQ
5
输出
DQ
4
3.3±0.3V
3.0±0.3V
3.3±0.3V
3.0±0.3V
10mA
10mA
10mA
10mA
60A
概要32P2M -A
55A
12A
11A
A
11
A
9
A
8
A
13
W
S
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
OE
A
10
S
1
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
GND
DQ
3
DQ
2
DQ
1
A
0
A
1
A
2
A
3
低待机电流0.3μA （ TYP。）
直接TTL兼容：所有输入和输出
易内存扩展，并用S断电
1
,S
2
在+ 2V电源数据保持
三态输出： OR - 领带能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
包
M5M51008BFP
············
32引脚525mil SOP
M5M51008BVP,RV
············
32引脚8 ×20mm的
2
TSOP
M5M51008BKV,KR
············
32引脚8× 13.4毫米
2
TSOP
M5M51008BVP,KV
25
24
23
22
21
20
19
18
17
应用
小容量的存储单元
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
S
2
W
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
概述32P3H -E （ VP） ， 32P3K -B （ KV ）
17
18
19
20
21
22
23
M5M51008BRV,KR
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
S
1
A
10
OE
概述32P3H -F （ RV ） ， 32P3K -C （ KR ）
NC ：无连接
1
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M51008B系列的操作模式是通过确定
该装置的控制输入S的组合
1
,S
2
， W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
写周期执行每当低水平W和重叠
低电平S
1
和高电平S
2
。该地址必须设置
前的写周期，并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到细胞上的W，S的后缘
1
or
S
2
，以先到为准，要求的建立和保持时间
相对于这些边缘被保持。输出使能输入
OE直接控制输出级。设置OE在一个较高的
级，输出级处于高阻抗状态，和所述数据
在写周期的总线争用的问题被消除。
读周期由在高电平和OE在一个设定W执行
较低的水平，而S
1
和S
2
处于活动状态（S
1
= L，S
2
=H).
当值[S
1
在高电平或S
2
在一个低的水平，该芯片是
在非选择的模式，在其中读取和写入是
禁用。在这种模式下，输出级处于高阻抗
状态，允许或领带与其他芯片和内存扩张
S
1
和S
2
。电源电流降低为低的
待机被指定为I电流
CC3
还是我
CC4
和
内存中的数据可在+ 2V电源的举办，使电池
在停电或断电操作过程中备份操作
未选择的模式。
功能表
S
1
X
H
L
L
L
S
2
L
X
H
H
H
W
X
X
L
H
H
模式
DQ
OE
X非选择高阻抗
X非选择高阻抗
DIN
X
写
DOUT
L
读
高阻抗
H
I
CC
待用
待用
活跃
活跃
活跃
框图
*
A4
A5
A6
A7
8
7
6
5
16
15
*
21
13 DQ1
14 DQ2
15 DQ3
17 DQ4
18 DQ5
19 DQ6
20 DQ7
21 DQ8
数据
输入/
输出
22
地址输入
卜FF器
13
12
11
10
7
4
3
产量
卜FF器
14
ROW
解码器
A12 4
A14 3
A16 2
A15 31
A13 28
A8 27
131072字
×8位
（ 1024行
X128柱
X 8BLOCKS ）
感测放大器。
23
25
26
27
28
29
地址输入
卜FF器
A2 10
A3
9
18
17
31
A10 23
COLUMN
解码器
A0 12
20
时钟
发电机
数据输入
卜FF器
地址
输入
5
地址输入
卜FF器
写
29 W控制
输入
22 S1
30 S2
芯片
SELECT
输入
块
解码器
A1 11
A11 25
A9 26
19
1
2
30
6
32
8
24
产量
24 OE启用
输入
32 V
CC
GND
16 (0V)
*内点线引脚号显示这些TSOP的
2
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
相对于GND
Ta=25°C
条件
评级
– 0.3*~4.6
- 0.3 * VCC + 0.3
（最多4.6 ）
0~Vcc
700
0~70
– 65~150
单位
V
V
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
DC电气特性
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
范围
符号
参数
测试条件
-70VL ， -70VLL
-10VL ， -10VLL
V
CC
=3.3±0.3V
民
典型值
最大
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
I
CC1
I
CC2
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（最小循环）
主动电源电流
(1MHz)
2.0
–
0.3
VCC
+0.3V
-12VL ， -12VLL
-15VL ， -15VLL
V
CC
=3.0±0.3V
民
典型值
最大
2.0
–
0.3
VCC
+0.3V
单位
V
V
V
V
0.6
0.6
I
OH
=
–
0.5mA
I
OH
=
–
0.05mA
I
OL
=2mA
V
I
=0~Vcc
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
或OE = V
IH
V
I / O
=0~V
CC
S
1
=V
IL
,S
2
=V
IH
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开（占空比100 ％ ）
1) S
2
≤
0.2V
2) S
1
≥
V
CC
–0.2V,
S
2
≥
V
CC
–0.2V
其他输入= 0 V
CC
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
,
