SDRAM （ Rev.0.2 ）
Jan'97
初步
三菱的LSI
M5M4V64S20ATP -8 ，-10， -12
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
初步
有些内容如有变更，恕不另行通知。
描述
该M5M4V64S20ATP是4 X银行4194304字×4位
同步DRAM ，与LVTTL接口。所有的输入和
输出被引用到CLK的上升沿。该
M5M4V64S20ATP实现了非常高速的数据传输速率可达
125MHz的，并适用于主存储器或图形存储器
在计算机系统中。
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSS
NC （VREF ）
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
特点
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 时钟频率为125MHz / 100MHz的/ 83MHz的
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4个银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/4/8 （可编程）
- 突发类型 - 顺序/交错（可编程）
- 列存取 - 随机
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动刷新和自刷新
- 4096刷新周期/ 64ms的
- 列地址A0 -A9
- LVTTL接口
- 400万， 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）与
0.8毫米引线间距
马克斯。
频率
M5M4V64S20ATP-8
M5M4V64S20ATP-10
M5M4V64S20ATP-12
125MHz
100MHz
83MHz
CLK访问
时间
6ns
8ns
8ns
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-3
DQM
A0-11
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
：输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
400mil 54pin TSOP （II）的
三菱电机
1
SDRAM （ Rev.0.2 ）
Jan'97
初步
三菱的LSI
M5M4V64S20ATP -8 ，-10， -12
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
框图
DQ0-7(0-3)
I / O缓冲器
内存阵列内存阵列内存阵列内存阵列
银行＃ 0
银行＃ 1
银行＃ 2
银行＃ 3
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-11 BA0,1
/ CS / RAS / CAS / WE DQM
CLK
CKE
型号代码
此规则仅应用于同步DRAM的家庭。
M 5M 4 V 64号第3 0 A TP - 8
周期时间8 （分钟） ：为8ns ， 10：为10ns ， 12：为12ns
封装类型TP ： TSOP （ II ）
程世代
功能0 ：随机列， 1 ： 2N -规则
组织的2n 2： 4倍，3： ×8 ，4： x16的
同步DRAM
密度64 ： 64M位
接口S： SSTL ，V ： LVTTL
内存式（ DRAM ）
使用，推荐工作条件等
三菱主名称
三菱电机
2
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三菱的LSI
M5M4V64S20ATP -8 ，-10， -12
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
引脚功能
CLK
输入
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低，内部时钟
对于下一个周期就停止。 CKE也可以用来选择自动/自
刷新。之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步
输入。只要CKE是低自刷新保持。
芯片选择：当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-11与BA0,1一起指定行/列地址。该
行地址由A0-11规定。该列地址被指定
A0-9 （ X4 ） ， A0-8 （ X8 ） 。 A10也被用于指示预充电选项。当
A10是高在一个读/写命令时，自动预充电被执行。
当A10为高电平时预充电命令，所有银行都预充电。
银行地址： BA0,1指定四家银行之一，它的命令是
应用。 BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
嚣面膜/输出禁止：当DQM是高突发写入，DIN为
当前周期被屏蔽。当DQM是高突发读取， Dout为禁用
在下一但一个周期。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-11
输入
BA0,1
DQ0-7 （0-3）
DQM
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入/输出
输入
电源
电源
三菱电机
3
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三菱的LSI
M5M4V64S20ATP -8 ，-10， -12
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
基本功能
该M5M4V64S20ATP提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，银行（行）
预充电和自动/自刷新。
每一个命令是由/ RAS ， / CAS控制信号在CLK上升沿定义和/ WE 。除了3
