三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
描述
这是由4位动态随机存取存储器一族4194304字，
制造具有高性能的CMOS工艺制造，并且是理想
对于大容量的存储器系统，其中高速，低功率
耗散和低的成本是必要的。
采用双层金属工艺结合双阱
CMOS技术和单晶体管动态存储堆叠
电容器电池提供高的电路密度，同时降低成本。
复用地址输入允许既减少了引脚和
增加系统的密度。
引脚说明
引脚名称
A
0
~ A
11
DQ
1
？ DQ
4
RAS
CAS
W
OE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（+ 5V）
地（ 0V ）
引脚配置（顶视图）
特点
RAS
CAS
ACCESS
时间
（ max.ns ）
地址
ACCESS
时间
（ max.ns ）
OE
ACCESS
时间
（ max.ns ）
周期
时间
（ min.ns ）
动力
耗散
化
（ typ.mW ）
型号名称
ACCESS
时间
（ max.ns ）
M5M417400CXX-5,-5S
M5M417400CXX-6,-6S
M5M417400CXX-7,-7S
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
655
540
475
XX = j的， TP
标准26引脚SOJ ， 26引脚TSOP
= 5V单
±
10 ％供应
低待机功耗
5.5MW （最大） ................................. CMOS输入电平
2.2mW （最大） * ......................... CMOS输入电平
低工作功耗
M5M417400Cxx - 5 ， -5S .................... 800.0mW （最大）
M5M417400Cxx - 6 ， -6S .................... 660.0mW （最大）
M5M417400Cxx - 7 ， -7S .................... 580.0mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流................................ 200.0
A（最大值）
概述26P0D -B （ 300MIL SOJ ）
快速页模式下，读 - 修改 - 写， RAS只刷新
RAS刷新，隐藏刷新功能CAS之前
早期写模式和OE控制输出缓冲器阻抗
所有输入，输出TTL兼容，低电容
2048刷新周期每32毫秒（A
0
~ A
10
)
*适用于自刷新版本（ M5M417400CJ ， TP- 5S ， -6S ，
-7S ：选项）只
应用
计算机主存储器单元，微机存储器，刷新
内存CRT
概述26P3D -E （ 300MIL TSOP ）
NC ：无连接
1
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
功能
该M5M417400CJ ， TP提供，除了正常的读，写和读 - 修改 - 写操作，其他的一些功能，如快速
页面模式， RAS-只刷新和延迟写。输入条件为每个列于表1中。
表1输入条件为每个模式
输入
手术
读
写（早期写）
写（延迟写入）
读 - 修改 - 写
RAS -ONLY刷新
隐藏刷新
自刷新
CAS前RAS刷新
待用
RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
CAS
法案
法案
法案
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
W
NAC
法案
法案
法案
DNC
NAC
NAC
NAC
DNC
OE
法案
DNC
DNC
法案
DNC
法案
DNC
DNC
DNC
ROW
地址
APD
APD
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
COLUMN
地址
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
输入/输出
输入
OPN
VLD
VLD
VLD
DNC
OPN
DNC
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
IVD
VLD
OPN
VLD
OPN
OPN
OPN
刷新
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
NO
备注
快
页面
模式
相同
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：不关心， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
框图
2
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25°C
相到V
SS
参数
条件
评级
-1 ~ 7
-1 ~ 7
-1 ~ 7
50
1000
0 ~ 70
-65 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明） （注1）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
注1 ：
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
所有电压值都是相对于V
SS
.
参数
范围
民
4.5
0
2.4
-1.0**
喃
5
0
最大
5.5
0
5.5
0.8
单位
V
V
V
V
**: V
白细胞介素（分钟）
为-2.0V时冲宽度小于25ns的。 （冲宽度是相对于V
SS
.)
