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瑞萨的LSI
M5M29GB/T320VP-80
33554432位( 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD BY16 - BIT )
CMOS 3.3V -ONLY ,块擦除闪存
描述
移动FLASH M5M29GB / T320VP是3.3V ,仅高速33554432位CMOS引导块闪存产品交替BGO
(回地面操作)功能。该装置的BGO功能允许编程或擦除操作在一个银行的同时进行
该装置同时允许读操作可以在另一组来执行。这BGO特征是适合于移动和个人
计算和通信产品。该M5M29GB / T320VP由CMOS技术为外围电路制造和
DINOR (分裂位线NOR)体系结构的存储器单元,并且是在48PIN TSOP (Ⅰ)可用。
特点
组织
.................................
2097152字X 16位
.................................
4,194,304字×8位
BOOT BLOCK
M5M29GB320VP
M5M29GT320VP
........................
底部启动
........................
热门引导
电源电压
................................
..............................
V
CC
= 2.7 ~ 3.6V
存取时间
为90ns (VCC = 2.7 3.6V )
功耗
.................................
72毫瓦(最大。在5MHz )
(自动保存断电后)
..........
0.33μW (典型值)。
编程/擦除
.................................
126mW (最大)
.................................
0.33μW (典型值)。
待机
深度掉电模式
.......................
0.33μW (典型值)。
世行( I)和银行自动程序( II )
节目时间
.................................
4毫秒(典型值)。
程序单元
(字节编程)
.........................
1word/1byte
(页编程)
.........................
128word/256byte
对于银行( III)和银行自动程序(四)
节目时间
.................................
4毫秒(典型值)。
.................................
128word/256byte
程序单元
自动擦除
.................................
40毫秒(典型值)。
擦除时间
擦除单元
银行(我)引导块
.....................
4Kword / 8K字节×2
参数块
..............
4Kword / 8K字节×6
主座
......................
32Kword / 64K字节×7
银行( II )主座
......................
32Kword / 64K字节×8
银行( III )主座
......................
32Kword / 64K字节×24
银行( IV )主座
......................
32Kword / 64K字节×24
编程/擦除周期
.........................................
100Kcycles
..............................
80ns的(VCC = 3.0 3.6V )
其他功能
软洁具命令控制
选择性块锁
状态寄存器读
交替回地面编程/擦除操作
银行间( I) ,银行( II ) ,银行( III)和银行( IV )
48引脚,12毫米X 20毫米TSOP ( I型)
应用
代码Strage
数字移动电话
电信
移动计算设备
PDA(个人数字助理)
汽车导航系统
视频游戏机
引脚配置(顶视图)
320VP
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
19
A
20
WE#
RP #
NC
WP #
RY / BY #
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
320VP
A
16
BYTE #
GND
DQ
15
/A-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE #
GND
CE#
A
0
M5M29GB/T
320VP
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC :无连接
大纲48PIN TSOP I型( 12× 20毫米)
VP(正常弯曲)
1
48P3E-C
Rev3.0_48a_bazz
瑞萨的LSI
M5M29GB/T320VP-80
33554432位( 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD BY16 - BIT )
CMOS 3.3V -ONLY ,块擦除闪存
框图
128字的页面缓冲区
主座70
32KW
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
地址
输入
24
主座47
主座46
32KW
32KW
V
CC
(3.3V)
GND (0V)
24
X解码器
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
7
主座8
参数块7
32KW
4KW
4KW
4KW
4KW
主座23
主座22
32KW
32KW
8
主座15
主座14
32KW
32KW
6
参数块2
2
引导块1
引导块0
y解码器
Y型门/感应放大器。
状态/ ID寄存器
多路复用器
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
写保护输入
RESET / POWER DOWN输入
字节使能输入
READY / BUSY输出
CE#
OE #
WE#
WP #
RP #
BYTE #
RY / BY #
WSM
输入/输出
缓冲器
DQ
15
/A
-1
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
数据输入/输出
M5M29GB / T320VP ( 8/16位版本)
32M闪存型号名称
M 5米29G牛逼320副总裁
工作电压:
29G : 2.7 - 3.6V
标准/ BGO类型
29V : 2.3 - 2.7V
标准/ BGO类型
29W : 1.65 - 2.2V
标准/ BGO类型
引导块:
T:热门启动
B:底部启动
密度/写保护/
字Organizetion :
320 : 32M WP1 # , X8 / X16
包装:
VP: 48PIN TSOP ( I) 12毫米X 20毫米(例正常引脚)
2
Rev3.0_48a_bazz
瑞萨的LSI
M5M29GB/T320VP-80
33554432位( 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD BY16 - BIT )
CMOS 3.3V -ONLY ,块擦除闪存
立邦大厦, 6-2 ,大手町2丁目,千代田区,东京,日本100-0004
保持安全第一在你的电路设计!
瑞萨科技公司投入最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致
人身伤害,火灾或财产damage.Remember让您的电路设计时充分考虑到安全性给予,用适当的措施,例如(i )配售的替代,辅助电路,(二)使用不可燃
材料或(iii )预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技的产品最适合客户的应用的选择;他们不构成对任何知识产权的任何许可
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瑞萨科技公司不承担任何损失或侵犯任何第三方的权利概不负责,对原产于使用任何的产品数据,图,表,程序,算法或电路的应用
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医疗,航空航天,核能,或海底中继器的使用。
瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可从日本政府出口,不能导入超过核定以外的国家
目的地。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
请联系瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
REJ03C0025
2003瑞萨科技公司
新的出版物, 2003年4月生效。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
Rev3.0_48a_bazz
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