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三菱的LSI
三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
描述
三菱M5M29FB / T800FP ，副总裁， RV是3.3V ，仅高速8,388,608位CMOS引导块闪存产品适合
移动和个人计算和通信产品。该M5M29FB / T800FP ，副总裁， RV都采用CMOS技术制造
是在44针的SOP或48PIN可用的外围电路和DINOR （分裂位线NOR）体系结构的存储器单元，以及
TSOP （Ⅰ） 。
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
特点
.................................
524,288字X 16位
.................................
1,048,576字×8位
.............................
V
CC
= 3.3V±0.3V
电源电压
................................
..............................
百分之八十零/ 120ns的（最大）
存取时间
组织
功耗
.......................
108毫瓦（最大）
读
.......................
144毫瓦（最大）
编程/擦除
.......................
0.72毫瓦（最大）
待机
深度掉电模式
.......................
3.3μW （典型值）。
自动编程
.......................
7.5ms （ TYP。）
节目时间
.................................
128word
程序单元
自动擦除
.................................
50毫秒（典型值）。
擦除时间
擦除单元
BOOT BLOCK
.................................
8K字/ 16K字节X 1
........................
4Kword / 8K字节×2
参数块
.......................
16KWord的/ 32K字节X 1
主座
...........................
32Kword / 64K字节×15
编程/擦除周期
.......................................
100Kcycles
BOOT BLOCK
...........................
底部启动
M5M29FB800
...........................
热门引导
M5M29FT800
其他功能
软件指令控制
选择性块锁
擦除挂起/恢复
计划暂停/恢复
状态寄存器读
睡觉
包
48引脚， 12mmx 20毫米TSOP （ I型）
44引脚SOP
引脚配置（顶视图）
地址
输入
NC
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
44
43
42
41
40
39
/ RP
复位/
掉电
输入
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
芯片使能
输入
A
0
/ CE
GND
/ OE
DQ
0
DQ
8
DQ
1
DQ
9
DQ
2
DQ
10
DQ
3
DQ
11
/ WE
写使能
输入
A
8
A
9
A
10
A
11
地址
A
12
输入
A
13
A
14
A
15
A
16
/ BYTE
字节使能
输入
GND
DQ15/A-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
数据
输入/
输出
M5M29FB/T800FP
OUTPUT ENABLE
输入
数据
输入/
输出
概述600mil 44引脚SOP
（ FP ： 44P2A -A ）
应用
代码存储PC BIOS
数字蜂窝电话/通讯业
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
/ WE
/ RP
NC
/ WP
RY / BY
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
M5M29FB/T800VP
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A
16
/ BYTE
GND
DQ
15
/A-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
/ OE
GND
/ CE
A
0
A
16
/ BYTE
GND
DQ
15
/A-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
/ OE
GND
/ CE
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
M5M29FB/T800RV
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
/ WE
/ RP
NC
/ WP