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明） （注2）
符号
V
OH
V
OL
l
OZ
I
I
I
CC1(AV)
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
平均电源电流
从V
CC
，工作
（注3,4 ）
I
CC2
从V电源电流
CC
，待机
平均电源电流
I
CC3 （ AV ）
从V
CC
，提神
（注3）
平均电源电流
I
CC4 （ AV ）
从V
CC
，快页模式
（注3,4 ）
从V平均供电电流
CC
,
I
CC6 （ AV ）
CAS前RAS刷新模式
（注3）
注2 ：
3:
4:
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
（注5 ）
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
参数
I
OH
= -5.0mA
I
OL
= 4.2毫安
Q浮动0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤5.5V,
其他输入引脚= 0V
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
= t
WC
=最小值。
输出开路
RAS CAS = = V
IH
，输出开路
RAS CAS =
≥
V
CC
-0.2V
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS = V
IL
中国科学院自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
测试条件
范围
民
2.4
0
-10
-10
典型值
最大
V
CC
0.4
10
10
145
120
105
2
0.5
145
120
105
80
70
60
145
120
105
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
V
A
A
电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
I
CC1
（ AV ） ，我
CC3
（ AV ） ，我
CC4
（ AV）和I
CC6
（ AV）都依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
I
CC1
（ AV）和I
CC4
（影音）是依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
3
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（OE）
C
I（ W）的
C
我（RAS）的
C
我（ CAS ）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容， OE输入
输入电容，写控制输入
输入电容，输入RAS
输入电容，输入CAS
输入/输出电容，数据端口
V
I
= V
SS
F = 1MHz的
V
I
= 25mVrms
测试条件
范围
民
典型值
最大
5
7
7
7
7
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，见注5，12， 13）的
范围
符号
参数
M5M417400C-5,-5S
民
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
注5 ：
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
中国科学院低输出低阻抗时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
（注6,7）
（注6,8）
（注6,9）
（注6 ，10）
（注6 ）
（注6 ）
（注11 ）
（注11 ）
5
0
0
13
13
最大
13
50
25
30
13
5
0
0
15
15
M5M417400C-6,-6S
民
最大
15
60
30
35
15
5
0
0
15
15
M5M417400C-7,-7S
民
最大
20
70
35
40
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
500的初始暂停
s被要求后跟最少八个初始化的RAS周期上电之后。在初始化周期应该做或者通过RAS-只
刷新周期或CAS RAS只刷新周期之前。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和任何8 RAS或RAS / CAS周期需要RAS闲置长时间（大于32毫秒）之后才
实现器件正常工作。
之后的初始化周期， RAS应保持或者高于V
IH（分钟）
或比V更低
白细胞介素（最大）
除了RAS过渡时间。
衡量一个负载电路相当于2个TTL负载和100pF的。
假设吨
RCD
≥
t
RCD （最大）
和T
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
假设吨
RCD
≤
t
RCD （最大）
和T
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果T
RCD
或T
拉德
大于该表中所示的最大推荐的值，叔
RAC
将金额增加了
t
RCD
超出显示的值。
假设吨
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和T
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
假设吨
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和T
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
t
关（ MAX）的
和T
OEZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
| ± 10
A
| ） ，而不是引用到V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
6:
7:
8:
9:
10:
11:
4
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新，快速页模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明。见注释12 ， 13 ）
范围
符号
参数
M5M417400C-5,-5S
民
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
t
T
13:
14:
15:
16:
17:
18:
19:
刷新周期时间
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间，中国科学院高数据
延迟时间， OE高到数据
转换时间
（注17 ）
（注17 ）
（注18 ）
（注18 ）
（注19 ）
（注16 ）
（注15 ）
（注14 ）
30
18
10
0
10
13
0
0
8
13
0
0
13
13
1
50
10
25
37
最大
32
40
20
10
0
10
15
0
0
10
15
0
0
15
15
1
50
10
30
45
M5M417400C-6,-6S
民
最大
32
50
20
10
0
10
15
0
0
10
15
0
0
15
15
1
50
10
35
50
M5M417400C-7,-7S
民
最大
32
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注12 ：时序要求假定吨
T
=为5ns 。
V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
小于吨
RCD （最大）
，存取时间为t
RAC
。如果T
RCD
大于吨
RCD （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
或T
AA
. t
RCD （分钟）
被指定为T
RCD （分钟）
= t
RAH （分钟）
+ 2t
H
+ t
ASC （分钟）
.
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和T
ASC
≤
t
ASC （最大）
，存取时间为t独占控制
AA
.