信号/ CS ， CKE和A10被用作芯片选择，刷新选项，和预充电的选项，分别。
要知道命令的详细定义，请参见命令真值表。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一个输出数据出现后，
/ CAS延迟。当A10 = H在此命令中，该行正在读破灭后关闭（自动预充电，
READA ） 。
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据长度被写入是
由突发长度设置。当A10 = H在此命令中，银行突发写入（后自动被停用
预充电，
WRITEA ） 。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还可以终止突发读取/
写操作。当A10 = H在此命令中，两家银行被停用（全部预充电，
PREA ） 。
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行地址生成接口
应受。该命令后，银行会自动预充电。
三菱电机
4
SDRAM （ Rev.0.2 ）
Jan'97
初步
三菱的LSI
M5M4V64S20ATP -8 ，-10， -12
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
命令真值表
命令
DESELECT
无操作
行地址输入&
银行激活
单个组预充电
预充电所有银行
列地址条目
＆放大器;写
列地址条目
&写有汽车式
预充电
列地址条目
＆放大器;读
列地址条目
&阅读与自动 -
预充电
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
BURST TERMINATE
模式寄存器设置
READA
REFA
REFS
REFSX
TERM
太太
H
H
H
L
L
H
H
X
H
L
H
H
X
X
L
L
L
H
L
L
L
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
X
H
H
L
H
H
H
X
H
L
L
V
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
L
V
X
X
X
X
X
V*1
助记符
DESEL
NOP
法案
PRE
PREA
写
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
CKE
n
X
X
X
X
X
X
/ CS
H
L
L
L
L
L
/ RAS / CAS
X
H
L
L
L
H
X
H
H
H
H
L
/ WE
X
H
H
L
L
L
BA0,1
X
X
V
V
X
V
A11
X
X
V
X
X
X
A10
X
X
V
L
H
L
A0-9
X
X
V
X
X
V
WRITEA
H
X
L
H
L
L
V
X
H
V
读
H
X
L
H
L
H
V
X
L
V
H =高电平， L =低的水平， V =有效， X =无所谓， N = CLK周期数
注意：
1. A7 -A9 = 0 ， A0 - A6 =模式地址
三菱电机
5
三菱的LSI
SDRAM （ Rev.1.3 ）
Mar98
M5M4V64S20ATP -8A ， -8L ， -8 ， -10L ， -10
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
有些内容如有变更，恕不另行通知。
描述
该M5M4V64S20ATP是4 X银行4194304字×4位
同步DRAM ，与LVTTL接口。所有的输入和
输出被引用到CLK的上升沿。该
M5M4V64S20ATP实现了非常高速的数据传输速率可达
125MHz的，并适用于主存储器或图形存储器
在计算机系统中。
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
特点
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 时钟频率为125MHz / 100MHz的
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4个银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 /全页（可编程）
- 突发类型 - 顺序/交错（可编程）
- 列存取 - 随机
- 突发写入/单个写（可编程）
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动刷新和自刷新
- 4096刷新周期/ 64ms的
- 列地址A0 -A9
- LVTTL接口
- 400万， 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）与
0.8毫米引线间距
马克斯。
频率
M5M4V64S30ATP-8A
M5M4V64S30ATP-8
M5M4V64S30ATP-10
125MHz
100MHz
100MHz
CLK访问
时间
6ns
6ns
8ns
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-3
DQM
A0-11
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
：输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
400mil 54pin TSOP （II）的
三菱电机
1
三菱的LSI
SDRAM （ Rev.1.3 ）
Mar98
M5M4V64S20ATP -8A ， -8L ， -8 ， -10L ， -10
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
DQ0-3
框图
I / O缓冲器
内存阵列内存阵列内存阵列内存阵列
银行＃ 0
银行＃ 1
银行＃ 2
银行＃ 3
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-11 BA0,1
