【（修订版1.1 ）三菱的LSIM5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ，】,IC型号M5M465405BTP-6,M5M465405BTP-6 PDF资料,M5M465405BTP-6经销商,ic,电子元器件-51电子网

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

描述

该M5M467405 / 465405BJ ， BTP组织16777216字由4位， M5M467805 / 465805BJ ， BTP组织8388608字经

8位和M5M465165BJ ， BTP组织4194304字由16位动态RAM ，制造与高性能CMOS

的过程中，并适用于高速和低功耗的大容量存储器的系统。

采用双层铝过程结合CMOS技术和单晶体管动态存储堆叠

电容器电池提供高的电路密度。复用的地址输入许可既减少在销，并增加了系统

密度。

特点

型号名称

M5M467405BXX-5,5S

M5M467805BXX-5,5S

M5M467405BXX-6,6S

M5M467805BXX-6,6S

M5M465405BXX-5,5S

M5M465805BXX-5,5S

M5M465405BXX-6,6S

M5M465805BXX-6,6S

地址

动力

RAS

OE

CAS

周期

ACCESS ACCESS ACCESS

ACCESS

耗散

时间

化

时间

（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ min.ns ）（ typ.mW ）

型号名称

动力

地址

RAS

CAS

OE

周期

耗散

ACCESS ACCESS ACCESS

ACCESS

时间

化

时间

（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ min.ns ）（ typ.mW ）

50

60

50

60

13

15

13

15

25

30

25

30

13

15

13

15

84

104

84

104

300

250

390

325

M5M465165BXX-5,5S

M5M465165BXX-6,6S

50

60

13

15

25

30

13

15

84

104

420

390

XX = j的， TP

标准的32引脚SOJ ， 32引脚TSOP （ M5M467405Bxx / M5M465405Bxx / M5M467805Bxx / M5M465805Bxx ）