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
≥
t
RCD （最大）
和T
ASC
≥
t
ASC （最大）
，存取时间为t独占控制
CAC
.
要么吨
DZC
或T
DZO
必须得到满足。
要么吨
CDD
或T
ODD
必须得到满足。
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
参数
M5M417400C-5,-5S
民
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OCH
t
ORH
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
经过中科院读高建立时间
经过CAS低阅读保持时间
后RAS低的阅读保持时间
列地址到RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
（注20 ）
（注20 ）
90
50
13
50
13
0
0
10
25
13
13
10000
10000
最大
M5M417400C-6,-6S
民
110
60
15
60
15
0
0
10
30
15
15
10000
10000
最大
M5M417400C-7,-7S
民
130
70
20
70
20
0
0
10
35
20
20
10000
10000
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注20 ：要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
5
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
描述
这是由4位动态随机存取存储器一族4194304字，
制造具有高性能的CMOS工艺制造，并且是理想
对于大容量的存储器系统，其中高速，低功率
耗散和低的成本是必要的。
采用双层金属工艺结合双阱
CMOS技术和单晶体管动态存储堆叠
电容器电池提供高的电路密度，同时降低成本。
复用地址输入允许既减少了引脚和
增加系统的密度。
引脚说明
引脚名称
A
0
~ A
11
DQ
1
？ DQ
4
RAS
CAS
W
OE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（+ 5V）
地（ 0V ）
引脚配置（顶视图）
特点
RAS
CAS
ACCESS
时间
（ max.ns ）
地址
ACCESS
时间
（ max.ns ）
OE
ACCESS
时间
（ max.ns ）
周期
时间
（ min.ns ）
动力
耗散
化
（ typ.mW ）
型号名称
ACCESS
时间
（ max.ns ）
M5M417400CXX-5,-5S
M5M417400CXX-6,-6S
M5M417400CXX-7,-7S
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
655
540
475
XX = j的， TP
标准26引脚SOJ ， 26引脚TSOP
= 5V单
±
10 ％供应
低待机功耗
5.5MW （最大） ................................. CMOS输入电平
2.2mW （最大） * ......................... CMOS输入电平
低工作功耗
M5M417400Cxx - 5 ， -5S .................... 800.0mW （最大）
M5M417400Cxx - 6 ， -6S .................... 660.0mW （最大）
M5M417400Cxx - 7 ， -7S .................... 580.0mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流................................ 200.0
A（最大值）
概述26P0D -B （ 300MIL SOJ ）
快速页模式下，读 - 修改 - 写， RAS只刷新
RAS刷新，隐藏刷新功能CAS之前
早期写模式和OE控制输出缓冲器阻抗
所有输入，输出TTL兼容，低电容
2048刷新周期每32毫秒（A
0
~ A
10
)
*适用于自刷新版本（ M5M417400CJ ， TP- 5S ， -6S ，
-7S ：选项）只
应用
计算机主存储器单元，微机存储器，刷新
内存CRT
概述26P3D -E （ 300MIL TSOP ）
NC ：无连接
1
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
功能
该M5M417400CJ ， TP提供，除了正常的读，写和读 - 修改 - 写操作，其他的一些功能，如快速
页面模式， RAS-只刷新和延迟写。输入条件为每个列于表1中。
表1输入条件为每个模式
输入
手术
读
写（早期写）
写（延迟写入）
读 - 修改 - 写
RAS -ONLY刷新
隐藏刷新
自刷新
CAS前RAS刷新
待用
RAS
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
法案
NAC
CAS
法案
法案
法案
法案
NAC
法案
法案
法案
DNC
W
NAC
法案
法案
法案
DNC
NAC
NAC
NAC
DNC
OE
法案
DNC
DNC
法案
DNC
法案
DNC
DNC
DNC
ROW
地址
APD
APD
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
COLUMN
地址
APD
APD
APD
APD
DNC
DNC
DNC
DNC
DNC
输入/输出
输入
OPN
VLD
VLD
VLD
DNC
OPN
DNC
DNC
DNC
产量
VLD
OPN
IVD
VLD
OPN
VLD
OPN
OPN
OPN
刷新
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
NO
备注
快
页面
模式
相同
注： ACT ：激活， NAC ：非活动， DNC ：不关心， VLD ：有效， IVD ：无效， APD ：应用， OPN ：开
框图
2
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
TA = 25°C
相到V
SS
参数
条件
评级
-1 ~ 7
-1 ~ 7
-1 ~ 7
50
1000
0 ~ 70
-65 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明） （注1）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
注1 ：
电源电压
电源电压
高层次的输入电压时，所有的输入
低层次的输入电压，所有输入
所有电压值都是相对于V
SS
.