/ CS / RAS / CAS / WE DQM
CLK
CKE
型号代码
此规则仅应用于同步DRAM的家庭。
M 5M 4 V 64 S 2 0 A TP - 8
访问项目
封装类型TP ： TSOP （ II ）
程世代
功能0 ：随机列， 1 ： 2N -规则
组织的2n 2： 4倍，3： ×8 ，4： x16的
同步DRAM
密度64 ： 64M位
接口S： SSTL ，V ： LVTTL
内存式（ DRAM ）
使用，推荐工作条件等
三菱主名称
三菱电机
2
三菱的LSI
SDRAM （ Rev.1.3 ）
Mar98
M5M4V64S20ATP -8A ， -8L ， -8 ， -10L ， -10
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
引脚功能
CLK
输入
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE为低，内部时钟
对于下一个周期就停止。 CKE也可以用来选择自动/自
刷新。之后，开始自刷新模式时， CKE变成异步
输入。只要CKE是低自刷新保持。
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
芯片选择：当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-11与BA0,1一起指定行/列地址。该
行地址由A0-11规定。该列地址被指定
A0-9 。 A10也被用于指示预充电选项。当
A10是高在一个读/写命令时，自动预充电被执行。
当A10为高电平时预充电命令，所有银行都预充电。
BA0,1
DQ0-3
DQM
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入
输入/输出
输入
电源
电源
银行地址： BA0,1指定四家银行之一，它的命令是
应用。 BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
嚣面膜/输出禁止：当DQM是高突发写入，DIN为
当前周期被屏蔽。当DQM是高突发读取，
Dout的下一个，但一个周期禁用。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
CKE
输入
A0-11
输入
三菱电机
3
三菱的LSI
SDRAM （ Rev.1.3 ）
Mar98
M5M4V64S20ATP -8A ， -8L ， -8 ， -10L ， -10
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
基本功能
该M5M4V64S20ATP提供了基本的功能，银行（行）激活，突发读取/写入，银行（行）
预充电和自动/自刷新。
每一个命令是由/ RAS ， / CAS控制信号在CLK上升沿定义和/ WE 。除了3
信号/ CS ， CKE和A10被用作芯片选择，刷新选项，和预充电的选项，分别。
要知道命令的详细定义，请参见命令真值表。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一个输出数据出现后，
/ CAS延迟。当A10 = H在此命令中，该行正在读破灭后关闭（自动预充电，
READA ） 。
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据长度被写入是
由突发长度设置。当A10 = H在此命令中，银行突发写入（后自动被停用
预充电，
WRITEA ） 。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还可以终止突发读取/
写操作。当A10 = H在此命令中，两家银行被停用（全部预充电，
PREA ） 。
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行地址生成接口
应受。该命令后，银行会自动预充电。
三菱电机
4
三菱的LSI
SDRAM （ Rev.1.3 ）
Mar98
M5M4V64S20ATP -8A ， -8L ， -8 ， -10L ， -10
64M （ 4 - X银行4194304 -字×4位）同步DRAM
命令真值表
命令
DESELECT
无操作
行地址输入&
银行激活
单个组预充电
预充电所有银行
列地址条目
＆放大器;写
列地址条目
&写有汽车式
预充电
列地址条目
＆放大器;读
列地址条目
&阅读与自动 -
预充电
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
BURST TERMINATE
模式寄存器设置
助记符
DESEL
NOP
法案
PRE
PREA
写
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
CKE
n
X
X
X
X
X
X
/ CS
H
L
L
L
L
L
/ RAS / CAS
X
H
L
L
L
H
X
H
H
H
H
L
/ WE
X
H
H
L
L
L
BA0,1
X
X
V
V
X
V
A11
X
X
V
X
X
X
A10
X
X
V
L
H
L
A0-9
X
X
V
X
X
V
WRITEA
H
X
L
H
L
L
V
X
H
V
读
H
X
L
H
L
H
V
X
L
V
READA
REFA
REFS
REFSX
TBST
太太
H
H
H
L
L
H
H
X
H
L
H
H
X
X
L
L
L
H
L
L
L
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
X
H
H
L
H
H
H
X
H
L
L
V
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
L
V
X
X
X
X
X
V*1
H =高电平， L =低的水平， V =有效， X =无所谓， N = CLK周期数
注意：
1. A7 -A9 = 0 ， A0 - A6 =模式地址
三菱电机
5
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