标准的50引脚SOJ ， 50引脚TSOP （ M5M465165Bxx ）

单3.3

±

0.3V电源

低待机功耗

1.8MW （最大）

LVCMOS输入电平

低工作功耗

M5M467405Bxx - 5,5S / M5M467805Bxx - 5,5S

360.0mW （最大）

M5M467405Bxx - 6,6S / M5M467805Bxx - 6,6S

324.0mW （最大）

M5M465405Bxx - 5,5S / M5M465805Bxx - 5,5S

468.0mW （最大）

M5M465405Bxx - 6,6S / M5M465805Bxx - 6,6S

432.0mW （最大）

M5M465165Bxx-5,5S

504.0mW （最大）

M5M465165Bxx-6,6S

468.0mW （最大）

自刷新功能*

自刷新电流

400μA （最大值）

EDO模式，读 - 修改 - 写， CAS RAS刷新，隐藏刷新功能之前，

早期读写模式， OE和W来控制输出缓冲器阻抗

所有的输入，输出LVTTL兼容，低电容

*

：适用于自刷新版本（ M5M467405 / 465405 / 465805分之467805 / 465165BJ ， BTP -5S ， -6S ：选项）只

地址

产品型号

行添加胶原添加

刷新

刷新周期

正常

S-版

RAS只有编号，一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒

M5M467405Bxx A0 - A12 A0 -A10

CBR文献，参考文献隐藏

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

M5M465405Bxx A0 -A11 A0 -A11

RAS只有编号，一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

RAS只有编号，一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒

M5M467805Bxx A0 - A12 A0 -A9

CBR文献，参考文献隐藏

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

M5M465805Bxx A0 -A11 A0 -A10

RAS只有编号，一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

M5M465165Bxx A0 -A11 A0 -A9

RAS只有编号，一般R / W

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

应用

计算机主存储器单元，微机内存，内存刷新为CRT

1

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

引脚说明

M5M467405Bxx / M5M465405Bxx

引脚名称

A

0

-A

12

DQ1-DQ4

RAS

CAS

W

OE

VCC

VSS

NC

功能

地址输入

数据输入/输出

行地址选通输入

列地址选通输入

写控制输入

输出使能输入

电源（ + 3.3V ）

地（ 0V ）

无连接

M5M467805Bxx / M5M465805Bxx

引脚名称

A

0

-A

12

DQ1-DQ8

RAS

CAS

W

OE

VCC

VSS

NC

功能

地址输入

数据输入/输出

行地址选通输入

列地址选通输入

写控制输入

输出使能输入

电源（ + 3.3V ）

地（ 0V ）

无连接

M5M465165Bxx

引脚名称

A

0

-A

11

功能

地址输入

DQ1 - DQ16数据输入/输出

行地址选通输入

RAS

高字节控制

UCAS

列地址选通输入

低字节控制

LCAS

列地址选通输入

写控制输入

W

OE

VCC

VSS

NC

输出使能输入

电源（ + 3.3V ）

地（ 0V ）

无连接

XX = BJ ， BTP

M5M467400/465400BJ,BTP

引脚配置（顶视图）

VCC

DQ

1

DQ

2

NC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VSS

DQ

4

DQ

3

NC

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

VCC

DQ

1

DQ

2

NC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VSS

DQ

4

DQ

3

NC

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

大纲32P0N （ 400mil SOJ ）

M5M465405BJ

M5M467405BJ

大纲32P3N （ 400mil TSOP普通弯）

注： A12 ... M5M467405Bxx ， NC ... M5M465405Bxx

：无连接

NC

M5M465405BTP

M5M467405BTP

2

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

M5M467805/465805BJ,BTP

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

NC

VCC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

引脚配置（顶视图）

VSS

DQ

8

DQ

7

DQ

6

DQ

5

VSS

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

NC

VCC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VSS

DQ

8

DQ

7

DQ

6

DQ

5

VSS

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

大纲32P0N （ 400mil SOJ ）

M5M465165BJ,BTP

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

VCC

DQ

5

DQ

6

DQ

7

DQ

8

NC

VCC

W

RAS

NC

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

M5M465805BJ

11

12 12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

大纲50P0G （ 400mil SOJ ）

M5M467805BJ

M5M465165BJ

大纲32P3N （ 400mil TSOP普通弯）

注： A12 ... M5M467800Bxx ， NC ... M5M465800Bxx

：无连接

NC

引脚配置（顶视图）

VSS

DQ

16

DQ

15

DQ

14

DQ

13

VSS

DQ

12

DQ

11

DQ

10

DQ

9

NC

VSS

LCAS

UCAS

OE

NC

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

VCC

DQ

5

DQ

6

DQ

7

DQ

8

NC

VCC

W

RAS

NC

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12 12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

M5M465805BTP

M5M465165BTP

M5M467805BTP

VSS

DQ

16

DQ

15

DQ

14

DQ

13

VSS

DQ

12

DQ

11

DQ

10

DQ

9

NC

VSS

LCAS

UCAS

OE

NC

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

大纲50P3G （ 400mil TSOP普通弯）

NC ：无连接

3

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

功能

该M5M467405 （ 805 ） / 465405 （ 805165 ）北京， BTP提供，除了正常的读，写和读 - 修改 - 写操作，

其他的一些功能，如EDO模式， CAS前RAS刷新和延迟写。

输入条件为每个列于表1中。

表1输入条件为每个模式

M5M467405Bxx / M5M465405Bxx / M5M467805Bxx / M5M465805Bxx

输入

手术

RAS

读

写（早期写）

写（延迟写入）

读 - 修改 - 写

RAS -ONLY刷新

隐藏刷新

CAS前RAS刷新

待机

法案

NAC

CAS

法案

NAC

法案

DNC

W

NAC

法案

DNC

NAC

DNC

OE

法案

DNC

法案

DNC

法案

DNC

ROW

地址

APD

DNC

COLUMN

地址

APD

DNC

输入/输出

刷新

输入

OPN

VLD

OPN

DNC

产量

VLD

OPN

IVD

VLD

OPN

VLD

OPN

NO

是的

NO

EDO模式

相同

备注

M5M465165Bxx

输入

手术

RAS

低字节读

高字节读

字读

低字节写入

高字节写

字写

RAS -ONLY刷新

隐藏刷新

CAS前RAS刷新

待用

法案

NAC

LCAS

法案

NAC

法案

NAC

法案

NAC

法案

DNC

UCAS

NAC

法案

NAC

法案

NAC

法案

DNC

W

NAC

法案

DNC

NAC

DNC

OE

法案

NAC

DNC

法案

DNC

ROW

地址

APD

DNC

COLUMN

地址

APD

DNC

输入/输出

DQ1~DQ8

VLD

OPN

VLD

DIN

DNC

DIN

OPN

VLD

OPN

DQ9~DQ16

OPN

VLD

DNC

DIN

OPN

VLD

OPN

刷新

NO

是的

NO

EDO模式

相同

备注

注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开

4

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

M5M467405Bxx / M5M465405Bxx

框图

列地址

选通输入

行地址

选通输入

写控制

输入

VCC （ 3.3V ）

CAS

RAS

时钟发生器

电路

VSS （0V）

W

(4)

