M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位），动态RAM
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD由16位），动态RAM
描述
这是由16位动态RAM与家庭的262144字
超页模式机能的研究，制造与高性能
CMOS工艺制造，并且是理想的缓冲存储器系统
个人计算机图形和HDD其中高速，低
功耗和低成本是至关重要的。
采用双层金属化工艺技术和
单晶体管动态存储堆叠的电容器单元提供
以较低的成本高的电路密度。复用地址输入
允许既减少在销，并增加了系统
密度。自己或延长刷新电流足够低的
电池备份应用程序。
此装置具有2CAS和1W终端与一个刷新周期
512个周期的每8.2ms 。
三菱的LSI
三菱的LSI
引脚配置（顶视图）
(5V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
(5V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
V
SS
(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
特点
型号名称
M5M44265CXX-5,-5S
M5M44265CXX-6,-6S
M5M44265CXX-7,-7S
RAS
CAS
访问访问
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ）
OE
地址
ACCESS
ACCESS
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ）
动力
周期
耗散
时间
化
（ min.ns ） （ typ.mW ）
DQ
8 10
NC
11
NC
12
W
13
RAS
14
NC
15
A
0 16
A
1 17
A
2 18
A
3 19
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
625
550
475
XX = j的， TP
标准的40PIN SOJ ， 44引脚TSOP （ II ）
单5V ± 10 ％电源
低待机功耗
CMOS输入电平
5.5MW （最大）
CMOS输入电平
550μW （最大） *
工作功耗
M5M44265Cxx-5,-5S
688mW （最大）
M5M44265Cxx-6,-6S
605mW （最大）
M5M44265Cxx-7,-7S
523mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流
150μA （最大值）
扩展刷新功能
扩展刷新电流
150μA （最大值）
超页方式（ 512列随机存取） ，读 - 修改
写， RAS只刷新， CAS RAS刷新之前，隐藏刷新
的能力。
早期读写模式， OE和W来控制输出缓冲器阻抗
512刷新周期每8.2ms （A
0
~A
8
)
512刷新周期每128ms的（A
0
~A
8
)*
字节或字控制读/写操作（ 2CAS ， 1W型）
*
：适用于自刷新版本（ M5M44265CJ ， TP- 5S ， -6S ， -7S
：选项）只
(5V)V
CC
20
大纲40P0K （ 400mil SOJ ）
(5V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ4
(5V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
V
SS
(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8 10
应用
微型计算机的内存，内存刷新为CRT ，帧缓冲
内存CRT
NC
13
NC
14
W
15
RAS
16
NC
17
A
0 18
A
1 19
A
2 20
A
3 21
(5V)V
CC 22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
8
DQ
1
-DQ
16
RAS
LCAS
UCAS
W
OE
V
CC
V
SS
1
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
低字节控制
列地址选通输入
高字节控制
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（+ 5V）
地（ 0V ）
概述44P3W -R （ 400mil TSOP例正常弯曲）
NC ：无连接
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
功能
除了超页模式下，正常的读，写和读
修改 - 写操作的M5M44265CJ ， TP提供了许多
of
其他功能，如RAS只刷新和延迟写。该
输入条件为每个列于表1中。
表1输入条件为每个模式
手术
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
RAS只刷新
隐藏刷新
CAS RAS之前（扩展
*
）刷新
输入
RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
LCAS
法案
NAC
法案
法案
NAC
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
UCAS
NAC
法案
法案
NAC
法案
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
W
NAC
NAC
NAC
法案
法案
法案
DNC
NAC
DNC
DNC
DNC
OE
法案
法案
法案
NAC
NAC
NAC
DNC
法案
DNC
DNC
DNC
DQ
1
-DQ
8
D
OUT
OPN
D
OUT
D
IN
DNC
D
IN
OPN
D
OUT
OPN
OPN
OPN
输入/输出
DQ
9
-DQ
16
OPN
D
OUT
D
OUT
DNC
D
IN
D
IN
OPN
D
OUT
OPN
OPN
OPN
自刷新*
待用
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， OPN ：开
框图
行地址
选通输入
RAS
低字节控制
列地址
LCAS
选通输入
高字节控制
UCAS
列地址
选通输入
写控制
输入
V
CC
(5V)
时钟发生器
电路
V
SS
(0V)
低
上
(8)LOWER
DATA IN
卜FF器
W
(8)LOWER
数据输出
卜FF器
DQ
1
DQ
2
较低的数据
输入/输出
DQ
8
V
CC
(5V)
V
SS
(0V)
A
0
~
A
8
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
（ 8 ） UPPER
DATA IN
卜FF器
地址输入
ROW
＆放大器;
COLU-
MN
添加 -
RESS
缓冲的
ER
SENSE刷新
放大器& I / O控制
(8)UPPER
数据输出
卜FF器
DQ
9
DQ
10
上面的数据
输入/输出
DQ
16
A
0
~
A
8
ROW
DECO
DER
记忆细胞
（ 4194304 BITS ）
V
CC
(5V)
V
SS
(0V)
OE
OUTPUT ENABLE
输入
2
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
条件
相到V
SS
评级
-1~7
-1~7
-1~7
50
1000
0~70
-65~150
（注1 ）
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
TA = 25℃
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
民
4.5
0
2.4
-0.5**
范围
喃
5.0
0
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
注1：所有电压值都是相对于V
SS.
