瑞萨的LSI
M5M29KB/T331AVP
33554432位（ 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD 16位）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
描述
该M5M29KB / T331AVP是3.3V ，仅高速
33554432位CMOS引导块闪存与
交替BGO （回地面操作）功能。在BGO
该设备的功能允许编程或擦除操作是
在一个存储体进行的，而装置同时允许
读操作可以在另一组来执行。
这BGO特征是适合于移动和个人
计算和通信产品。
M5M29KB / T331AVP提供了软件锁定释放
功能。通常，所有的存储器块被锁定，并且不能
进行编程或擦除，当WP＃为低电平。使用软件
解锁功能，编程或擦除操作即可
执行。
特点
存取时间
随机
页面
70ns的（最大）
25ns(Max.)
VCC = 3.0 3.6V
该M5M29KB / T331AVP由CMOS技术电源电压制造
TA = -40 + 85
°C
对所述外围电路和DINOR IV（分位线NOR IV）的环境温度
体系结构的存储器单元，并且在48PIN可用
包
48PIN TSOP （ I型） ，引脚间距0.5毫米
TSOP （ I）无铅使用。
外引线整理：锡铜
应用
数字酒窖电话，电信，
PDA ，车载导航系统，视频游戏机
引脚配置（顶视图）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE＃
RP ＃
NC
WP ＃
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
M5M29KB/T331AVP
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
GND
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
GND
CE＃
A0
12.0 mm
20.0 mm
VCC
GND
A0-A21
DQ0-DQ15
CE＃
OE ＃
： VCC
： GND
：地址
：数据I / O
：芯片使能
：输出使能
WE＃
WP ＃
RP ＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
NC
：写使能
：写保护
：复位掉电
：字节使能
：就绪/忙
：无连接
概要
48P3R-C
1
Rev.1.0_48a_bezz
瑞萨的LSI
M5M29KB/T331AVP
33554432位（ 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD 16位）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
32M闪存框图
VCC
GND
A0到A20
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
RP ＃
BYTE ＃
32兆DINOR IV
FL灰内存
RY / BY ＃
DQ0到DQ15
电容
符号
CIN
参数
条件
TA = 25° C，F = 1MHz时，
Vin=Vout=0V
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
12
12
单位
pF
pF
输入
A20 - A0 ， OE ＃ ， WE＃ ， CE ＃ ， WP ＃ ，
电容RP ＃ ， BYTE ＃
产量
COUT
DQ15-DQ0,RY/BY#
电容
2
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M5M29KB/T331AVP
33554432位（ 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD 16位）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
快闪记忆体部分
描述
在32M位DINOR IV （分位线NOR IV ）闪存
内存为3.3V ，仅高速33554432位CMOS
引导块闪存。交替BGO （回地面
该设备的操作）功能允许编程或擦除
操作可以在一个存储体，而该设备执行
同时允许执行读操作
在其他银行。这BGO特点适合于
通讯产品和移动phone.The闪光
内存采用CMOS工艺制造的
外围电路和DINOR IV架构的
存储器单元。
- 自动清除
擦除时间
擦除单元
银行（ I）
BOOT BLOCK
主座
银行（ II ）
银行（ III ）
银行（ IV ）
- 引导块
主座
主座
主座
4K字X2 / 8K字节X2
32K字X7 / 64K字节X7
32K字×8 / 64K字节X8
32K字×24 / 64K字节X24
32K字×24 / 64K字节X24
100Kcycles
参数块4K字5233 / 8K字节5233
主座
150毫秒/块（典型值）。
- 编程/擦除周期
底部启动
2,097,152字×16位
4194304字节×8位
- 电源电压
- 访问时间
随机访问
随机读取页
- 阅读
- 页读
（后自动关机）
- 编程/擦除
待机
深度掉电模式
节目时间
Word程序
字节编程
页编程
程序单元
字/字节编程
页编程
1个字/ 1字节
128字/ 256字节
30s/word(typ.)
30s/byte(typ.)
4ms(typ.)
70ns(Max.)
25ns(Max.)
108mW （最大。在5MHz ）
36MW （最大）
0.33W(typ.)
126mW(Max.)