DATA IN

缓冲器

A0~A11

（注）

A0

A1

A2

ROW & COLUMN

地址缓冲器

A3

A4

A5

地址输入

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

（注）

记

列解码器

SENSE刷新

放大器& I / O控制

行解码器

DQ1

DQ2

DQ3

(4)

数据输出

缓冲器

DQ4

数据

输入/输出

A0~

A12

（注）

记忆细胞

（ 67108864 BITS ）

OE输出使能

输入

:

请参考第1页（ADDRESS）

M5M467805Bxx / M5M465805Bxx

框图

列地址

选通输入

行地址

选通输入

写控制

输入

VCC （ 3.3V ）

CAS

RAS

时钟发生器

电路

VSS （0V）

W

(8)

DATA IN

缓冲器

A0~A10

A0

A1

A2

A3

ROW & COLUMN

地址缓冲器

A4

A5

SENSE刷新

放大器& I / O控制

行解码器

（注）

列解码器

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

数据

输入/输出

A7

A8

A9

A10

A11

A12

（注）

A0~

A12

（注）

记忆细胞

（ 67108864 BITS ）

(8)

数据输出

缓冲器

地址输入

A6

OE输出使能

输入

记

:

请参考第1页（ADDRESS）

5

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

描述

该M5M467405 / 465405BJ ， BTP组织16777216字由4位， M5M467805 / 465805BJ ， BTP组织8388608字经

8位和M5M465165BJ ， BTP组织4194304字由16位动态RAM ，制造与高性能CMOS

的过程中，并适用于高速和低功耗的大容量存储器的系统。

采用双层铝过程结合CMOS技术和单晶体管动态存储堆叠

电容器电池提供高的电路密度。复用的地址输入许可既减少在销，并增加了系统

密度。

特点

型号名称

M5M467405BXX-5,5S

M5M467805BXX-5,5S

M5M467405BXX-6,6S

M5M467805BXX-6,6S

M5M465405BXX-5,5S

M5M465805BXX-5,5S

M5M465405BXX-6,6S

M5M465805BXX-6,6S

地址

动力

RAS

OE

CAS

周期

ACCESS ACCESS ACCESS

ACCESS

耗散

时间

化

时间

（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ min.ns ）（ typ.mW ）

型号名称

动力

地址

RAS

CAS

OE

周期

耗散

ACCESS ACCESS ACCESS

ACCESS

时间

化

时间

（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ max.ns ）（ min.ns ）（ typ.mW ）

50

60

50

60

13

15

13

15

25

30

25

30

13

15

13

15

84

104

84

104

300

250

390

325

M5M465165BXX-5,5S

M5M465165BXX-6,6S

50

60

13

15

25

30

13

15

84

104

420

390

XX = j的， TP

标准的32引脚SOJ ， 32引脚TSOP （ M5M467405Bxx / M5M465405Bxx / M5M467805Bxx / M5M465805Bxx ）

