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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第76页 > M5M29WB161BWG
三菱的LSI
M5M29GB/T160BVP-80
16777216位（ 2097,152 -字×8位/ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
描述
三菱手机FLASH M5M29GB / T160BVP是3.3V ，仅高速16777216位CMOS引导块闪存的记忆
交替BGO （回地面操作）功能。该装置的BGO功能允许编程或擦除操作的执行
要对其他银行执行的一个银行，而装置同时允许读操作。这BGO特点适合于
移动和个人计算和通信产品。该M5M29GB / T160BVP由CMOS技术制造的
可在48PIN TSOP （Ⅰ）的外围电路和DINOR （分裂位线NOR）体系结构的存储器单元，和。
特点
组织
.................................
1048,576字X 16位
.................................
2,097,152字×8位
BOOT BLOCK
M5M29GB160BVP
........................
底部启动
M5M29GT160BVP
........................
热门引导
其他功能
软洁具命令控制
选择性块锁
擦除挂起/恢复
计划暂停/恢复
状态寄存器读
交替回地面编程/擦除操作
银行（ I）和银行（ II ）之间
包
48引脚，12毫米X 20毫米TSOP （ I型）
.............................
V
CC
= 2.7~3.6V
电源电压
................................
存取时间
..............................
80ns的（VCC = 3.3V +/- 0.3V ）
为90ns （VCC = 2.7 3.6V ）
功耗
.................................
54毫瓦（最大。在5MHz ）
读
（自动保存断电后）
..........
0.33mW （典型值）。
编程/擦除
.................................
126毫瓦（最大）
.................................
0.33mW （典型值）。
待机
深度掉电模式
.......................
0.33mW （典型值）。
的银行自动程序（一）
.................................
4毫秒（典型值）。
节目时间
程序单元
.........................
1word/1byte
（字节编程）
（页编程）
.........................
128word/256byte
的银行自动程序（ II ）
.................................
4毫秒（典型值）。
节目时间
.................................
128word/256byte
程序单元
自动擦除
.................................
40毫秒（典型值）。
擦除时间
擦除单元
银行（我）引导块
.....................
16KWord的/ 32K字节X 1
..............
参数块
16KWord的/ 32K字节×7
......................
32Kword / 64K字节×28
银行（ II ）主座
编程/擦除周期
应用
代码Strage
数字移动电话
电信
移动计算设备
PDA（个人数字助理）
汽车导航系统
视频游戏机
.........................................
100Kcycles
引脚配置（顶视图）
160BVP
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
19
NC
WE＃
RP ＃
NC
WP ＃
RY / BY ＃
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
160BVP
A
16
BYTE ＃
GND
DQ
15
/A-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE ＃
GND
CE＃
A
0
NC ：无连接
M5M29GB/T
160BVP
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
大纲48PIN TSOP I型（ 12× 20毫米）
VP（正常弯曲）
1
九月1999年修订版2.0
三菱的LSI
M5M29GB/T160BVP-80
16777216位（ 2097,152 -字×8位/ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
框图
地址
输入
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
