SDRAM （修订版0.3 ）
三菱的LSI
二月'97
初步
M5M4V4S40CTP -12， -15
4M （ 2 - X银行131072 -字×16位）同步DRAM
初步
有些内容是针对一般产品说明
并随时更改，恕不另行通知。
描述
该M5M4V4S40CTP是2 X银行131,072字×16位
同步DRAM ，与LVTTL接口。所有的输入和
输出被引用到CLK的上升沿。该
M5M4V4S40CTP实现了非常高速的数据传输率高达
83MHz的，并适用于主存储器或图形存储器
在计算机系统中。
VDD
DQ0
DQ1
VSSQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
VSSQ
DQ6
DQ7
VDDQ
DQML
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA
A8
A0
A1
A2
A3
VDD
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VSS
DQ15
DQ14
VSSQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
VSSQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
DQMU
CLK
CKE
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
VSS
特点
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 时钟频率83MHz的/ 67MHz
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA控制的双行操作（银行地址）
- / CAS延时： 1/2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 / FP （可编程）
- 顺序和交错爆裂（可编程）
- 通过DQMU和DQML字节控制
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电由A8控制
- 自动和自刷新
- 1024刷新周期/16.4ms
CLK
- LVTTL接口
CKE
- 400万， 50针薄型小尺寸封装
/ CS
（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
/ RAS
马克斯。
频率
M5M4V4S40CTP-12
M5M4V4S40CTP-15
83MHz
67MHz
CLK访问
时间
8ns
9ns
/ CAS
/ WE
DQ0-15
DQMU
DQML
A0-8
BA
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
：上输出禁用/写屏蔽
：低输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
400mil 50PIN TSOP （II）的
三菱电机
1
SDRAM （修订版0.3 ）
三菱的LSI
二月'97
初步
M5M4V4S40CTP -12， -15
4M （ 2 - X银行131072 -字×16位）同步DRAM
框图
DQ0-15
I / O缓冲器
存储阵列
银行＃ 0
存储阵列
银行＃ 1
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-8
BA
/ CS / RAS / CAS / WE
DQML DQMU
CLK
CKE
型号代码
这些规则只适用于同步DRAM家族。
M 5M 4 V 4 S 4 0℃ TP - 12
周期时间（min 。 ） 12：为12ns ， 15： 15ns的
封装类型TP ： TSOP （ II ）
程世代
功能0 ：随机列， 1 ： 2N -规则
组织2 N 4 ： X16
同步DRAM
密度4 ： 4M位
接口V ： LVTTL
内存式（ DRAM ）
使用，推荐工作条件等
三菱主名称
三菱电机
2
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三菱的LSI
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M5M4V4S40CTP -12， -15
4M （ 2 - X银行131072 -字×16位）同步DRAM
引脚功能
CLK
输入
主时钟：所有其他输入参考CLK的上升沿。
时钟使能： CKE控制的内部时钟。当CKE是低电平时，
对于下一个周期的内部时钟被禁止。 CKE也可以用来选择
汽车和自刷新。之后，开始自刷新模式中， CKE充当
异步输入保持和退出模式。
芯片选择：当/ CS为高电平时，所有的命令都被禁止。
/ RAS ， / CAS ，和/ WE用来定义基本命令。
A0-8所选择的银行中指定的行和列地址。
该行地址是通过A0-8设置和列地址被A0-7设置。
A8也被用来指示在预充电的选项。当A8是在高
读或写命令时，自动预充电被执行。当A8是
预充电命令在高，两家银行预充电。
银行地址： BA不是简单的A9 。 BA指定银行一名
命令应用。 BA必须在ACT ， PRE ，请阅读过程中进行设置，
和写入命令。
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
下部DIN （ 0-7 ）面膜;较低的Dout （ 0-7 ）禁用;当DQML高
在猝发写Din的（0-7 ），用于在当前周期被屏蔽。当DQML
被爆在高速读取Dout的（ 0-7 ）被禁用两个周期后。
上DIN（ 8-15 ）面膜;上面的Dout （ 8-15 ）禁用;当DQMU高
在突发写入DIN（ 8-15 ）在当前的周期被屏蔽。当DQMU
被爆在高速读取的Dout （ 8-15 ）被禁用两个周期后。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
电源只输出缓冲器。
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-8
输入
BA
输入
DQ0-15
输入/输出
DQML
输入
DQMU
输入
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
电源
电源
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3
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M5M4V4S40CTP -12， -15
4M （ 2 - X银行131072 -字×16位）同步DRAM
基本功能
该M5M4V4S40CTP具有以下基本功能，银行（行）激活，突发读取/写入，银行
（行）预充电和自动/自刷新。各命令由控制信号（ / RAS ， / CAS和定义
/ WE）在CLK的上升沿。输入/ CS ， CKE和A8是用于芯片选择，刷新选项，并
预充电的选项，分别。
请参阅命令真值表进行详细定义。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A8
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@refresh命令
预充电选@precharge或读/写命令
定义基本命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
在ACT命令激活一排闲置的银行。该行地址， BA ，用于选择其中
两家银行将被激活。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。所述第一输出数据
后/ CAS延迟出现。如果A8 = READ时发出后，银行会自动预充电
读到最后爆（ READA ） 。
注： READA无效FP爆作业。
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据长度为
笔试由突发长度设置。如果A8 =时发出写H的银行会自动预充电
在最后一个突发写入（ WRITEA ） 。
注： WRITEA无效FP爆作业。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
前命令停用由BA表示活动的银行。该命令还可以终止与爆
读取和写入操作。如果A8地= H时， PRE发出两个银行自动预充电（ PREA ） 。
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
该REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址，包括银行地址，是
内部产生。该命令后，银行会自动预充电。
三菱电机
4
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M5M4V4S40CTP -12， -15
4M （ 2 - X银行131072 -字×16位）同步DRAM
命令真值表
命令
DESELECT
无操作
行地址输入&
银行激活
单个组预充电
预充电所有银行
列地址条目
＆放大器;写
列地址条目
&写有汽车式
预充电
列地址条目
＆放大器;读
列地址条目
&阅读与自动 -
预充电
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
BURST TERMINATE
模式寄存器设置
助记符
DESEL
NOP
法案
PRE
PREA
写
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
CKE
n
X
X
X
X
X
X
/ CS
H
L
L
L
L
L
/ RAS
X
H
L
L
L
H
/ CAS
X
H
H
H
H
L
/ WE
X
H
H
L
L
L
BA
X
X
V
V
X
V
A8
X
X
V
L
H
L
A0-7
X
X
V
X
X
V
WRITEA
H
X
L
H
L
L
V
H
V
读
H
X
L
H
L
H
V
L
V
READA
REFA
REFS
REFSX
TBST
太太
H
H
H
L
L
H
H
X
H
L
H
H
X
X
L
L
L
H
L
L
L
H
L
L
X
H
H
L
L
L
L
X
H
H
L
H
H
H
X
H
L
L
V
X
X
X
X
X
V
H
X
X
X
X
X
L
V
X
X
X
X
X
V*1
H =高电平， L =低的水平， V =有效， X =无所谓， N = CLK周期数
注意：
1. A7 = 0 ， A0 - A6 =模式地址
三菱电机
5
QQ：2881677436 复制