: V
IL （ MIN ）
为-2.0V时的脉冲宽度小于25ns的。 （脉冲宽度是相对于Vss ）。
**
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
I
I
CC1(AV)
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
平均电源电流
从Vcc ，操作
M5M44265C-5,-5S
M5M44265C-6,-6S
测试条件
I
OH
=-2mA
I
OL
=2mA
Q浮动0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤
+ 6.0V ，其他输入引脚= 0V
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
=t
WC
=最小值。
输出开路
RAS CAS = = V
IH
，输出开路
I
CC2
从V电源电流
CC
，待机
（注6 ）
RAS CAS =
≥
V
CC
-0.5V
输出开路
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS = V
IL
中国科学院自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS CAS骑自行车
≤
0.2V或CAS
RAS刷新单车前
RAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
CAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
W
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
OE
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
A
0
~A
8
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
DQ =开
t
RC
= 250μs的，T
RAS
=t
RAS MIN
~1s
RAS CAS =
≤
0.2V
输出开路
（注2 ）
民
2.4
0
-10
-10
范围
典型值
最大
V
CC
0.4
10
10
125
110
95
2
1.0
0.1
*
125
110
95
125
110
95
115
100
85
单位
V
V
A
A
mA
（注3,4,5）
M5M44265C-7,-7S
mA
I
CC3(AV)
平均电源电流
M5M44265C-5,-5S
从Vcc ， RAS只
M5M44265C-6,-6S
刷新模式
（注3,5）
M5M44265C-7,-7S
平均电源电流
M5M44265C-5,-5S
从Vcc
M5M44265C-6,-6S
超页模式
（注3,4,5）
M5M44265C-7,-7S
平均电源电流
M5M44265C-5,-5S
从Vcc
CAS前RAS刷新
M5M44265C-6,-6S
（注3,5）
M5M44265C-7,-7S
模式
mA
I
CC4(AV)
mA
I
CC6(AV)
mA
I
CC8(AV)
*
平均电源电流
从V
CC
延长刷新模式
150
A
（注6 ）
I
CC9(AV)
*
记
记
记
记
从V平均供电电流
CC
自刷新模式
（注6 ）
150
A
3
2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3: I
CC1 （ AV ）
, I
CC3 （ AV ）
, I
CC4 （ AV ）
和我
CC6 （ AV ）
依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4: I
CC1 （ AV ）
我
CC4 （ AV ）
依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5 ：列地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
和CAS = V
IH
.
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
范围
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，注释6,14,15 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
OHC
t
高级代表办事处
t
CLZ
t
OEZ
t
WEZ
t
关闭
t
苏亚雷斯
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
Columu地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
从CAS输出保持时间
从RAS输出保持时间
中国科学院低输出低阻抗时间
OE高后输出禁止时间
输出禁止时间后，我们高
经过CAS高输出禁止时间
经过RAS高输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注13 ）
（注13 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
（注12,13 ）
（注12,13 ）
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
13
50
25
28
13
民
最大
15
60
30
33
15
民
最大
20
70
35
38
20
5
5
5
13
13
13
13
5
5
5
15
15
15
15
5
5
5
20
20
20
20
注6 ： 500微秒的初始暂停后电后至少8初始化周期（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前，需要
周期）。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间（大于8.2ms ）后
器件正常工作之前不活动的实现。
7 ：衡量一个负载电路等效于1TTL和50pF的。
参考电平，用于测量输出信号是2.0V （Ⅴ
OH
）和0.8V （V
OL
).
