【三菱LSIsLSIs三菱M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7SM5M4V4405CJ】,IC型号M5M4V4405CJ-6,M5M4V4405CJ-6 PDF资料,M5M4V4405CJ-6经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱LSIsLSIs

三菱

M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S

EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD由4位），动态RAM

EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位），动态RAM

描述

这是由4位动态随机存取存储器一族1048576字，

制造具有高性能的CMOS工艺制造，并且是理想

对于大容量的存储器系统，其中高速，低功率

耗散和低的成本是必要的。

采用四层多晶硅工艺的结合

硅化物技术和单晶体管动态存储堆叠

电容器电池提供高的电路密度，同时降低成本。

复用地址输入允许既减少了引脚和

增加系统的密度。

自己或延长刷新电流为电池足够低

备份应用程序。

引脚配置（顶视图）

DQ

1

DQ

2

W 3

RAS 4

A

9

5

26 V

SS

25 DQ

4

24 DQ

3

23 CAS

22 OE

特点

型号名称

M5M4V4405CXX -6， -6S

M5M4V4405CXX -7， -7S

A

0

9

RAS

CAS OE地址

循环发电

耗散

访问访问访问访问

化

时间

（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ min.ns ）（ typ.mW ）

A

1

10

A

2

11

A

3

12

V

CC

13

18 A

8

17 A

7

16 A

6

15 A

5

14 A

4

60

70

15

20

30

35

15

20

110

130

264

231

XX = j的， TP

标准的26引脚SOJ ， 26引脚TSOP （ II ）

单3.3V ± 0.3V电源

低待机功耗

CMOS lnput水平............................................... ..1.8mW （最大） *

CMOS lnput水平............................................... .180μW （最大）

低工作功耗

M5M4V4405Cxx - 6 ， -6S ..................................... 288.0mW （最大）

M5M4V4405Cxx - 7 ， -7S .................................... 252.0mW （最大）

自刷新capabiility

*

自刷新电流100μA .............................................. （最大）

扩展刷新功能

*

扩展刷新当前.................................... 100μA （最大值）

超页模式（ 1024位随机访问），读 - 修改 - 写，

RAS-只刷新CAS RAS刷新之前，隐藏刷新， CBR

自刷新（ -6S ， -7S ）的能力。

早期的读写模式与OE和W来控制输出缓冲器阻抗

1024刷新周期每16.4ms （A

0

~A

9

)

1024refresh周期every128ms （A

0

~A

9

)

*

*：适用于自刷新版本（ M5M4V4405Cxx - 6S ， -7S ：

选项）只

大纲26P0J （ 300MIL SOJ ）

DQ

1

DQ

2

W 3

RAS 4

A

9

5

26 V

SS

25 DQ

4

24 DQ

3

23 CAS

22 OE

A

0

9

A

1

10

A

2

11

A

3

12

V

CC

13

18 A

8

17 A

7

16 A

6

15 A

5

14 A

4

应用

膝上型个人电脑，固态盘，微电脑

内存，内存刷新为CRT

概述26P3Z -E （ 300MIL TSOP ）

引脚说明

引脚名称

A

0

~A

9

DQ

1

-DQ

4

RAS

CAS

W

OE

V

CC

V

SS

功能

地址输入

数据输入/输出

行地址选通输入

列地址选通输入

写控制输入

输出使能输入

电源（ + 3.3V ）

地（ 0V ）

1

三菱的LSI

M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S

EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM

功能

除了正常的读，写和读 - 修改 - 写操作

该M5M4V4405CJ ，TP提供的若干其他功能，例如

超页模式， RAS只刷新和延迟写。输入

对于每个条件示于表1中。

表1输入条件为每个模式

输入

手术

RAS

读

写（早期写）

写（延迟写入）

读 - 修改 - 写

RAS -ONLY刷新

隐藏刷新

CAS前RAS刷新

自刷新

*

待用

法案

NAC

CAS

法案

NAC

法案

DNC

W

NAC

法案

DNC

NAC

DNC

OE

法案

DNC

NAC

法案

DNC

法案

DNC

行列

地址地址

APD

DNC

APD

AP

D

APD

DNC

输入/输出

刷新

输入

OPN

APD

DNC

OPN

DNC

产量

VLD

OPN

IVD

VLD

OPN

VLD

OPN

是的

NO

超级

页面

模式

相同

备注

注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开

框图

列地址

选通输入CAS

行地址RAS

选通输入

写控制

输入

W

A

0

~ A

9

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

V

CC

(3.3V)