RP ＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
128字的页面缓冲区
主座
32KW
V
CC
(3.3V)
28
银行（ II ）
GND （0V）
主座
参数Block7
参数Block6
参数BLOCK5
参数块4
参数块3
参数块2
参数块1
BOOT BLOCK
X解码器
银行（ I）
32KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
y解码器
Y型门/感应放大器。
状态/ ID寄存器
多路复用器
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
写保护输入
RESET / POWER DOWN输入
字节使能输入
READY / BUSY输出
崔
WSM
输入/输出
缓冲器
DQ
15
/A
-1
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
数据输入/输出
M5M29GB / T160BVP （ 8/16位版本）
2
九月1999年修订版2.0
三菱的LSI
M5M29GB/T160BVP-80
16777216位（ 2097,152 -字×8位/ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
功能
该M5M29GB / T160BVP包括片上编程/擦除
电路。写状态机（ WSM ）控制块擦除
和字节/页编程操作。经营模式
根据写入命令的用户界面中的命令选择
（ CUI） 。状态寄存器指示WSM的地位和
当WSM成功完成所需要的程序或
块擦除操作。
深层掉电模式被激活时， RP ＃引脚为GND ，
降低了功耗。
读
该M5M29GB / T160BVP有三种阅读模式，它访问
到所述存储器阵列，所述设备标识符和状态寄存器。
了适当的读命令都需要被写入到
崔。在最初的设备上电或由深后退出
断电时， M5M29GB / T160BVP自动复位阅读
阵列模式。在读阵列模式，低电平输入到CE＃和
OE＃ ，高电平输入到WE＃和反相＃ ，以及地址信号
地址输入端（ A19 -A - 1 ：字节模式下， A19 -A0 ：文字模式）输出
被寻址单元的数据输入/输出的数据
（ D7 - D0 ：字节模式， D15 - D0 ：文字模式） 。
写
写到崔使读取存储器阵列的数据，设备
标识符和读数和状态寄存器清零。他们
也使块擦除和编程。崔写的是
使WE＃为低电平，而CE＃为低电平和OE ＃是在
高的水平。地址和数据被锁止在较早的上升沿
的WE＃和CE ＃ 。标准的微处理器的写定时为
使用。
交替后台操作（ BGO ）
该M5M29GB / T160BVP允许从一个银行阵列读
而其他银行的操作软件命令写入循环
或者在背景擦除/编程操作。读
通过执行与BGO其他银行数组操作
改变银行的地址没有任何额外的命令。
当银行报告提出的软件命令银行
写循环或擦除/编程操作，该数据被
从状态寄存器读出。用锗酸铋的访问时间是
同正常读操作。
输出禁用
当OE ＃为VIH ，从设备输出被禁用。数据
输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。
待机
当CE＃为在VIH时，设备处于待机模式，并且它
功耗减小。数据输入/输出是在一
高阻抗（High -Z ）状态。如果内存取消
在块擦除或编程，内部控制电路
保持活跃，该设备正常消耗的有功功率
直到操作完成。
深度掉电
当RP ＃是为VIL ，该装置是在深断电
模式，其功耗是相当低的。中
阅读模式下，内存被取消和数据
输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。后
从断电恢复，崔复位到读阵列和
状态寄存器清为80H值。
在块擦除或编程模式， RP ＃低会中止
无论是操作。块的存储器阵列的数据被修改
变得无效。
自动省电（ APS ）
自动省电最大限度地减少了功率
在读模式下的消耗。自动装置
变为该模式时，任何地址或CE＃不改变
比上次交替后200ns的更多。电源
消耗变得一样的待机模式。而
在这种模式下，输出数据被锁存，并且可以读出。
新的数据被正确地读出时，地址被改变了。
3
九月1999年修订版2.0
三菱的LSI
M5M29GB/T160BVP-80
16777216位（ 2097,152 -字×8位/ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
软件命令定义
该设备操作通过编写特定的软件选择
命令到命令的用户界面。
读阵列命令
（ FFH ）
该设备是在初始器件上电时读阵列模式，
从深掉电退出后，或者通过写FFH的
命令的用户界面。开始内部操作的后
设备会自动设置为读状态寄存器模式。
阅读设备标识符命令
(90H)
它通常可以读取设备识别码时，读取设备
标识代码命令（ 90H ）写入命令锁存器。
以下的命令写入，制造商代码和
设备代码可以从地址00000H和00001H读，
分别。
读状态寄存器命令
(70H)
写读状态寄存器后，状态寄存器读
命令70H到命令的用户界面的。另外，后
开始内部操作的设备被设置为读取状态
自动注册模式。
状态寄存器的内容被锁定在后来的下跌
的OE ＃或CE ＃边缘。因此， CE ＃或OE ＃必须切换每个状态
读取。
