三菱的LSI
三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
描述
这是由16位动态RAM与EDO一个家庭的262144字
模式机能的研究，制造的高性能CMOS
过程中，是理想的个人缓冲存储器系统
计算机图形和HDD ，其中高速，低功率
耗散和低的成本是必要的。采用双层的
金属化的工艺技术和单晶体管动态
存储堆叠的电容器单元提供电路密度高的
降低了成本。在较低的电源电压（3.3V ）操作时，由于
晶体管结构的最优化，具有低功耗
同时保持高速操作。复用地址输入
允许既减少在销，并增加了系统
密度。自己或延长刷新电流足够低的
电池备份应用程序。该器件具有2CAS和1W
端子512个循环每8.2ms刷新周期。
引脚配置（顶视图）
(3.3V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ4
(3.3V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
S
S(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
DQ
8 10
特点
型号名称
M5M4V4265CXX-5,-5S
M5M4V4265CXX-6,-6S
M5M4V4265CXX-7,-7S
RAS
CAS
地址
ACCESS
访问访问
时间
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ）
动力
OE
周期
耗散
ACCESS
时间
化
时间
（ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）
NC
11
NC
12
W
13
RAS
14
NC
15
A
0 16
A
1 17
A
2 18
A
3 19
(3.3V)V
CC 20
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
408
363
333
XX = TP ，J
标准的40引脚SOJ ， 44引脚TSOP （ II ）
单3.3 ± 0.3V电源
低待机功耗
CMOS输入电平
1.8MW （最大）
CMOS输入电平
360μW （最大） *
工作功耗
M5M4V4265CXX-5,-5S
486mW （最大）
M5M4V4265CXX-6,-6S
432mW （最大）
M5M4V4265CXX-7,-7S
396mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流
100μA （最大值）
扩展刷新功能
扩展刷新电流
100μA （最大值）
EDO模式（ 512列随机访问） ，读 - 修改 - 写， RAS-
只有刷新，刷新RAS CAS之前，隐藏刷新功能。
早期读写模式， OE和W来控制输出缓冲器阻抗
512刷新周期每8.2ms （A
0
~A
8
)
512刷新周期每128ms的（A
0
~A
8
) *
字节或字控制读/写操作（ 2CAS ， 1W型）
*：适用于自刷新版本（ M5M4V4265CJ ， TP- 5S ， -6S ，
-7S ：选项）只
大纲40P0K （ 400mil SOJ ）
(3.3V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ4
(3.3V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
V
S
S(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8 10
应用
微型计算机的内存，内存刷新为CRT ，帧缓冲
内存CRT
NC
13
NC
14
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
8
DQ
1
-DQ
16
RAS
LCAS
UCAS
W
OE
V
CC
V
SS
1
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
低字节控制
列地址选通输入
高字节控制
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（ + 3.3V ）
地（ 0V ）
W
15
RAS
16
NC
17
A
0 18
A
1 19
A
2 20
A
3 21
(3.3V)V
CC 22
概述44P3W -R （ 400mil TSOP例正常弯曲）
NC ：无连接
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
功能
除了EDO模式，正常的读，写和读 - 修改 -
写操作的M5M4V4265CXX提供了许多其它的
功能，如RAS-只刷新和延迟写。输入
对于每个条件示于表1中。
表1输入条件为每个模式
手术
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
RAS只刷新
隐藏刷新
CAS在RAS之前（扩展* ）刷新
输入
RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
LCAS
法案
NAC
法案
法案
NAC
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
UCAS
NAC
法案
法案
NAC
法案
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
W
NAC
NAC
NAC
法案
法案
法案
DNC
NAC
DNC
DNC
DNC
OE
法案
法案
法案
NAC
NAC
NAC
DNC
法案
DNC
DNC
DNC
DQ
1
-DQ
8
D
OUT
OPN
D
OUT
D
IN
DNC
D
IN
OPN
D
OUT
OPN
OPN
OPN
输入/输出