时钟发生器

电路

V

SS

(0V)

列解码器

(4)

DATA IN

缓冲器

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

(4)

数据输出

缓冲器

产量

OE启用

输入

数据

输入/

输出

地址输入

ROW &

COLUMN

地址

卜FF器

ROW

A

0

~

A

9

解码器

SENSE刷新

放大器& I / O控制

记忆细胞

（ 4,194,304位）

2

三菱的LSI

M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S

EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM

绝对最大额定值

符号

V

CC

V

I

V

O

I

O

P

d

T

OPR

T

英镑

参数

电源电压

输入电压

输出电压

输出电流

功耗

工作温度

储存温度

条件

相到V

SS

评级

-0.5 ~ 4.6

50

1000

0 ~ 70

-65 ~ 150

单位

V

mA

mW

C

Ta=25

C

推荐工作条件

例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）

符号

V

CC

V

SS

V

IH

V

IL

参数

电源电压

高层次的输入电压时，所有的输入

DQ

1

-DQ

4

低电平输入电压

OTHERS

民

3.0

0

2.0

-0.3

范围

喃

3.3

0

最大

3.6

0

V

CC

+0.3

（注1 ）

单位

V

0.8

注1：所有电压值都是相对于V

SS.

电气特性

（大= 0 70 ° C，V

CC

= 3.3V ± 0.3V ， VS

S=

0V，除非另有说明）

符号

V

OH

V

OL

I

OZ

I

CC1 （ AV ）

参数

高电平输出电压

低电平输出电压

关态输出电流

输入电流

平均电源电流

从V

CC

操作

（注3,4,5）

从Vc的电源电流

C ,

待用

（注6 ）

平均电源电流

从V

CC

凉爽

（注3,5）

平均电源电流

从V

CC

超页模式

（注3,4,5）

平均电源电流

从V

CC,

CAS前

RAS刷新模式

（注3）

M5M4V4405C-6,-6S

（注2 ）

测试条件

I

OH

=-2mA

I

OL

=2mA

Q浮动， 0V≤V

OUT

≤V

CC

0V≤V

IN

≤V

CC

+ 0.3V ，其他输入引脚= 0V

民

2.4

0

-5

范围

典型值

最大

VCC

0.4

5

80

单位

V

A

mA

RAS ， CAS骑自行车

t

RC

=t

WC

=最小值。

M5M4V4405C-7,-7S

输出开路

RAS CAS = = V

IH

，输出开路

M5M4V4405C

M5M4V4405C(S)

70

2

0.5

0.05

80

mA

70

80

70

mA

60

mA

*

I

CC2 （ AV ）

RAS CAS = = V

CC

-0.2V

输出开路

mA

M5M4V4405C-6,-6S

RAS骑自行车， CAS = V

IH

I

CC3 （ AV ）

t

RC

=最小值。

M5M4V4405C-7,-7S

输出开路

M5M4V4405C-6,-6S

RAS = V

IL

中国科学院自行车

I

CC4(AV)

t

PC

=最小值。

M5M4V4405C-7,-7S

输出开路

M5M4V4405C-6,-6S

CAS前RAS刷新单车

I

CC6(AV)