清除状态寄存器命令
(50H)
擦除状态，程序状态和块状态位被设置为
由写状态机"1"s并只能通过清除复位
状态寄存器50H的命令。这些位表示不同
失败条件。
C）单数据加载到页面缓冲区（ 74H ）
/页缓冲区到Flash （ 0EH / D0H ）
单个数据加载到页缓冲器被写入74H执行
接着是第二写入指定列地址和
数据。不同的数据多达256字节/ 128word可以加载到
通过这两个命令序列页缓冲器。另一方面，
所有已加载的数据到页缓冲器的是程序性
同时被写入页面缓冲到Flash 0EH命令
其次D0H的确认指令。完成后
编程的页面缓冲区中的数据被自动清除。
此命令仅对银行（ I）相似字/字节编程。
清除页面缓冲区命令
(55H)
加载数据到页缓冲器被写入清除清除
55H的页面缓冲区命令后确认命令
的D0H 。该命令适用于由单结算加载数据
数据加载到页面缓冲区命令。
挂起/恢复命令
(B0H/D0H)
在块擦除写B0H的暂停命令
操作中断的块擦除操作，并且允许读出
从另一个内存块。写的暂停命令
在编程操作期间B0H中断程序的操作
并允许从存储器另一个块中读出。银行
写的时候暂停/恢复命令地址是必需的。
该设备将继续输出状态寄存器中读取数据时，
暂停命令后写入其中。轮询WSM
状态和暂停状态位将决定何时擦除
操作或编程操作已被暂停。在这
点读阵列命令写入到崔使
从块比其悬浮其它读取的数据。
当D0H的恢复命令写入CUI ，
在WSM将继续与擦除或编程过程。
数据保护
块擦除/确认命令
(20H/D0H)
自动块擦除是通过写块擦除启动
20H的命令，随后D0H的确认命令。一
要被擦除的块中的地址是必需的。在WSM
反复执行擦除脉冲应用和擦除验证
操作。
程序命令
A）字/字节编程（ 40H ）
字/字节的程序是由一个双指令序列执行。
40H的字/字节编程设置命令写入
命令接口，随后是第二写入指定
地址和数据被写入。在WSM控制程序
脉冲应用和验证操作。字/字节编程
命令仅对银行（ I） 。
B）页编程的数据块（ 41H ）
世行（ I）和银行（ II ）的页编程允许快速编程
128words /数据的256字节。 41H写入启动页面
程序操作为数据区域。从第二个周期到第257个
周期（字节模式）第129号周期（字模式） ，写数据必须是
串行输入。地址A6 - A0 ， A- 1 （字节模式） / A6 - A0 （字
模式），必须从00H到7FH / FFH递增。后
数据加载完成后， WSM控制所述编程脉冲
应用和验证操作。
该M5M29GB / T160BVP提供了可选择的块锁
存储器块。每个块具有相关联的非易失性锁定位
这就决定了该块的锁定状态。此外，该
M5M29GB / T160BVP有一个主写保护引脚（ WP ＃ ），这
防止了任何修改的存储器块，其锁定位
设置为"0" ，当WP＃为低电平。当WP ＃为高电平时，所有块可
编程或擦除的不管锁定位的状态下，
和锁定位被擦除清"1" 。看到块
LOCKING表9页的详细信息。
电源电压
当电源电压（Vcc ）小于V
LKO ，
低V
CC
锁定电压时，器件设置为只读模式。
V关于DC电气特性
LKO ，
见P.10
2延迟时间我们需要的任何设备的操作之前，
发起。的延迟时间是从时间的Vcc达到测
Vccmin （ 2.7V ） 。
在上电期间， RP ＃ = GND建议。飘落在忙
状态是不建议损坏器件的可能性。
存储器组织
该M5M29GB / T160BVP有一个32K字节引导块，七
32K字节参数块，银行（Ⅰ）和28 64K字节
对于银行主块（ II ） 。其它的块擦除独立
块阵列中。
4
九月1999年修订版2.0
三菱的LSI
M5M29GB/T160BVP-80
16777216位（ 2097,152 -字×8位/ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
三菱16M闪存型号名称
M 5米29G牛逼160B副总裁
工作电压：
29G ： 2.7 - 3.6V
标准/ BGO类型
29W ： 1.65 - 2.2V
标准/ BGO类型
引导块：
T：热门启动
B：底部启动
密度/写保护/
字Organizetion ：
160B ： 16M WP ＃ ， X8 / X16
161B ： 16M WP1 ＃ & ＃ WP2 ， X16
包装：
VP： 48PIN TSOP （ I） 12毫米X 20毫米（例正常引脚）
WG ： CSP球间距0.75毫米， 6×8阵列，采用7mm x 8.5毫米
5
九月1999年修订版2.0
三菱的LSI
M5M29GB/T161BWG
16777216位（ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
描述
三菱手机FLASH M5M29GB / T161BWG是3.3V ，仅高速16777216位CMOS引导块闪存的记忆
交替BGO （回地面操作）功能。该装置的BGO功能允许编程或擦除操作的执行
要对其他银行执行的一个银行，而装置同时允许读操作。这BGO特点适合于
移动和个人计算和通信产品。该M5M29GB / T161BWG由CMOS技术制造的
是外围电路和DINOR （分位线NOR）体系结构的存储器单元，并且，可以在6×8 -球的CSP （ 0.75毫米球
间距） 。
特点
组织
.................................