标准的50引脚SOJ ， 50引脚TSOP （ M5M465165Bxx ）

单3.3

±

0.3V电源

低待机功耗

1.8MW （最大）

LVCMOS输入电平

低工作功耗

M5M467405Bxx - 5,5S / M5M467805Bxx - 5,5S

360.0mW （最大）

M5M467405Bxx - 6,6S / M5M467805Bxx - 6,6S

324.0mW （最大）

M5M465405Bxx - 5,5S / M5M465805Bxx - 5,5S

468.0mW （最大）

M5M465405Bxx - 6,6S / M5M465805Bxx - 6,6S

432.0mW （最大）

M5M465165Bxx-5,5S

504.0mW （最大）

M5M465165Bxx-6,6S

468.0mW （最大）

自刷新功能*

自刷新电流

400μA （最大值）

EDO模式，读 - 修改 - 写， CAS RAS刷新，隐藏刷新功能之前，

早期读写模式， OE和W来控制输出缓冲器阻抗

所有的输入，输出LVTTL兼容，低电容

*

：适用于自刷新版本（ M5M467405 / 465405 / 465805分之467805 / 465165BJ ， BTP -5S ， -6S ：选项）只

地址

产品型号

行添加胶原添加

刷新

刷新周期

正常

S-版

RAS只有编号，一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒

M5M467405Bxx A0 - A12 A0 -A10

CBR文献，参考文献隐藏

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

M5M465405Bxx A0 -A11 A0 -A11

RAS只有编号，一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

RAS只有编号，一般R / W 8192 / 64ms的8192 / 128毫秒

M5M467805Bxx A0 - A12 A0 -A9

CBR文献，参考文献隐藏

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

M5M465805Bxx A0 -A11 A0 -A10

RAS只有编号，一般R / W 4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

M5M465165Bxx A0 -A11 A0 -A9

RAS只有编号，一般R / W

4096 / 64ms的4096 / 128毫秒

CBR文献，参考文献隐藏

应用

计算机主存储器单元，微机内存，内存刷新为CRT

1

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

引脚说明

M5M467405Bxx / M5M465405Bxx

引脚名称

A

0

-A

12

DQ1-DQ4

RAS

CAS

W

OE

VCC

VSS

NC

功能

地址输入

数据输入/输出

行地址选通输入

列地址选通输入

写控制输入

输出使能输入

电源（ + 3.3V ）

地（ 0V ）

无连接

M5M467805Bxx / M5M465805Bxx

引脚名称

A

0

-A

12

DQ1-DQ8

RAS

CAS

W

OE

VCC

VSS

NC

功能

地址输入

数据输入/输出

行地址选通输入

列地址选通输入

写控制输入

输出使能输入

电源（ + 3.3V ）

地（ 0V ）

无连接

M5M465165Bxx

引脚名称

A

0

-A

11

功能

地址输入

DQ1 - DQ16数据输入/输出

行地址选通输入

RAS

高字节控制

UCAS

列地址选通输入

低字节控制

LCAS

列地址选通输入

写控制输入

W

OE

VCC

VSS

NC

输出使能输入

电源（ + 3.3V ）

地（ 0V ）

无连接

XX = BJ ， BTP

M5M467400/465400BJ,BTP

引脚配置（顶视图）

VCC

DQ

1

DQ

2

NC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VSS

DQ

4

DQ

3

NC

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

VCC

DQ

1

DQ

2

NC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VSS

DQ

4

DQ

3

NC

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

大纲32P0N （ 400mil SOJ ）

M5M465405BJ

M5M467405BJ

大纲32P3N （ 400mil TSOP普通弯）

注： A12 ... M5M467405Bxx ， NC ... M5M465405Bxx

：无连接

NC

M5M465405BTP

M5M467405BTP

2

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

M5M467805/465805BJ,BTP

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

NC

VCC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

引脚配置（顶视图）

VSS

DQ

8

DQ

7

DQ

6

DQ

5

VSS

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

NC

VCC

W

RAS

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VSS

DQ

8

DQ

7

DQ

6

DQ

5

VSS

CAS

OE

A

12

/ NC （注）

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

大纲32P0N （ 400mil SOJ ）

M5M465165BJ,BTP

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

VCC

DQ

5

DQ

6

DQ

7

DQ

8

NC

VCC

W

RAS

NC

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

M5M465805BJ

11

12 12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

大纲50P0G （ 400mil SOJ ）

M5M467805BJ

M5M465165BJ

大纲32P3N （ 400mil TSOP普通弯）

注： A12 ... M5M467800Bxx ， NC ... M5M465800Bxx

：无连接

NC

引脚配置（顶视图）

VSS

DQ

16

DQ

15

DQ

14

DQ

13

VSS

DQ

12

DQ

11

DQ

10

DQ

9

NC

VSS

LCAS

UCAS

OE

NC

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

VCC

DQ

1

DQ

2

DQ

3

DQ

4

VCC

DQ

5

DQ

6

DQ

7

DQ

8

NC

VCC

W

RAS

NC

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

VCC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12 12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