t

RC

=最小值。

M5M4V4405C-7,-7S

输出开路

RAS骑自行车CAS≤0.2V或CAS

RAS刷新单车前

RAS≤0.2V或

≥V

CC

-0.2V

CAS≤0.2V或

≥V

CC

-0.2V

W≤0.2V （除RAS下降

边）或

≥V

CC

-0.2V

OE≤0.2V或

≥V

CC

-0.2V

A

0

~A

9

≤0.2V

or≥V

CC

-0.2V

DQ =开

t

RC

= 125微秒，T

RAS

=t

RAS

民

~1s

RAS=CAS≤0.2V

输出开路

I

CC8(AV)*

平均电源电流

从V

CC

扩展的刷新周期

100

A

（注6 ）

I

CC9(AV)*

平均电源电流

从V

CC

自更新周期（注6 ）

M5M4V4405C(S)

100

A

3

注2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。

3: I

CC1 （ AV ）

, I

CC3 （ AV ）

, I

CC4 （ AV ）

我

CC6 （ AV ）

依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。

4: I

CC1 （ AV ）

我

CC4 （ AV ）

依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。

5 ：列ADDRES可以一次或更少的改变，而RAS = V

IL

和CAS = V

IH

.

三菱的LSI

M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S

EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM

电容

（大= 0 70 ° C，V

CC

= 3.3V ± 0.3V ， Vss的

=

0V，除非另有说明）

符号

C

I（A ）

C

我（CLK）

C

I / O

参数

输入电容，输入地址

输入电容，时钟输入

输入/输出电容，数据端口

测试条件

V

I

=V

SS

f=1MHz

V

I

=25mVrms

民

范围

典型值

最大

5

7

单位

pF

开关特性

（大= 0 70 ° C，V

CC

= 3.3V ± 0.3V ， Vss的

=

0V，除非另有说明，注释6,14,15 ）

符号

t

CAC

t

RAC

t

AA

t

注册会计师

t

OEA

t

OHC

t

高级代表办事处

t

CLZ

t

OEZ

t

WEZ

t

关闭

t

苏亚雷斯

参数

从CAS访问时间

从RAS访问时间

列地址访问时间

从CAS预充电时间访问

从OE访问时间

从CAS输出保持时间

从RAS输出保持时间

中国科学院低输出低阻抗时间

OE高后输出禁止时间

输出禁止时间后，我们低

经过CAS高输出禁止时间

经过RAS高输出禁止时间

（注7,8）

（注7,9 ）

（注7,10 ）

（注7,11 ）

（注7 ）

（注13 ）

（注7 ）

（注12 ）

（注12,13 ）

5

15

范围

@

M5M4V4405C-6,-6S

M5M4V4405C-7,-7S

单位

ns

民

最大

15

60

30

33

15

民

最大

20

70

35

38

20

5

20

注6 ：为200ps的初始暂停要求后至少8初始化周期电后（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前

周期）埃

D@@@@@@@@@@@@@ @

需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和八个初始化周期需要较长时间后（大于

t

REF （最大）

）的

器件正常工作之前， RAS活动得以实现。

7 ：测量用相当于100pF电容，V负载电路

OH

=2.4V(I

OH

= -2mA ）和V

OL

=0.4V(I

OL

=2mA).

参考电平，用于测量输出信号是2.0V （Ⅴ

OH

）和0.8V （V

OL

).

8 ：假设

t

RCD

≥

t

RCD （最大）

和

t

ASC

≥

t

ASC （最大）

和

t

CP

≥

t

CP（ MAX）的

.

9 ：假设

t

RCD

≤

t

RCD （最大）

和

t

拉德

≤

t

RAD （最大值）

。如果

t

RCD

or

t

拉德

大于该表中所示的最大推荐值

t

RAC

将

通过量增加了

t

RCD

超出显示的值。

10 ：假设

t

拉德

≥

t

RAD （最大值）

和

t

ASC

≤

t

ASC （最大）

.

11 ：假设

t

CP

≤

t

CP（ MAX）的

和

t

ASC

≥

t

ASC （最大）

.