1048,576字X 16位
(M5M29GB/T161BWG)
BOOT BLOCK
M5M29GB161BWG
........................
底部启动
M5M29GT161BWG
........................
热门引导
其他功能
软洁具命令控制
选择性块锁
擦除挂起/恢复
计划暂停/恢复
状态寄存器读
交替回地面编程/擦除操作
银行（ I）和银行（ II ）之间
包
采用7mm x 8.5毫米CSP （芯片级封装）
- 6× 8球， 0.75毫米焊球间距
.............................
V
CC
= 2.7~3.6V
电源电压
................................
存取时间
..............................
为90ns （最大）
功耗
.................................
54毫瓦（最大。在5MHz ）
读
（自动保存断电后）
..........
0.33μW （典型值）。
.......................
126毫瓦（最大）
编程/擦除
.................................
0.33μW （典型值）。
待机
.......................
0.33μW （典型值）。
深度掉电模式
的银行自动程序（一）
.................................
4毫秒（典型值）。
节目时间
程序单元
（字节编程）
.........................
1word
（页编程）
.........................
128word
的银行自动程序（ II ）
.................................
4毫秒（典型值）。
节目时间
.................................
128word
程序单元
自动擦除
.................................
40毫秒（典型值）。
擦除时间
擦除单元
银行（我）引导块
.....................
16KWord的X 1
..............
16KWord的×7
参数块
银行（ II ）主座
......................
32Kword ×28
编程/擦除周期
.........................................
100Kcycles
应用
数字移动电话
电信
移动计算设备
PDA（个人数字助理）
汽车导航系统
视频游戏机
引脚配置（顶视图）
8.5mm
6
5
4
3
2
1
A13
A14
A15
A11
A10
A8
WE＃
A9
WP2 ＃ WP1 ＃
RP ＃
NC
A18
A19
A17
A6
A7
A5
A3
A4
A2
7.0mm
A12
NC
A1
A16
D14
D5
D11
D2
D8
CE＃
A0
NC
D15
D7
D6
D12
D4
D3
D9
D10
D0
D1
GND
GND
D13
VCC
OE ＃
指数
A
B
C D
E
F
G
H
M5M29GB/T161BWG
CSP （高度仅0.75mm ，焊球间距） ： 48FJA
16位版本
NC ：无连接
1
1999年9月。 Rev4.0
三菱的LSI
M5M29GB/T161BWG
16777216位（ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
框图
地址
输入
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE＃
OE ＃
WE＃
WP1#
WP2#
RP ＃
128字的页面缓冲区
主座
32KW
V
CC
(3.3V)
28
银行（ II ）
GND （0V）
主座
参数Block7
参数Block6
参数BLOCK5
参数块4
参数块3
参数块2
参数块1
BOOT BLOCK
X解码器
银行（ I）
32KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
16KW
y解码器
Y型门/感应放大器。
状态/ ID寄存器
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
写保护输入
写保护输入
RESET / POWER DOWN输入
多路复用器
崔
WSM
输入/输出
缓冲器
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
数据输入/输出
M5M29GB / T161BWG （ 16位版本）
2
1999年9月。 Rev4.0