DQ
9
-DQ
16
OPN
D
OUT
D
OUT
DNC
D
IN
D
IN
OPN
D
OUT
OPN
OPN
OPN
自刷新*
待用
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， OPN ：开
框图
行地址
选通输入
RAS
低字节控制
列地址
LCAS
选通输入
高字节控制
UCAS
列地址
选通输入
写控制
输入
V
CC
(3.3V)
时钟发生器
电路
低
上
(8)LOWER
DATA IN
卜FF器
V
SS
(0V)
DQ
1
DQ
2
DQ
8
W
(8)LOWER
数据输出
卜FF器
较低的数据
输入/
输出
V
CC
(3.3V)
V
SS
(0V)
A
0
~A
8
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
(8)UPPER
DATA IN
卜FF器
SENSE刷新
放大器& I / O控制
DQ
9
DQ
10
DQ
16
地址输入
ROW &
COLUMN
地址
卜FF器
上面的数据
输入/
输出
ROW
A
0
~
A
8
解码器
记忆细胞
（ 4,194,304位）
(8)UPPER
数据输出
卜FF器
V
CC
(3.3V)
V
SS
(0V)
OE
OUTPUT ENABLE
输入
2
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
条件
相到V
SS
评级
-0.5~4.6
-0.5~4.6
-0.5~4.6
50
1000
0~70
-65~150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
Ta=25C
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
民
3.0
0
2.0
-0.3
范围
喃
3.3
0
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
（注1 ）
单位
V
V
V
V
0.8
注1：所有电压值都是相对于V
SS.
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=3.3±0.3V, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
（注2 ）
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
I
I
CC1(AV)
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
平均电源电流
从Vcc ，操作
（注3,4,5）
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
测试条件
I
OH
=-2mA
I
OL
=2mA
Q浮动0V≤V
OUT
≤V
CC
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
+ 0.3V ，其他输入引脚= 0V
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
=t
WC
=最小值。
输出开路
RAS CAS = = V
IH
，输出开路
民
2.4
0
-5
-5
范围
典型值
最大
V
CC
0.4
5
5
135
120
110
2
0.5
0.1 *
125
110
95
125
110
95
115
100
85
单位
V
V
A
A
mA
I
CC2
从V电源电流
CC
，待机
（注6 ） RAS = CAS≥V
CC
-0.2V
输出开路
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS = V
IL
中国科学院自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS骑自行车CAS≤0.2V或CAS
RAS刷新单车前
RAS≤0.2V或
≥V
CC
-0.2V
CAS≤0.2V或
≥V
CC
-0.2V
W≤0.2V or≥V
CC
-0.2V
OE≤0.2V或
≥V
CC
-0.2V
A
0
~A
8
≤
0.2V或
≥V
CC
-0.2V,
DQ =开
t
RC
= 250μs的，T
RAS
=t
RAS MIN
~1s
RAS=CAS≤0.2V
输出开路
mA
I
CC3(AV)
M5M4V4265C-5,-5S
平均电源电流
M5M4V4265C-6,-6S
从Vcc ， RAS只
（注3,5）
M5M4V4265C-7,-7S
刷新模式
mA
I
CC4(AV)
I
CC6(AV)
平均电源电流
从Vcc EDO模式
（注3,4,5）
平均电源电流
从Vcc
CAS前RAS刷新
模式
（注3,5）
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
mA
mA
I
CC8(AV)
*
平均电源电流
从V
CC
延长刷新模式
100
A
（注6 ）
I
CC9(AV)
*
从V平均供电电流
CC
自刷新模式
（注6 ）
100
A
注2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3 : I
CC1(AV)
, I
CC3(AV)
, I
CC4(AV)
和我
CC6 （ AV ）
依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4 : I
CC1(AV)
我
CC4(AV)
依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5 ：列地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
和CAS = V
IH
.
