M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD BYBY 8 - BIT）动态RAM
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
描述
这是由8位动态RAM一个家族的524288字，制成
具有高性能的CMOS工艺，是理想的large-
容量存储系统，其中高速，低功率
耗散和低的成本是必要的。
采用双层金属化工艺技术和
单晶体管动态存储堆叠的电容器单元提供
以较低的成本高的电路密度。复用地址输入
允许既减少在销，并增加了系统
密度。自己或延长刷新电流足够低的
电池备份应用程序。
三菱的LSI
三菱的LSI
引脚配置（顶视图）
(5V)V
CC
1
DQ
1
2
DQ
2
3
DQ
3
4
DQ
4
5
NC 6
W
7
9
RAS 8
A
9
28 V
SS
(0V)
27 DQ
8
26 DQ
7
25 DQ
6
24 DQ
5
23 CAS
22 OE
21 NC
20 A
8
19 A
7
18 A
6
17 A
5
16 A
4
15 V
SS
(0V)
特点
型号名称
M5M44800CXX-5,-5S
M5M44800CXX-6,-6S
M5M44800CXX-7,-7S
RAS
CAS地址
OE
循环发电
访问接入访问存取时间耗散
化
时间
时间
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）
A
0
10
A
1
11
A
2
12
A
3
13
(5V)V
CC
14
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
450
375
325
XX = j的， TP
大纲28P0K （ 400mil SOJ ）
标准的28PIN SOJ ， 28PIN TSOP （ II ）
单5V ± 10 ％电源
低待机功耗
CMOS lnput水平
5.5MW （最大）
CMOS输入电平
550μW （最大） *
工作功耗
M5M44800Cxx-5,-5S
495mW （最大）
M5M44800Cxx-6,-6S
413mW （最大）
M5M44800Cxx-7,-7S
358mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流
150A(Max)
扩展刷新功能
扩展刷新电流
150A(Max)
快页模式（ 1024 -列随机访问） ，读 - 修改 - 写，
RAS-只刷新， CAS前RAS刷新，刷新隐藏
的能力。
早期读写模式， CAS和OE控制输出缓冲器阻抗
1024刷新周期每16.4ms （A
0
~A
9
)
1024刷新周期每128ms的（A
0
~A
9
) *
*：适用于自刷新版本（ M5M44800CJ ， TP- 5S ， -6S ， -7S
：选项）只
(5V)V
CC
1
DQ
1
2
DQ
2
3
DQ
3
4
DQ
4
5
NC 6
W
A
9
7
9
RAS 8
A
0
10
A
1
11
A
2
12
A
3
13
(5V)V
CC
14
28 V
SS
(0V)
27 DQ
8
26 DQ
7
25 DQ
6
24 DQ
5
23 CAS
22 OE
21 NC
20 A
8
19 A
7
18 A
6
17 A
5
16 A
4
15 V
SS
(0V)
概述28P3Y -H （ 400mil TSOP普通弯）
应用
微型计算机的内存，内存刷新为CRT
NC ：无连接
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
9
DQ
1
-DQ
8
RAS
CAS
W
OE
VCC
VSS
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（+ 5V）
地（ 0V ）
1
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
功能
除了正常的读，写和读 - 修改 - 写操作
该M5M44800CJ ，TP提供了许多其他的功能，如
快页模式， RAS只刷新和延迟写。输入
对于每个条件示于表1中。
表1输入条件为每个模式
手术
读
写（早期写）
写（延迟写入）
读 - 修改 - 写
RAS只刷新
隐藏刷新
CAS在RAS之前（扩展* ）刷新
输入
RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
CAS
法案
法案
法案
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
W
NAC
法案
法案
法案
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
OE
法案
DNC
DNC
法案
DNC
法案
DNC
DNC
DNC
ROW
地址
COLUMN
地址
输入/输出
APD
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
输入
OPN
VLD
VLD
VLD
DNC
OPN
DNC
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
IVD
VLD
OPN
VLD
OPN
OPN
OPN
刷新
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
NO
备注
快速页
模式
相同
自刷新
*
待用
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
框图
列地址
选通输入CAS
行地址RAS
选通输入
写控制
输入
W
A
0
~A
8
V
CC
(5V)
时钟发生器
电路
V
CC
(5V)
V
SS
(0V)
V
SS
(0V)
(8)
DATA IN
卜FF器
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
SENSE刷新
放大器& I / O控制
地址输入
ROW &
COLUMN
地址
卜FF器
ROW
A
0
~
A
9
解码器
记忆细胞
(4194304BITS)
(8)
数据输出
卜FF器
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
数据
输入/输出
OE输出使能
输入
2
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
参数
条件
相到V
SS
评级
-1~7
-1~7
-1~7
50
1000
0~70
-65~150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
Ta=25C
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
民
4.5
0
2.4
-0.5 * *
范围
喃
5.0
0
最大
5.5
0
6.0
0.8
（注1 ）
单位
V
V
V
V
注1 ：所有的电压值是相对于VSS 。
* * : V
IL （ MIN ）
为-2.0V时的脉冲宽度小于25ns的。 （脉冲宽度是相对于V
SS
.)