8 ：假设
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
和
t
CP
≥
t
CP （最大值）。
9 ：假设
t
RCD
≤
t
RCD （最大）
和
t
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了
t
RCD
超出显示的值。
10 ：假设
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
11 ：假设
t
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
12:
t
OEZ （最大）
,
t
WEZ （最大）
,
t
关（ MAX）的
和
t
REZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
±
10μA ），并且是不
参考V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
13 ：输出被禁用后，双方RAS和CAS去高。
4
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新和Hyper-页模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，参见注释14,15）
范围
符号
t
REF
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
参数
刷新周期时间
刷新周期时间
*
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
8.2
128
32
民
最大
8.2
128
38
民
最大
8.2
128
42
（注16 ）
（注17 ）
（注18 ）
30
18
5
0
8
13
0
0
8
8
0
0
13
13
13
1
40
20
5
0
10
15
0
0
10
10
0
0
15
15
15
1
50
20
5
0
25
10
30
13
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间， RAS高到数据
t
RDD
延迟时间，中国科学院高数据
t
CDD
延迟时间， OE高到数据
t
ODD
t
T
转换时间
注14：时序要求被假定
t
T
=2ns.
13
15
0
0
10
10
0
0
20
20
20
1
35
13
（注19 ）
（注19 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注21 ）
50
50
50
15: V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
16:
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
小于
t
RCD （最大）
，存取时间是
t
RAC
。如果
t
RCD
大于
t
RCD （最大
） ，访问时间是
完全由控制
t
CAC
or
t
AA
.
17:
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大
） ，存取时间是由专门受控
t
AA
.
18:
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
.
19 ：要么
t
DZC
or
t
DZO
必须得到满足。
20 ：要么
t
RDD
or
t
CDD
or
t
ODD
必须得到满足。
21:
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
ORH
t
OCH
参数
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
90
50
8
40
13
0
0
0
25
13
13
13
最大
10000
10000
民
110
60
10
48
15
0
0
0
30
18
15
15
最大
10000
10000
民
130
70
13
55
20
0
0
0
35
23
20
20
最大
10000
10000
（注22 ）
（注22 ）
列地址到RAS保持时间
列地址到CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
注22 ：要么
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
5
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位），动态RAM
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD由16位），动态RAM
描述
这是由16位动态RAM与家庭的262144字
超页模式机能的研究，制造与高性能
CMOS工艺制造，并且是理想的缓冲存储器系统
个人计算机图形和HDD其中高速，低
功耗和低成本是至关重要的。
采用双层金属化工艺技术和
单晶体管动态存储堆叠的电容器单元提供
以较低的成本高的电路密度。复用地址输入
允许既减少在销，并增加了系统
密度。自己或延长刷新电流足够低的
电池备份应用程序。
此装置具有2CAS和1W终端与一个刷新周期
512个周期的每8.2ms 。
三菱的LSI
三菱的LSI
引脚配置（顶视图）
(5V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
(5V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
V
SS
(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
特点
型号名称
M5M44265CXX-5,-5S
M5M44265CXX-6,-6S
M5M44265CXX-7,-7S
RAS
CAS
访问访问
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ）
OE
地址
ACCESS
ACCESS
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ）
动力
周期
耗散
时间
化
（ min.ns ） （ typ.mW ）
DQ
8 10
NC
11
NC
12
W
13
RAS
14
NC
15
A
0 16
A
1 17
A
2 18
A
3 19
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
625
550
475
XX = j的， TP
标准的40PIN SOJ ， 44引脚TSOP （ II ）
单5V ± 10 ％电源
低待机功耗
CMOS输入电平
5.5MW （最大）
CMOS输入电平
550μW （最大） *
工作功耗
M5M44265Cxx-5,-5S
688mW （最大）
M5M44265Cxx-6,-6S
605mW （最大）
M5M44265Cxx-7,-7S
523mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流
150μA （最大值）
扩展刷新功能
扩展刷新电流
150μA （最大值）
超页方式（ 512列随机存取） ，读 - 修改
写， RAS只刷新， CAS RAS刷新之前，隐藏刷新
的能力。
早期读写模式， OE和W来控制输出缓冲器阻抗
512刷新周期每8.2ms （A
0
~A
8
)
512刷新周期每128ms的（A
0
~A
8
)*
字节或字控制读/写操作（ 2CAS ， 1W型）
*
：适用于自刷新版本（ M5M44265CJ ， TP- 5S ， -6S ， -7S
：选项）只
(5V)V
CC
20
大纲40P0K （ 400mil SOJ ）
(5V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ4
(5V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
V
SS
(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8 10
应用
微型计算机的内存，内存刷新为CRT ，帧缓冲