三菱的LSI
M5M29GB/T161BWG
16777216位（ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
功能
该M5M29GB / T161BWG包括片上编程/擦除
电路。写状态机（ WSM ）控制块擦除
和字节/页编程操作。经营模式
根据写入命令的用户界面中的命令选择
（ CUI） 。状态寄存器指示WSM的地位和
当WSM成功完成所需要的程序或
块擦除操作。
深层掉电模式被激活时， RP ＃引脚为GND ，
降低了功耗。
读
该M5M29GB / T161BWG有三种阅读模式，它访问
到所述存储器阵列，所述设备标识符和状态寄存器。
了适当的读命令都需要被写入到
崔。在最初的设备上电或由深后退出
断电时， M5M29GB / T161BWG自动复位阅读
阵列模式。在读阵列模式，低电平输入到CE＃和
OE＃ ，高电平输入到WE＃和反相＃ ，以及地址信号
地址输入端（ A19 - A0 ： M5M29GB / T161BWG ）输出的数据
被寻址的位置到数据输入/输出
（ D15 - D0 ： M5M29GB / T161BWG ） 。
写
写到崔使读取存储器阵列的数据，设备
标识符和读数和状态寄存器清零。他们
也使块擦除和编程。崔写的是
使WE＃为低电平，而CE＃为低电平和OE ＃是在
高的水平。地址和数据被锁止在较早的上升沿
的WE＃和CE ＃ 。标准的微处理器的写定时为
使用。
交替后台操作（ BGO ）
该M5M29GB / T161BWG允许从一个银行阵列读
而其他银行的操作软件命令写入循环
或者在背景擦除/编程操作。读
通过执行与BGO其他银行数组操作
改变银行的地址没有任何额外的命令。
当银行报告提出的软件命令银行
写循环或擦除/编程操作，该数据被
从状态寄存器读出。用锗酸铋的访问时间是
同正常读操作。
输出禁用
当OE ＃为VIH ，从设备输出被禁用。数据
输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。
待机
当CE＃为在VIH时，设备处于待机模式，并且它
功耗减小。数据输入/输出是在一
高阻抗（High -Z ）状态。如果内存取消
在块擦除或编程，内部控制电路
保持活跃，该设备正常消耗的有功功率
直到操作完成。
深度掉电
当RP ＃是为VIL ，该装置是在深断电
模式，其功耗是相当低的。中
阅读模式下，内存被取消和数据
输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。后
从断电恢复，崔复位到读阵列和
状态寄存器清为80H值。
在块擦除或编程模式， RP ＃低会中止
无论是操作。块的存储器阵列的数据被修改
变得无效。
自动省电（ APS ）
自动省电最大限度地减少了功率
在读模式下的消耗。自动装置
变为该模式时，任何地址或CE＃不改变
比上次交替后200ns的更多。电源
消耗变得一样的待机模式。而
在这种模式下，输出数据被锁存，并且可以读出。
新的数据被正确地读出时，地址被改变了。
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1999年9月。 Rev4.0
三菱的LSI
M5M29GB/T161BWG
16777216位（ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
软件命令定义
该设备操作通过编写特定的软件选择
命令到命令的用户界面。
读阵列命令
（ FFH ）
该设备是在初始器件上电时读阵列模式，
从深掉电退出后，或者通过写FFH的
命令的用户界面。开始内部操作的后
设备会自动设置为读状态寄存器模式。
阅读设备标识符命令
(90H)
它通常可以读取设备识别码时，读取设备
标识代码命令（ 90H ）写入命令锁存器。
以下的命令写入，制造商代码和
设备代码可以从地址0000H和0001H中读取，
分别。
读状态寄存器命令
(70H)
写读状态寄存器后，状态寄存器读
命令70H到命令的用户界面的。另外，后
开始内部操作的设备被设置为读取状态
自动注册模式。
状态寄存器的内容被锁定在后来的下跌
的OE ＃或CE ＃边缘。因此， CE ＃或OE ＃必须切换每个状态
读取。
清除状态寄存器命令
(50H)
擦除状态，程序状态和块状态位被设置为
由写状态机"1"s并只能通过清除复位
状态寄存器50H的命令。这些位表示不同
失败条件。
C）单数据加载到页面缓冲区（ 74H ）
/页缓冲区到Flash （ 0EH / D0H ）
单个数据加载到页缓冲器被写入74H执行
接着是第二写入指定列地址和
数据。不同的数据多达128word可以加载到页
通过这两年的命令序列缓存。另一方面，所有的
加载的数据到页缓冲器同时程序性