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
（注2 ）
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
I
I
CC1 （ AV ）
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
M5M44800C-6,-6S
从V
CC,
操作
（注3,4,5）
M5M44800C-7,-7S
测试条件
I
OH
=-5mA
I
OL
=4.2mA
Q浮动， 0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤
+ 6.0V ，其他输入引脚= 0V
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
=t
WC
=最小值。
输出开路
RAS CAS = = V
IH
，输出开路
RAS CAS =
≥
V
CC
-0.5V
输出开路
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS = V
IL
中国科学院自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
民
2.4
0
-10
-10
范围
典型值
I
CC2
从V电源电流
CC
，待机
（注6 ）
I
CC3 （ AV ）
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
M5M44800C-6,-6S
从V
CC,
只有RAS
刷新模式（注3,5）
M5M44800C-7,-7S
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
M5M44800C-6,-6S
从V
CC,
快速页
（注3,4,5）
M5M44800C-7,-7S
模式
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
从V
CC
RAS之前， CAS
M5M44800C-6,-6S
刷新模式
（注3,5）
M5M44800C-7,-7S
I
CC4(AV)
I
CC6(AV)
最大
VCC
0.4
10
10
90
75
65
2
1.0
0.1 *
90
75
65
90
75
65
80
65
55
单位
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC8(AV)
*
从V平均供电电流
CC,
延长刷新模式
RAS CAS骑自行车
≤
0.2V或CAS
RAS刷新单车前
RAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
CAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
（注6 ）
W
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
OE
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
A
0
~A
9
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V ， DQ =开
t
RC
= 125微秒，T
RAS
=t
RAS
min~1s
（注6 ）
RAS CAS =
≤
0.2V
输出开路
150
A
I
CC9(AV)
*
记
记
记
记
从V平均供电电流
CC,
自刷新模式
150
A
2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3: I
CC1 （ AV ）
, I
CC3 （ AV ）
, I
CC4 （ AV ）
我
CC6 （ AV ）
依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4: I
CC1 （ AV ）
我
CC4 （ AV ）
依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5 ：列地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
和CAS = V
IH
3
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
范围
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，注释6,13,14 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
中国科学院低输出低阻抗时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
M5M44800C -5， -5S M5M44800C -6， -6S M5M44800C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
13
50
25
30
13
民
最大
15
60
30
35
15
民
最大
20
70
35
40
20
5
13
13
5
15
15
5
20
20
注6 ： 500微秒的初始暂停后电后至少8初始化周期（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前，需要
周期）。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间（大于16.4ms ）后
器件正常工作之前不活动的实现。
记
7 ：衡量一个负载电路等效于2TTL负载和100pF的。
记
8 ：假设
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
记
9 ：假设
t
RCD
≤
t
RCD （最大
）和
t
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将
通过量增加了
t
RCD
超出显示的值。
nOR10 ：假设
那
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
注11 ：假设
那
t
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
注12 ：
t
关（ MAX）的
,
t
OEZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
± 10μA ） ，而不是引用到V
OH （分钟）
or
V
OL （最大）
.