内存CRT
NC
13
NC
14
W
15
RAS
16
NC
17
A
0 18
A
1 19
A
2 20
A
3 21
(5V)V
CC 22
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
8
DQ
1
-DQ
16
RAS
LCAS
UCAS
W
OE
V
CC
V
SS
1
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
低字节控制
列地址选通输入
高字节控制
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（+ 5V）
地（ 0V ）
概述44P3W -R （ 400mil TSOP例正常弯曲）
NC ：无连接
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
功能
除了超页模式下，正常的读，写和读
修改 - 写操作的M5M44265CJ ， TP提供了许多
of
其他功能，如RAS只刷新和延迟写。该
输入条件为每个列于表1中。
表1输入条件为每个模式
手术
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
RAS只刷新
隐藏刷新
CAS RAS之前（扩展
*
）刷新
输入
RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
LCAS
法案
NAC
法案
法案
NAC
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
UCAS
NAC
法案
法案
NAC
法案
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
W
NAC
NAC
NAC
法案
法案
法案
DNC
NAC
DNC
DNC
DNC
OE
法案
法案
法案
NAC
NAC
NAC
DNC
法案
DNC
DNC
DNC
DQ
1
-DQ
8
D
OUT
OPN
D
OUT
D
IN
DNC
D
IN
OPN
D
OUT
OPN
OPN
OPN
输入/输出
DQ
9
-DQ
16
OPN
D
OUT
D
OUT
DNC
D
IN
D
IN
OPN
D
OUT
OPN
OPN
OPN
自刷新*
待用
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：才不管， OPN ：开
框图
行地址
选通输入
RAS
低字节控制
列地址
LCAS
选通输入
高字节控制
UCAS
列地址
选通输入
写控制
输入
V
CC
(5V)
时钟发生器
电路
V
SS
(0V)
低
上
(8)LOWER
DATA IN
卜FF器
W
(8)LOWER
数据输出
卜FF器
DQ
1
DQ
2
较低的数据
输入/输出
DQ
8
V
CC
(5V)
V
SS
(0V)
A
0
~
A
8
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
（ 8 ） UPPER
DATA IN
卜FF器
地址输入
ROW
＆放大器;
COLU-
MN
添加 -
RESS
缓冲的
ER
SENSE刷新
放大器& I / O控制
(8)UPPER
数据输出
卜FF器
DQ
9
DQ
10
上面的数据
输入/输出
DQ
16
A
0
~
A
8
ROW
DECO
DER
记忆细胞
（ 4194304 BITS ）
V
CC
(5V)
V
SS
(0V)
OE
OUTPUT ENABLE
输入
2
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
条件
相到V
SS
评级
-1~7
-1~7
-1~7
50
1000
0~70
-65~150
（注1 ）
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
TA = 25℃
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
民
4.5
0
2.4
-0.5**
范围
喃
5.0
0
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
注1：所有电压值都是相对于V
SS.
: V
IL （ MIN ）
为-2.0V时的脉冲宽度小于25ns的。 （脉冲宽度是相对于Vss ）。
**
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
I
I
CC1(AV)
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
平均电源电流
从Vcc ，操作
M5M44265C-5,-5S
M5M44265C-6,-6S
测试条件
I
OH
=-2mA
I
OL
=2mA
Q浮动0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤
+ 6.0V ，其他输入引脚= 0V
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
=t
WC
=最小值。
输出开路
RAS CAS = = V
IH
，输出开路
I
CC2
从V电源电流
CC
，待机
（注6 ）
RAS CAS =
≥
V
CC
-0.5V
输出开路
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS = V
IL
中国科学院自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS CAS骑自行车
≤
0.2V或CAS
RAS刷新单车前
RAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
CAS
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
W
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
OE
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
A
0
~A
8
≤
0.2V或
≥
V
CC
-0.2V
DQ =开
t
RC
= 250μs的，T
RAS
=t
RAS MIN
~1s
RAS CAS =
≤
0.2V
输出开路
（注2 ）
民
2.4
0
-10
-10
范围
典型值
最大
V
CC
0.4
10
10
125
110
95
2
1.0
0.1
*
125
110
95
125
110
95
115
100
85
单位
V
V
A
A
mA
（注3,4,5）
M5M44265C-7,-7S
mA
I
CC3(AV)
平均电源电流
M5M44265C-5,-5S
从Vcc ， RAS只
M5M44265C-6,-6S
刷新模式
（注3,5）
M5M44265C-7,-7S
平均电源电流
M5M44265C-5,-5S
从Vcc
M5M44265C-6,-6S
超页模式
（注3,4,5）
M5M44265C-7,-7S
平均电源电流
M5M44265C-5,-5S
从Vcc
CAS前RAS刷新
M5M44265C-6,-6S
（注3,5）
M5M44265C-7,-7S
模式
mA
I
CC4(AV)
mA
I
CC6(AV)
mA
I
CC8(AV)
*
平均电源电流
从V
CC
延长刷新模式
150
A
（注6 ）
I
CC9(AV)
*
记
记
记
记
从V平均供电电流
CC
自刷新模式
（注6 ）
150
A
3
2：电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
3: I
CC1 （ AV ）
, I
CC3 （ AV ）
, I
CC4 （ AV ）
和我
CC6 （ AV ）
依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4: I
CC1 （ AV ）
我
CC4 （ AV ）
依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5 ：列地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
和CAS = V
IH
.