其他输入= 0 V
CC
-L
-LL
2.4
VCC
-0.5V
2.4
VCC
-0.5V
0.4
±1
±1
20
3
35
10
60
12
0.33
15
3
0.4
±1
±1
30
V
A
A
mA
10
55
A
11
0.33
mA
I
CC3
待机电流
I
CC4
待机电流
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
电容
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
符号
C
I
C
O
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
= GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
民
范围
典型值
最大
6
8
单位
pF
pF
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
2 ：典型值是VCC = 3V ，TA = 25℃
3
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
（1）测定条件
V
CC
................................. 3.3 ± 0.3V （ -70VL ， -70VLL ， -10VL ， -10VLL ）
3.0±0.3V(-12VL,-12VLL,-15VL,-15VLL)
............. V
IH
=2.2V,V
IL
=0.4V
输入脉冲电平
输入上升和下降时间为5ns .....
参考电平............... V
OH
=V
OL
=1.5V
输出负载...................图1 ，C
L
= 100pF的（ -15VL ， -15VLL ， ）
C
L
= 30pF的（ -70VL ， -10VL ， 12VL ， -70VLL ， -10VLL ， 12VLL ）
C
L
= 5pF的（对于T
en
,t
DIS
)
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （对于T
en
,t
DIS
)
DQ
C
L
INCLUDING
范围，夹具
1TTL
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a(A)
t
a(S1)
t
a(S2)
t
一个（OE）
t
dis(S1)
t
dis(S2)
t
DIS （ OE ）
t
en(S1)
t
en(S2)
t
EN（ OE ）
t
V（A）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
输出启用访问时间
之后一下输出禁止时间
1
高
之后一下输出禁止时间
2
低
OE高后输出禁止时间
之后一下输出使能时间
1
低
之后一下输出使能时间
2
高
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
-70VL,VLL
民
最大
70
70
70
70
35
25
25
25
10
10
5
10
10
10
5
10
-10VL,VLL
民
最大
100
100
100
100
50
35
35
35
10
10
5
10
-12VL,VLL
民
最大
120
120
120
120
60
40
40
40
10
10
5
10
-15VL,VLL
民
最大
150
150
150
150
75
50
50
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
范围
符号
t
CW
t
w(W)
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
su(S1)
t
su(S2)
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ W）
t
EN（ OE ）
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
-70VL,VLL
民
最大
70
55
0
65
65
65
30
0
0
25
25
5
5
5
5
-10VL,VLL
民
最大
100
75
0
85
85
85
40
0
0
35
35
5
5
-12VL,VLL
民
最大
120
85
0
100
100
100
45
0
0
40
40
5
5
-15VL,VLL
民
最大
150
100
0
120
120
120
50
0
0
50
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
三菱
电
1997-1/21
三菱的LSI
M5M51008BFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -70VL ， -10VL ， -12VL ， -15VL ，
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
（ 4 ）时序图
读周期
t
CR
A
0~16
t
a(A)
t
V（A）
t
一（S1）
S
1
（注3）
（注3）
t
DIS （ S1 ）
S
2
（注3）
t
一个（S2）的
t
一个（OE）
t
EN（ OE ）
t
DIS （ S2 ）
（注3）
OE
（注3）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ S1 ）
t
EN（ S2 ）
（注3）
DQ
1~8
W = "H"水平
数据有效
写循环（W控制模式）
t
CW
A
0~16
t
SU（ S1 ）
S
1
（注3）
（注3）
S
2
（注3）
t
SU（ S2 ）
（注3）
t
SU（ A- WH ）
OE
t
SU（ A）
W
t
w (W)
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
DQ
1~8
t
EN（ W）
DATA IN
稳定
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
EN（ OE ）
5
三菱
电
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MLB-201209-0600PN
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MTPS8085FT
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    M5M51008BVP-70VLL
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