4
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新，快速页模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，注释6,13,14 ）
范围
符号
t
REF
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
t
T
刷新周期时间
刷新周期时间*
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
30
18
5
0
10
13
0
0
8
13
0
0
13
13
1
参数
M5M44800C -5， -5S M5M44800C -6， -6S M5M44800C -7， -7S
单位
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
16.4
128
民
最大
16.4
128
民
最大
16.4
128
（注15 ）
37
（注16 ）
（注17 ）
25
7
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间，中国科学院高数据
延迟时间， OE高到数据
转换时间
注13：时序要求被假定
t
T
=5ns.
（注18 ）
（注18 ）
（注19 ）
（注19 ）
（注20 ）
50
40
20
5
0
10
15
0
0
10
15
0
0
15
15
1
45
30
10
50
50
20
5
0
10
15
0
0
10
15
0
0
20
20
1
50
35
10
50
记
14: V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
记
15:
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
小于
t
RCD （最大
） ，访问时间是
t
RAC
。如果
t
RCD
大于
t
RCD （最大）
，存取时间是
完全由控制
t
CAC
or
t
AA
.
记
16:
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
AA
.
记
17:
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
.
记
18 ：要么
t
DZC
or
t
DZO
必须得到满足。
记
19 ：要么
t
CDD
or
t
ODD
必须得到满足。
记
20:
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OCH
t
ORH
参数
M5M44800C -5， -5S M5M44800C -6， -6S M5M44800C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
列地址到RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
注21 ：要么
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
（注21 ）
（注21 ）
民
90
50
13
50
13
0
0
0
25
13
13
最大
10000
10000
民
110
60
15
60
15
0
0
0
30
15
15
最大
10000
10000
民
130
70
20
70
20
0
0
0
35
20
20
最大
10000
10000
5
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD BYBY 8 - BIT）动态RAM
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
描述
这是由8位动态RAM一个家族的524288字，制成
具有高性能的CMOS工艺，是理想的large-
容量存储系统，其中高速，低功率
耗散和低的成本是必要的。
采用双层金属化工艺技术和
单晶体管动态存储堆叠的电容器单元提供
以较低的成本高的电路密度。复用地址输入
允许既减少在销，并增加了系统
密度。自己或延长刷新电流足够低的
电池备份应用程序。
三菱的LSI
三菱的LSI
引脚配置（顶视图）
(5V)V
CC
1
DQ
1
2
DQ
2
3
DQ
3
4
DQ
4
5
NC 6
W
7
9
RAS 8
A
9
28 V
SS
(0V)
27 DQ
8
26 DQ
7
25 DQ
6
24 DQ
5
23 CAS
22 OE
21 NC
20 A
8
19 A
7
18 A
6
17 A
5
16 A
4
15 V
SS
(0V)
特点
型号名称
M5M44800CXX-5,-5S
M5M44800CXX-6,-6S
M5M44800CXX-7,-7S
RAS
CAS地址
OE
循环发电
访问接入访问存取时间耗散
化
时间
时间
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）
A
0
10
A
1
11
A
2
12
A
3
13
(5V)V
CC
14
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
450
375
325
XX = j的， TP
大纲28P0K （ 400mil SOJ ）