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
范围
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，注释6,14,15 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
OHC
t
高级代表办事处
t
CLZ
t
OEZ
t
WEZ
t
关闭
t
苏亚雷斯
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
Columu地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
从CAS输出保持时间
从RAS输出保持时间
中国科学院低输出低阻抗时间
OE高后输出禁止时间
输出禁止时间后，我们高
经过CAS高输出禁止时间
经过RAS高输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注13 ）
（注13 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
（注12,13 ）
（注12,13 ）
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
13
50
25
28
13
民
最大
15
60
30
33
15
民
最大
20
70
35
38
20
5
5
5
13
13
13
13
5
5
5
15
15
15
15
5
5
5
20
20
20
20
注6 ： 500微秒的初始暂停后电后至少8初始化周期（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前，需要
周期）。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间（大于8.2ms ）后
器件正常工作之前不活动的实现。
7 ：衡量一个负载电路等效于1TTL和50pF的。
参考电平，用于测量输出信号是2.0V （Ⅴ
OH
）和0.8V （V
OL
).
8 ：假设
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
和
t
CP
≥
t
CP （最大值）。
9 ：假设
t
RCD
≤
t
RCD （最大）
和
t
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了
t
RCD
超出显示的值。
10 ：假设
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
11 ：假设
t
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
12:
t
OEZ （最大）
,
t
WEZ （最大）
,
t
关（ MAX）的
和
t
REZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
±
10μA ），并且是不
参考V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
13 ：输出被禁用后，双方RAS和CAS去高。
4
三菱的LSI
M5M44265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （超页模式） 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新和Hyper-页模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
=5V±10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，参见注释14,15）
范围
符号
t
REF
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
参数
刷新周期时间
刷新周期时间
*
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
8.2
128
32
民
最大
8.2
128
38
民
最大
8.2
128
42
（注16 ）
（注17 ）
（注18 ）
30
18
5
0
8
13
0
0
8
8
0
0
13
13
13
1
40
20
5
0
10
15
0
0
10
10
0
0
15
15
15
1
50
20
5
0
25
10
30
13
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间， RAS高到数据
t
RDD
延迟时间，中国科学院高数据
t
CDD
延迟时间， OE高到数据
t
ODD
t
T
转换时间
注14：时序要求被假定
t
T
=2ns.
13
15
0
0
10
10
0
0
20
20
20
1
35
13
（注19 ）
（注19 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注20 ）
（注21 ）
50
50
50
15: V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
16:
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
小于
t
RCD （最大）
，存取时间是
t
RAC
。如果
t
RCD
大于
t
RCD （最大
） ，访问时间是
完全由控制
t
CAC
or
t
AA
.
17:
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤
t
ASC （最大
） ，存取时间是由专门受控
t
AA
.
18:
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD
≥
t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥
t
ASC （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
.
19 ：要么
t
DZC
or
t
DZO
必须得到满足。
20 ：要么
t
RDD
or
t
CDD
or
t
ODD
必须得到满足。
21:
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
ORH
t
OCH
参数
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
M5M44265C -5， -5S M5M44265C -6， -6S M5M44265C -7， -7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
90
50
8
40
13
0
0
0
25
13
13
13
最大
10000
10000
民
110
60
10
48
15
0
0
0
30
18
15
15
最大
10000
10000
民
130
70
13
55
20
0
0
0
35
23
20
20
最大
10000
10000
（注22 ）
（注22 ）
列地址到RAS保持时间
列地址到CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
注22 ：要么
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
5
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