3
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
=3.3±0.3V, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
范围
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 3.3 ±0.3V ， VSS = 0V时，除非另有说明，注释6,14,15 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
OHC
t
高级代表办事处
t
CLZ
t
OEZ
t
WEZ
t
关闭
t
苏亚雷斯
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
Columu地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
从CAS输出保持时间
从RAS输出保持时间
中国科学院低输出低阻抗时间
OE高后输出禁止时间
输出禁止时间后，我们高
经过CAS高输出禁止时间
经过RAS高输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注13 ）
（注13 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
（注12,13 ）
（注12,13 ）
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
13
50
25
28
13
民
最大
15
60
30
33
15
民
最大
20
70
35
38
20
5
5
5
13
13
13
13
5
5
5
15
15
15
15
5
5
5
20
20
20
20
注6 ： 500微秒的初始暂停后电后至少8初始化周期（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前，需要
周期）。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间（大于8.2ms ）后
器件正常工作之前不活动的实现。
7 ：测得等效于50pF的，V负载电路
OH
(I
OH
= -2mA ）和V
OL
(I
OL
= 2毫安） 。参考电平，用于测量输出信号是
2.0V(V
OH
）和0.8V （V
OL
).
8 ：假设
t
RCD
≥t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥t
ASC （最大）
和
t
CP
≥t
CP （最大值）。
9 ：假设
t
RCD
≤t
RCD （最大）
和
t
拉德
≤t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了
t
RCD
超出显示的值。
10 ：假设
t
拉德
≥t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤t
ASC （最大）
.
11 ：假设
t
CP
≤t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥t
ASC （最大）
.
12 :
t
OEZ （最大）
,
t
WEZ （最大）
,
t
关（ MAX）的
和
t
REZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
± 5μA ） ，不
参考V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
13 ：输出被禁用后，双方RAS和CAS去高。
4
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新和EDO模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
=3.3±0.3V, V
SS
= 0V时，除非另有说明，参见注释14,15）
范围
符号
t
REF
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
t
RDD
t
CDD
t
ODD
t
T
刷新周期时间
刷新周期时间*
（注16 ）
30
18
5
0
8
13
0
0
8
8
0
0
13
13
13
1
参数
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
单位
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
8.2
128
32
民
最大
8.2
128
45
民
最大
8.2
128
50
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间， RAS高到数据
延迟时间，中国科学院高数据
延迟时间， OE高到数据
转换时间
注14：时序要求被假定
t
T
=2ns.
（注17 ）
（注18 ）
25
10
40
20
5
0
10
15
0
0
10
10
0
0
15
15
15
1
30
13
（注19 ）
（注19 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注21 ）
50
50
50
20
5
0
10
15
0
0
10
10
0
0
20
20
20
1
35
13
50
记
15 : V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
记
16 :
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
小于
t
RCD （最大）
，存取时间是
t
RAC
。如果
t
RCD
大于
t
RCD （最大
） ，访问时间是
完全由控制
t
CAC
or
t
AA
.
记
17 :
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
≥t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤t
ASC （最大
） ，存取时间是由专门受控
t
AA
.
记
18 :
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
≥t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
.
记
19 ：要么
t
DZC
or
t
DZO
必须得到满足。
记
20 ：要么
t
RDD
or
t
CDD
or
t
ODD
必须得到满足。
记
21 :
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
读周期时间
参数
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
列地址到RAS保持时间
列地址到CAS保持时间
t
ORH
OE后低RAS保持时间
t
OCH
OE后低CAS保持时间
注22 ：要么
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
90
50
8
40
13
0
0
0
25
13
13
13
最大
10000
10000
民
110
60
10
48
15
0
0
0
30
18
15
15
最大
10000
10000
民
130
70
13
55
20
0
0
0
35
23
20
20
最大
10000
10000
（注22 ）
（注22 ）
5
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
QQ：2881677436 复制