标准的28PIN SOJ ， 28PIN TSOP （ II ）
单5V ± 10 ％电源
低待机功耗
CMOS lnput水平
5.5MW （最大）
CMOS输入电平
550μW （最大） *
工作功耗
M5M44800Cxx-5,-5S
495mW （最大）
M5M44800Cxx-6,-6S
413mW （最大）
M5M44800Cxx-7,-7S
358mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流
150A(Max)
扩展刷新功能
扩展刷新电流
150A(Max)
快页模式（ 1024 -列随机访问） ，读 - 修改 - 写，
RAS-只刷新， CAS前RAS刷新，刷新隐藏
的能力。
早期读写模式， CAS和OE控制输出缓冲器阻抗
1024刷新周期每16.4ms （A
0
~A
9
)
1024刷新周期每128ms的（A
0
~A
9
) *
*：适用于自刷新版本（ M5M44800CJ ， TP- 5S ， -6S ， -7S
：选项）只
(5V)V
CC
1
DQ
1
2
DQ
2
3
DQ
3
4
DQ
4
5
NC 6
W
A
9
7
9
RAS 8
A
0
10
A
1
11
A
2
12
A
3
13
(5V)V
CC
14
28 V
SS
(0V)
27 DQ
8
26 DQ
7
25 DQ
6
24 DQ
5
23 CAS
22 OE
21 NC
20 A
8
19 A
7
18 A
6
17 A
5
16 A
4
15 V
SS
(0V)
概述28P3Y -H （ 400mil TSOP普通弯）
应用
微型计算机的内存，内存刷新为CRT
NC ：无连接
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
9
DQ
1
-DQ
8
RAS
CAS
W
OE
VCC
VSS
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（+ 5V）
地（ 0V ）
1
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
功能
除了正常的读，写和读 - 修改 - 写操作
该M5M44800CJ ，TP提供了许多其他的功能，如
快页模式， RAS只刷新和延迟写。输入
对于每个条件示于表1中。
表1输入条件为每个模式
手术
读
写（早期写）
写（延迟写入）
读 - 修改 - 写
RAS只刷新
隐藏刷新
CAS在RAS之前（扩展* ）刷新
输入
RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
CAS
法案
法案
法案
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
W
NAC
法案
法案
法案
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
OE
法案
DNC
DNC
法案
DNC
法案
DNC
DNC
DNC
ROW
地址
COLUMN
地址
输入/输出
APD
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
输入
OPN
VLD
VLD
VLD
DNC
OPN
DNC
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
IVD
VLD
OPN
VLD
OPN
OPN
OPN
刷新
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
NO
备注
快速页
模式
相同
自刷新
*
待用
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
框图
列地址
选通输入CAS
行地址RAS
选通输入
写控制
输入
W
A
0
~A
8
V
CC
(5V)
时钟发生器
电路
V
CC
(5V)
V
SS
(0V)
V
SS
(0V)
(8)
DATA IN
卜FF器
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
SENSE刷新
放大器& I / O控制
地址输入
ROW &
COLUMN
地址
卜FF器
ROW
A
0
~
A
9
解码器
记忆细胞
(4194304BITS)
(8)
数据输出
卜FF器
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
数据
输入/输出
OE输出使能
输入
2
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
参数
条件
相到V
SS
评级
-1~7
-1~7
-1~7
50
1000
0~70
-65~150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
Ta=25C
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
民
4.5
0
2.4
-0.5 * *
范围
喃
5.0
0
最大
5.5
0
6.0
0.8
（注1 ）
单位
V
V
V
V
注1 ：所有的电压值是相对于VSS 。
* * : V
IL （ MIN ）
为-2.0V时的脉冲宽度小于25ns的。 （脉冲宽度是相对于V
SS
.)