12:

t

OEZ （最大）

,

t

WEZ （最大）

,

t

关（ MAX）的

和

t

REZ （最大）

限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（

I

OUT

≤

|

±10A

|)

并

不能引用到V

OH （分钟）

或V

OL （最大）

.

13 ：输出被禁用后，双方RAS和CAS去高。

4

三菱的LSI

M5M4V4405CJ,TP-6,-7,-6S,-7S

EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 1048576 - WORD 4位）动态RAM

时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新，超页模式周期）

（大= 0 70 ° C，V

CC

= 3.3V±0.3V, V

SS

= 0V时，除非另有说明，参见注释14,15）

范围

符号

t

REF

t

REF

t

RP

t

RCD

t

CRP

t

RPC

t

CPN

t

拉德

t

ASR

t

ASC

t

RAH

t

CAH

t

DZC

t

DZO

t

RDD

t

CDD

t

ODD

t

T

参数

刷新周期时间

*

RAS高脉冲宽度

延迟时间， RAS低到CAS低

延迟时间CAS高到RAS低

延迟时间，高RAS到CAS低

CAS高脉冲宽度

从RAS低列地址的延迟时间

RAS低前行地址建立时间

CAS前低列地址建立时间

后RAS低行地址保持时间

经过CAS低列地址保持时间

延迟时间，数据CAS低

延迟时间，数据到OE低

延迟时间， RAS高到数据

延迟时间，中国科学院高数据

延迟时间， OE高到数据

转换时间

M5M4V4405C-6,-6S

M5M4V4405C-7,-7S

单位

ms

ns

民

最大

16.4

128

民

最大

16.4

128

50

（注16 ）

（注17 ）

（注18 ）

（注19 ）

（注20 ）

（注21 ）

40

20

5

0

10

15

0

10

0

15

1

50

45

20

5

0

13

15

0

10

0

20

1

30

13

35

13

50

注14：时序要求被假定

t

T

=2ns.

@

15: V

IH（分钟）

和V

白细胞介素（最大）

是参考电平，用于测量输入信号的定时。

@

16:

t

RCD （最大）

被指定为唯一的一个参考点。如果

t

RCD

小于

t

RCD （最大

),

访问时间是

t

RAC

.

If

t

RCD

大于

t

RCD （最大

),

访问时间是

完全由控制

t

CAC

or

t

AA.

@

17:

t

RAD （最大值）

被指定为唯一的一个参考点。如果

t

拉德

≥

t

RAD （最大值）

和

t

ASC

≤

t

ASC （最大）

,

存取时间为t独占控制

AA

.

@

18: t

ASC （最大）

被指定为唯一的一个参考点。如果

t

RCD

≥

t

RCD （最大）

和

t

ASC

≥

t

ASC （最大）

,

存取时间由专门受控

t

CAC

.

@

19 ：要么

t

DZC

or

t

DZO

必须得到满足。

@

20 ：要么

t

RDD

or

t

CDD

or

t

ODD

必须得到满足。

@

21:

t

T

V的测量

IH（分钟）

和V

白细胞介素（最大值）。

阅读和更新周期

范围

符号

t

RC

t

RAS

t

CAS

t

CSH

t

RSH

t

RCS

t

RCH

t

RRH

t

拉尔

t

CAL

t

ORH

t

OCH

读周期时间

参数

M5M4V4405C-6,-6S

M5M4V4405C-7,-7S

单位

ns

RAS的低脉冲宽度

CAS低脉冲宽度

CAS RAS低后保持时间

RAS CAS低后保持时间

阅读设置时间CAS前低

阅读CAS高后保持时间

阅读RAS高后保持时间

列地址到RAS保持时间

列地址到CAS保持时间

OE后低RAS保持时间

OE后低CAS保持时间

注22 ：要么

t

RCH

or

t

RRH

必须满足一个读周期。

（注22 ）

民

110

60

10

48

15

0

30

18

15

最大

10000

民

130

70

13

55

20

0

35

23

20

最大

10000

5