参数
范围
民
4.5
0
2.4
-1.0**
喃
5
0
最大
5.5
0
5.5
0.8
单位
V
V
V
V
**: V
白细胞介素（分钟）
为-2.0V时冲宽度小于25ns的。 （冲宽度是相对于V
SS
.)
电气特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明） （注2）
符号
V
OH
V
OL
l
OZ
I
I
I
CC1(AV)
高电平输出电压
低电平输出电压
关态输出电流
输入电流
平均电源电流
从V
CC
，工作
（注3,4 ）
I
CC2
从V电源电流
CC
，待机
平均电源电流
I
CC3 （ AV ）
从V
CC
，提神
（注3）
平均电源电流
I
CC4 （ AV ）
从V
CC
，快页模式
（注3,4 ）
从V平均供电电流
CC
,
I
CC6 （ AV ）
CAS前RAS刷新模式
（注3）
注2 ：
3:
4:
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
（注5 ）
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
M5M417400C-5,-5S
M5M417400C-6,-6S
M5M417400C-7,-7S
参数
I
OH
= -5.0mA
I
OL
= 4.2毫安
Q浮动0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
0V
≤
V
IN
≤5.5V,
其他输入引脚= 0V
RAS ， CAS骑自行车
t
RC
= t
WC
=最小值。
输出开路
RAS CAS = = V
IH
，输出开路
RAS CAS =
≥
V
CC
-0.2V
RAS骑自行车， CAS = V
IH
t
RC
=最小值。
输出开路
RAS = V
IL
中国科学院自行车
t
PC
=最小值。
输出开路
CAS前RAS刷新单车
t
RC
=最小值。
输出开路
测试条件
范围
民
2.4
0
-10
-10
典型值
最大
V
CC
0.4
10
10
145
120
105
2
0.5
145
120
105
80
70
60
145
120
105
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
V
A
A
电流流入到一个集成电路是正的，输出是负的。
I
CC1
（ AV ） ，我
CC3
（ AV ） ，我
CC4
（ AV）和I
CC6
（ AV）都依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
I
CC1
（ AV）和I
CC4
（影音）是依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
3
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（OE）
C
I（ W）的
C
我（RAS）的
C
我（ CAS ）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容， OE输入
输入电容，写控制输入
输入电容，输入RAS
输入电容，输入CAS
输入/输出电容，数据端口
V
I
= V
SS
F = 1MHz的
V
I
= 25mVrms
测试条件
范围
民
典型值
最大
5
7
7
7
7
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明，见注5，12， 13）的
范围
符号
参数
M5M417400C-5,-5S
民
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
注5 ：
从CAS访问时间
从RAS访问时间
列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
中国科学院低输出低阻抗时间
经过CAS高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
（注6,7）
（注6,8）
（注6,9）
（注6 ，10）
（注6 ）
（注6 ）
（注11 ）
（注11 ）
5
0
0
13
13
最大
13
50
25
30
13
5
0
0
15
15
M5M417400C-6,-6S
民
最大
15
60
30
35
15
5
0
0
15
15
M5M417400C-7,-7S
民
最大
20
70
35
40
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
500的初始暂停
s被要求后跟最少八个初始化的RAS周期上电之后。在初始化周期应该做或者通过RAS-只
刷新周期或CAS RAS只刷新周期之前。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和任何8 RAS或RAS / CAS周期需要RAS闲置长时间（大于32毫秒）之后才
实现器件正常工作。
之后的初始化周期， RAS应保持或者高于V
IH（分钟）
或比V更低
白细胞介素（最大）
除了RAS过渡时间。
衡量一个负载电路相当于2个TTL负载和100pF的。
假设吨
RCD
≥
t
RCD （最大）
和T
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
假设吨
RCD
≤
t
RCD （最大）
和T
拉德
≤
t
RAD （最大值）
。如果T
RCD
或T
拉德
大于该表中所示的最大推荐的值，叔
RAC
将金额增加了
t
RCD
超出显示的值。
假设吨
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和T
ASC
≤
t
ASC （最大）
.