M5M465805BTP

M5M465165BTP

M5M467805BTP

VSS

DQ

16

DQ

15

DQ

14

DQ

13

VSS

DQ

12

DQ

11

DQ

10

DQ

9

NC

VSS

LCAS

UCAS

OE

NC

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

VSS

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

大纲50P3G （ 400mil TSOP普通弯）

NC ：无连接

3

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

功能

该M5M467405 （ 805 ） / 465405 （ 805165 ）北京， BTP提供，除了正常的读，写和读 - 修改 - 写操作，

其他的一些功能，如EDO模式， CAS前RAS刷新和延迟写。

输入条件为每个列于表1中。

表1输入条件为每个模式

M5M467405Bxx / M5M465405Bxx / M5M467805Bxx / M5M465805Bxx

输入

手术

RAS

读

写（早期写）

写（延迟写入）

读 - 修改 - 写

RAS -ONLY刷新

隐藏刷新

CAS前RAS刷新

待机

法案

NAC

CAS

法案

NAC

法案

DNC

W

NAC

法案

DNC

NAC

DNC

OE

法案

DNC

法案

DNC

法案

DNC

ROW

地址

APD

DNC

COLUMN

地址

APD

DNC

输入/输出

刷新

输入

OPN

VLD

OPN

DNC

产量

VLD

OPN

IVD

VLD

OPN

VLD

OPN

NO

是的

NO

EDO模式

相同

备注

M5M465165Bxx

输入

手术

RAS

低字节读

高字节读

字读

低字节写入

高字节写

字写

RAS -ONLY刷新

隐藏刷新

CAS前RAS刷新

待用

法案

NAC

LCAS

法案

NAC

法案

NAC

法案

NAC

法案

DNC

UCAS

NAC

法案

NAC

法案

NAC

法案

DNC

W

NAC

法案

DNC

NAC

DNC

OE

法案

NAC

DNC

法案

DNC

ROW

地址

APD

DNC

COLUMN

地址

APD

DNC

输入/输出

DQ1~DQ8

VLD

OPN

VLD

DIN

DNC

DIN

OPN

VLD

OPN

DQ9~DQ16

OPN

VLD

DNC

DIN

OPN

VLD

OPN

刷新

NO

是的

NO

EDO模式

相同

备注

注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开

4

三菱

电

六月1999

（修订版1.1 ）

三菱的LSI

M5M467405 / 465405BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M467805 / 465805BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

M5M465165BJ ， BTP -5，-6 ， -5S ， -6S

EDO模式67108864位（ 16777216 - WORD 4位）动态RAM

EDO模式67108864位（ 8388608 - WORD 8 - BIT）动态RAM

EDO模式67108864位（ 4194304 - WORD 16 - BIT）动态RAM

M5M467405Bxx / M5M465405Bxx

框图

列地址

选通输入

行地址

选通输入

写控制

输入

VCC （ 3.3V ）

CAS

RAS

时钟发生器

电路

VSS （0V）

W

(4)

DATA IN

缓冲器

A0~A11

（注）

A0

A1

A2

ROW & COLUMN

地址缓冲器

A3

A4

A5

地址输入

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

（注）

记

列解码器

SENSE刷新

放大器& I / O控制

行解码器

DQ1

DQ2

DQ3

(4)

数据输出

缓冲器

DQ4

数据

输入/输出

A0~

A12

（注）

记忆细胞

（ 67108864 BITS ）

OE输出使能

输入

:

请参考第1页（ADDRESS）

M5M467805Bxx / M5M465805Bxx

框图

列地址

选通输入

行地址

选通输入

写控制

输入

VCC （ 3.3V ）

CAS

RAS

时钟发生器

电路

VSS （0V）

W

(8)

DATA IN

缓冲器

A0~A10

A0

A1

A2

A3

ROW & COLUMN

地址缓冲器

A4

A5

SENSE刷新

放大器& I / O控制

行解码器

（注）

列解码器

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

数据

输入/输出

A7

A8

A9

A10

A11

A12

（注）

A0~

A12

（注）

记忆细胞

（ 67108864 BITS ）

(8)

数据输出

缓冲器

地址输入

A6

OE输出使能

输入

记

:

请参考第1页（ADDRESS）

5

三菱

电

六月1999