0 33μW （典型值）。
0 33μW （典型值）。
VCC - 3.0
~
3.6V
热门引导
M***B33******
M***T33******
特点
·机构
- 其他功能
软件指令控制
软件锁版本（当WP＃为低电平）
擦除挂起/恢复
计划暂停/恢复
状态寄存器读
交替回地面编程/擦除操作
银行间（ I） ，银行（ II ） ，银行（ III）和银行（ IV ）
随机读取页
- 自动规划纲要银行（ I） - 银行（ IV ）
3
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M5M29KB/T331AVP
33554432位（ 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD 16位）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
框图（ 32兆闪存）
128word页面缓存
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
X解码器
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主座70 32Kword
银行（ IV ）
24blocks
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主座47 32Kword
主座46 32Kword
VCC
GND
银行（ III ）
24blocks
地址
A10
输入
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
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主座23 32Kword
主座22 32Kword
银行（ II ）
8blocks
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主座15 32Kword
主座14 32Kword
·
银行（ I）
15blocks
主座8 32Kword
参数块7 4Kword
·
参数块2 4Kword
引导块1 4Kword
引导块0 4Kword
y解码器
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Y型门/感应放大器。
···························
状态/ ID寄存器
多路复用器
芯片
启用
CE＃
输出使能OE ＃
···························
命令
用户
接口
写使能
WE＃
写
WP ＃
保护
RESET
RP ＃
/关机
字节
就绪/忙
BYTE ＃
写
状态
机
I / O缓冲器
···························
RY /
BY ＃
···························
DQ15
/ A-1
DQ14
数据I / O
DQ1 DQ0
4
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33554432位（ 4,194,304 - WORD 8 - BIT / 2097152 - WORD 16位）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
闪存的功能
在32M位DINOR IV闪存包括片
编程/擦除控制电路。写状态机
（ WSM ）控制块擦除和字/页编程
操作。操作模式是由所选择的
命令写入命令的用户界面（ CUI） 。
状态寄存器指示WSM的地位和
当WSM成功完成预期的
程序或块擦除操作。
一个深度掉电模式被激活时， RP ＃引脚
为GND ，降低功耗。
输出禁用
当OE ＃为VIH ，从设备输出被禁用。
数据输入/输出是在高阻抗（高Z）状态。
待机
当CE＃为在VIH时，设备处于待机模式
并且其功率消耗被降低。数据输入/输出
处于高阻抗（高Z）状态。如果内存
在块擦除或编程，内部取消
控制电路保持活跃，该器件的功耗
正常的有功功率，直到操作完成。
深度掉电
读
在32M位DINOR IV闪存具有四个读
模式，它访问到所述存储器阵列，所述页
阅读的设备标识符和状态寄存器。该
需要适当的读命令，将被写入到
崔。在初始器件上电时或出口后，
深度掉电时， 32M位DINOR IV闪存
自动复位到读阵列模式。在读出阵列
模式，并在条件为低电平输入到OE＃ ，
高电平输入到WE＃和RP ＃ ，低电平输入到CE＃
和地址信号的地址输入（ A 20 - A 0 ：
字模式/ A20 -A - 1 ：字节模式）的数据
寻址单元的数据输入/输出（ DQ15 - DQ0 ：
字模式/ DQ7- DQ0 ：字节模式）输出。
当RP ＃是为VIL ，该装置是在深度掉电
模式，其功耗是相当低的。
在读模式下，内存被取消和数据
输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。后
从动力返回了下来，崔复位到读阵列，
和状态寄存器清零为80H价值。
在块擦除或编程模式， RP ＃低会中止
无论是操作。该块是存储阵列数据
涂改无效。
自动关机（自动-PD ）
自动关机最大限度地减少了功率
在读模式下的消耗。自动装置
转向这种模式下，当任何地址或CE ＃不
最后的交替变化后超过200纳秒。该
功率消耗变得一样的待机
模式。在此模式下，输出数据被锁存，并且可以
被读出。新的数据是正确的，当读出
地址被改变了。
写
写到崔使读取存储器阵列的数据，
设备标识符以及阅读和状态的清算
注册。它们还支持块擦除和编程。该
崔写的是把WE ＃为低电平， OE ＃为
高的水平，而CE＃为低电平。地址和数据
锁存， WE＃和CE ＃较早上升沿。
标准微处理器的写时序被使用。
BBR （回行数组读）
在32M位DINOR IV闪存，当一个人
存储器地址是根据一读模式中的读
箱子一样的访问时，读取模式
命令输入，另一家银行存储的数据可以
通过改变另一个读出（随机或页面模式）
银行地址。
交替后台操作（ BGO ）
在32M位DINOR IV闪存允许读
从一个银行阵列，而其他银行的操作
软件命令写入骑自行车或擦除/
编程操作在后台进行。阵列读
被执行的操作与BGO其他银行
改变的存储单元地址而无需任何附加
命令。当银行报告提出在银行
软件命令写入骑自行车或擦除/
编程操作，将数据从读出的
状态寄存器。用锗酸铋的存取时间是相同的
正常的读操作。 BGO必须是银行（ I）之间，
银行（ II ） ，银行（ III）和银行（ IV ） 。
5
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