假设吨
CP
≤
t
CP（ MAX）的
和T
ASC
≥
t
ASC （最大）
.
t
关（ MAX）的
和T
OEZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
| ± 10
A
| ） ，而不是引用到V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
6:
7:
8:
9:
10:
11:
4
三菱的LSI
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
快速页模式16777216位（ 4194304 - WORD 4位）动态RAM
时序要求（读，写，读 - 修改 - 写，刷新，快速页模式周期）
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 5V ± 10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明。见注释12 ， 13 ）
范围
符号
参数
M5M417400C-5,-5S
民
t
REF
t
RP
t
RCD
t
CRP
t
RPC
t
CPN
t
拉德
t
ASR
t
ASC
t
RAH
t
CAH
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
t
T
13:
14:
15:
16:
17:
18:
19:
刷新周期时间
RAS高脉冲宽度
延迟时间， RAS低到CAS低
延迟时间CAS高到RAS低
延迟时间，高RAS到CAS低
CAS高脉冲宽度
从RAS低列地址的延迟时间
RAS低前行地址建立时间
CAS前低列地址建立时间
后RAS低行地址保持时间
经过CAS低列地址保持时间
延迟时间，数据CAS低
延迟时间，数据到OE低
延迟时间，中国科学院高数据
延迟时间， OE高到数据
转换时间
（注17 ）
（注17 ）
（注18 ）
（注18 ）
（注19 ）
（注16 ）
（注15 ）
（注14 ）
30
18
10
0
10
13
0
0
8
13
0
0
13
13
1
50
10
25
37
最大
32
40
20
10
0
10
15
0
0
10
15
0
0
15
15
1
50
10
30
45
M5M417400C-6,-6S
民
最大
32
50
20
10
0
10
15
0
0
10
15
0
0
15
15
1
50
10
35
50
M5M417400C-7,-7S
民
最大
32
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注12 ：时序要求假定吨
T
=为5ns 。
V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。
t
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
小于吨
RCD （最大）
，存取时间为t
RAC
。如果T
RCD
大于吨
RCD （最大）
，存取时间由专门受控
t
CAC
或T
AA
. t
RCD （分钟）
被指定为T
RCD （分钟）
= t
RAH （分钟）
+ 2t
H
+ t
ASC （分钟）
.
t
RAD （最大值）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
≥
t
RAD （最大值）
和T
ASC
≤
t
ASC （最大）
，存取时间为t独占控制
AA
.
t
ASC （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
≥
t
RCD （最大）
和T
ASC
≥
t
ASC （最大）
，存取时间为t独占控制
CAC
.
要么吨
DZC
或T
DZO
必须得到满足。
要么吨
CDD
或T
ODD
必须得到满足。
t
T
V的测量
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
.
阅读和更新周期
范围
符号
参数
M5M417400C-5,-5S
民
t
RC
t
RAS
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
拉尔
t
OCH
t
ORH
读周期时间
RAS的低脉冲宽度
CAS低脉冲宽度
CAS RAS低后保持时间
RAS CAS低后保持时间
经过中科院读高建立时间
经过CAS低阅读保持时间
后RAS低的阅读保持时间
列地址到RAS保持时间
OE后低CAS保持时间
OE后低RAS保持时间
（注20 ）
（注20 ）
90
50
13
50
13
0
0
10
25
13
13
10000
10000
最大
M5M417400C-6,-6S
民
110
60
15
60
15
0
0
10
30
15
15
10000
10000
最大
M5M417400C-7,-7S
民
130
70
20
70
20
0
0
10
35
20
20
10000
10000
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注20 ：要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
5
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