1997-3/25
三菱的LSI
M5M51008BP ， FP ，副总裁， RV ， KV ， KR -55L ， -70L ， -10L ，
-55LL,-70LL,-10LL
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M51008BP ， FP ，副总裁， RV ， KV ， KR是1048576位CMOS
静态RAM的8位被组织为131072字
采用高性能的三层多晶硅CMOS制造
技术。使用阻性负载NMOS细胞和CMOS的
周边结果中的高密度和低功率的静态RAM 。
它们是低待机电流和低工作电流和理想
对于电池备份应用程序。
该M5M51008BVP ， RV ， KV ， KR封装在一个32引脚薄型
小外形封装是一种高可靠性，高密度
表面贴装器件（SMD ） 。二类型的设备是可用的。
副总裁， KV （正常引脚弯曲型封装） ， RV ， KR （反向弯曲铅
式封装） 。使用这两种类型的设备，它变得非常容易
设计一个印刷电路板。
引脚配置（顶视图）
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
32
31
30
29
28
6
7
8
9
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
地址
输入
特点
电源电流
型号名称
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-55L
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-70L
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-10L
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-55LL
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-70LL
M5M51008BP,FP,VP,RV,KV,KR-10LL
存取时间
（最大）
活跃
(1MHz)
（最大）
待用
（最大）
数据
输入/
输出
55ns
70ns
100ns
55ns
70ns
100ns
A
2 10
A
1 11
A
0 12
DQ
1 13
DQ
2 14
DQ
3 15
GND
16
V
CC
地址
A
15
输入
S
2片选
输入
W
写控制
输入
A
13
A
8
地址
输入
A
9
A
11
OE
OUTPUT ENABLE
输入
A
10
地址
输入
S
1芯片选择
输入
DQ
8
DQ
7
DQ
6
数据
输入/
M5M51008BP,FP
DQ
5
输出
DQ
4
15mA
100A
(Vcc=5.5V)
大纲32P4 （P ） ， 32P2M -A （ FP ）
A
11
A
9
A
8
A
13
W
S
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
20A
15mA
(Vcc=5.5V)
0.3A
(Vcc=3.0V,typ)
OE
A
10
S
1
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
GND
DQ
3
DQ
2
DQ
1
A
0
A
1
A
2
A
3
+ 5V单电源供电
低待机电流0.3μA （ TYP。）
直接TTL兼容：所有输入和输出
易内存扩展，并用S断电
1
,S
2
在+ 2V电源数据保持
三态输出： OR - 领带能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
包
M5M51008BP
············
32引脚600mil DIP
M5M51008BFP
············
32引脚525mil SOP
M5M51008BVP,RV
············
32引脚8 ×20mm的
2
TSOP
M5M51008BKV,KR
············
32引脚8× 13.4毫米
2
TSOP
M5M51008BVP,KV
25
24
23
22
21
20
19
18
17
应用
小容量的存储单元
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
S
2
W
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
概述32P3H -E （ VP） ， 32P3K -B （ KV ）
17
18
19
20
21
22
23
M5M51008BRV,KR
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
S
1
A
10
OE
概述32P3H -F （ RV ） ， 32P3K -C （ KR ）
NC ：无连接
1
三菱
电
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