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
（注2 ）
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
I
I
CC1 （ AV ）
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
M5M44800C-6,-6S
从V
CC,
操作
（注3,4,5）
M5M44800C-7,-7S
测试条件
I
OH
=-5mA
I
OL
=4.2mA
Q浮动， 0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤
+ 6.0V ，其他输入引脚= 0V
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
=t
WC
=最小值。
输出开路
RAS CAS = = V
IH
，输出开路
RAS CAS =
≥
V
CC
-0.5V
输出开路
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS = V
IL
中国科学院自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
民
2.4
0
-10
-10
范围
典型值
I
CC2
从V电源电流
CC
，待机
（注6 ）
I
CC3 （ AV ）
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
M5M44800C-6,-6S
从V
CC,
只有RAS
刷新模式（注3,5）
M5M44800C-7,-7S
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
M5M44800C-6,-6S
从V
CC,
快速页
（注3,4,5）
M5M44800C-7,-7S
模式
M5M44800C-5,-5S
平均电源电流
从V
CC
RAS之前， CAS
M5M44800C-6,-6S
刷新模式
（注3,5）
M5M44800C-7,-7S
I
CC4(AV)
I
CC6(AV)
最大
VCC
0.4
10
10
90
75
65
2
1.0
0.1 *
90
75
65
90
75
65
80
65
55
单位
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC8(AV)
*
从V平均供电电流
CC,
延长刷新模式
RAS CAS骑自行车
≤
0.2V或CAS
RAS刷新单车前
RAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
CAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
（注6 ）
W
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
OE
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
A
0
~A
9
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V ， DQ =开
t
RC
= 125微秒，T
RAS
=t
RAS
min~1s
（注6 ）
RAS CAS =
≤
0.2V
输出开路
150
A
I
CC9(AV)
*
记
记
记
记
从V平均供电电流
CC,
自刷新模式
150
A
2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3: I
CC1 （ AV ）
, I
CC3 （ AV ）
, I
CC4 （ AV ）
我
CC6 （ AV ）
依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4: I
CC1 （ AV ）
我
CC4 （ AV ）
依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5 ：列地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
和CAS = V
IH
3
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
范围
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，注释6,13,14 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
中国科学院低输出低阻抗时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
M5M44800C -5， -5S M5M44800C -6， -6S M5M44800C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
13
50
25
30
13
民
最大
15
60
30
35
15
民
最大
20
70
35
40
20
5
13
13
5
15
15
5
20
20
注6 ： 500微秒的初始暂停后电后至少8初始化周期（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前，需要
周期）。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间（大于16.4ms ）后
器件正常工作之前不活动的实现。
记
7 ：衡量一个负载电路等效于2TTL负载和100pF的。
记
8 ：假设
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
记
9 ：假设
t
RCD
≤
t
RCD （最大
）和
t
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将
通过量增加了
t
RCD
超出显示的值。
nOR10 ：假设
那
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
注11 ：假设
那
t
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
注12 ：
t
关（ MAX）的
,
t
OEZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
± 10μA ） ，而不是引用到V
OH （分钟）
or
V
OL （最大）
.
4
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
三菱的LSI
M5M44800CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式4194304 - BIT （ 524288 - WORD 8 - BIT）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新，快速页模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，注释6,13,14 ）
范围
符号
t
REF
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
t
T
刷新周期时间
刷新周期时间*
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
30
18
5
0
10
13
0
0
8
13
0
0
13
13
1
参数
M5M44800C -5， -5S M5M44800C -6， -6S M5M44800C -7， -7S
单位
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
16.4
128
民
最大
16.4
128
民
最大
16.4
128
（注15 ）
37
（注16 ）
（注17 ）
25
7
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间，中国科学院高数据
延迟时间， OE高到数据
转换时间
注13：时序要求被假定
t
T
=5ns.
（注18 ）
（注18 ）
（注19 ）
（注19 ）
（注20 ）
50
40
20
5
0
10
15
0
0
10
15
0
0
15
15
1
45
30
10
50
50
20
5
0
10
15
0
0
10
15
0
0
20
20
1
50
35
10
50
记
14: V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
记
15:
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
小于
t
RCD （最大
） ，访问时间是
t
RAC
。如果
t
RCD
大于
t
RCD （最大）
，存取时间是
完全由控制
t
CAC
or
t
AA
.
记
16:
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
AA
.
记
17:
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
.
记
18 ：要么
t
DZC
or
t
DZO
必须得到满足。
记
19 ：要么
t
CDD
or
t
ODD
必须得到满足。
记
20:
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OCH
t
ORH
参数
M5M44800C -5， -5S M5M44800C -6， -6S M5M44800C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
列地址到RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
注21 ：要么
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
（注21 ）
（注21 ）
民
90
50
13
50
13
0
0
0
25
13
13
最大
10000
10000
民
110
60
15
60
15
0
0
0
30
15
15
最大
10000
10000
民
130
70
20
70
20
0
0
0
35
20
20
最大
10000
10000
5
M5M44800CJ ， TP - 5 ， -5S ：开发中
QQ：2881677436 复制