通过编写页面缓冲，以0EH Flash的命令，随后的
确认D0H的命令。编程的完成之后
在页面缓冲器中的数据被自动清除。
此命令仅对银行（ I）相似的Word程序。
清除页面缓冲区命令
(55H)
加载数据到页缓冲器被写入清除清除
55H的页面缓冲区命令后确认命令
的D0H 。该命令适用于由单结算加载数据
数据加载到页面缓冲区命令。
挂起/恢复命令
(B0H/D0H)
在块擦除写B0H的暂停命令
操作中断的块擦除操作，并且允许读出
从另一个内存块。写的暂停命令
在编程操作期间B0H中断程序的操作
并允许从存储器另一个块中读出。银行
写的时候暂停/恢复命令地址是必需的。
该设备将继续输出状态寄存器中读取数据时，
暂停命令后写入其中。轮询WSM
状态和暂停状态位将决定何时擦除
操作或编程操作已被暂停。在这
点读阵列命令写入到崔使
从块比其悬浮其它读取的数据。
当D0H的恢复命令写入CUI ，
在WSM将继续与擦除或编程过程。
数据保护
块擦除/确认命令
(20H/D0H)
自动块擦除是通过写块擦除启动
20H的命令，随后D0H的确认命令。一
要被擦除的块中的地址是必需的。在WSM
反复执行擦除脉冲应用和擦除验证
操作。
程序命令
A） Word程序（ 40H ）
字程序是由一个双指令序列执行。该
40H的Word程序设置命令写入
命令接口，随后是第二写入指定
地址和数据被写入。在WSM控制程序
脉冲应用和验证操作。 Word程序
命令仅对银行（ I） 。
B）页编程的数据块（ 41H ）
世行（ I）和银行（ II ）的页编程允许快速编程
数据128words 。 41H写入启动页编程
操作为数据区域。从第二个周期到第129周，写
数据必须被串行输入。地址A6 -A0需要成为
从00h到7FH 。数据装载完毕后，将
WSM控制编程脉冲应用和验证操作。
该M5M29GB / T161BWG提供了可选择的块锁
存储器块。每个块具有相关联的非易失性锁定位
这就决定了该块的锁定状态。此外，该
M5M29GB / T161BWG有一个主写保护引脚（ WP1 ＃ &
WP2 ＃ ），其可以防止任何修改的存储器块，其
锁定位被设置为"0" ，当WP1 ＃或WP2 ＃是低电平。当WP1 ＃
& WP2 ＃高，所有的块进行编程或擦除
不管锁定位的状态下，与所述锁定位，是
通过擦除清"1" 。见块锁定表的P.9
详细信息。
电源电压
当电源电压（Vcc ）小于V
LKO ，
低V
CC
锁定电压时，器件设置为只读模式。
V关于DC电气特性
LKO ，
见第9页
2延迟时间我们需要的任何设备的操作之前，
发起。的延迟时间是从时间的Vcc达到测
Vccmin （ 2.7V ） 。
在上电期间， RP ＃ = GND建议。飘落在忙
状态是不建议损坏器件的可能性。
存储器组织
该M5M29GB / T161BWG有一个16KWord的引导块，七
16KWord的参数块，银行（Ⅰ）和28 32Kword
对于银行主块（ II ） 。其它的块擦除独立
块阵列中。
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1999年9月。 Rev4.0
三菱的LSI
M5M29GB/T161BWG
16777216位（ 1048,576 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
三菱16M闪存型号名称
M 5米29G牛逼160B WG
工作电压：
29G ： 2.7 - 3.6V
标准/ BGO类型
29W ： 1.65 - 2.2V
标准/ BGO类型
引导块：
T：热门启动
B：底部启动
密度/写保护/
字Organizetion ：
160B ： 16M WP1 ＃ ， X8 / X16
161B ： 16M WP1 ＃ & ＃ WP2 ， X16
包装：
VP： 48PIN TSOP （ I） 12毫米X 20毫米（例正常引脚）
WG ： CSP球间距0.75毫米， 6×8阵列，采用7mm x 8.5毫米
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1999年9月。 Rev4.0
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MC33178DR2G
MI-P7T-IWX
MAC04051
M38B41E1H-XXXXFP
MAX3243ECDBE4
MC100LVEP16MNR4G
M5LV-512/120-15VI
MM54HCT643J
MC14503BDR2
MCP6L1T-E/SN
MI-P5XW-IYY
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