RY / BY
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
大纲48PIN TSOP I型（ 12× 20毫米）
VP（普通弯） ： 48P3R -B
RV （反向弯曲） ： 48P3R -C
NC ：无连接
本产品与HN29WB / T800由Hitachi Ltd.兼容
1
1997年5月， Rev.6.1
三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
框图
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
/ CE
/ OE
/ WE
/ WP
/ RP
/ BYTE
RY / BY
128字的页面缓冲区
BOOT BLOCK
参数块1
参数块2
主座
主座
8KW
4KW
4KW
16KW
32KW
V
CC
(3.3V)
GND （0V）
X解码器
地址
输入
主座
32KW
y解码器
Y型门/感应放大器。
状态/ ID寄存器
多路复用器
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
写保护输入
RESET / POWER DOWN输入
字节使能输入
READY / BUSY输出
崔
WSM
输入/输出
缓冲器
D
15
/A
-1
D
14
D
13
D
12
D
3
D
2
D
1
D
0
数据输入/输出
功能
该M5M29FB / T800FP ，副总裁， RV ，包括片上程序/擦除
控制电路。写状态机（ WSM ）控制模块
擦除和页编程操作。经营模式
根据写入命令的用户界面中的命令选择
（ CUI） 。状态寄存器指示WSM的地位和
当WSM成功完成所需要的程序或
块擦除操作。
深层掉电模式被激活时/ RP引脚为GND ，
降低了功耗。
读
该M5M29FB / T800FP ，副总裁， RV有三种阅读模式，这
存取存储器阵列，该设备标识符和所述状态
注册。了适当的读命令都必须
写入CUI 。在最初的设备通电或退出后
深掉电时， M5M29FB / T800自动复位阅读
阵列模式。在读阵列模式，低电平输入到/ CE和
/ OE输入高电平的输入/ WE和/ RP ，并且对地址信号
地址输入端（A0 -A18 ）输出所寻址的位置的数据
到数据输入/输出（ D0-15 ） 。
写
写到崔使读取存储器阵列的数据，设备
标识符和读数和状态寄存器清零。他们
也使块擦除和编程。崔写的是
令/ WE为低电平，而/ CE为低电平和/ OE是在
高的水平。地址和数据被锁止在较早的上升沿
中/ WE和/ CE 。标准的微处理器的写时序被使用。
输出禁用
当/ OE为VIH ，从设备输出被禁用。
数据输入/输出是在高阻抗（高Z）状态。
待机
当/ CE在VIH时，设备处于待机模式，并且它
功耗减小。数据输入/输出是在一
高阻抗（High -Z ）状态。如果内存中取消选择
块擦除或编程，内部控制电路仍然有效
与设备的正常消耗的有功功率，直到操作
完成。
深度掉电
当/ RP是为VIL ，该装置是在深断电
模式，其功耗是相当低的。中
阅读模式下，内存被取消和数据
输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。后
从断电恢复，崔复位到读阵列和
状态寄存器清为80H值。
在块擦除或编程模式， / RP低会中止
无论是操作。块的存储器阵列的数据被修改
变得无效。
2
1997年5月， Rev.6.1
三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
软件命令定义
该设备操作通过编写特定的软件选择
命令到命令的用户界面。
读阵列命令
（ FFH ）
该设备是在初始器件上电读阵列模式，
从深掉电退出后，或者通过写FFH的
命令的用户界面。该器件仍然在读阵列
模式，直到其他命令被写入。
阅读设备标识符命令
(90H)
虽然PROM编程器可以正常读取设备标识符
通过提高A码
9
到V
ID
，复用高压到地址
线是不希望为微处理器系统。它是一个其他
指读设备识别码读取设备标识符
代码命令（ 90H ）写入命令锁存器。以下
命令写入，制造商代码和设备代码
可以从地址0000H和0001H ，分别读取。
读状态寄存器命令
(70H)
写读状态寄存器后，状态寄存器读
命令70H到命令的用户界面的。
状态寄存器的内容被锁定在后来的下跌
中/ OE或/ CE优势。因此， / CE或/ OE必须切换每个状态
读取。
清除状态寄存器命令
(50H)
擦除状态和程序状态位被设置为"1"s
写状态机，并且只能通过清除状态被重置
寄存器50H的命令。这些位指示各种故障
条件。
块擦除/确认命令
(20H/D0H)
自动块擦除是通过写块擦除启动
20H的命令，随后D0H的确认命令。一
要被擦除的块中的地址是必需的。在WSM
反复执行擦除脉冲应用和擦除验证
操作。
页面编程命令（ 41H ）
网页程序允许数据128words的快速编程。
41H写入启动页编程操作。从2日
循环到第129周写数据必须串行输入。地址
A6-0必须从00H递增至7FH 。完成后
数据加载中， WSM控制所述编程脉冲的应用
并确认操作。
基本上重新编程不能一个网页，其中有做
已编程。
挂起/恢复命令
(B0H/D0H)
在块擦除写B0H的暂停命令
操作中断的块擦除操作，并且允许读出
从另一个内存块。写的暂停命令
在编程操作期间B0H中断程序的操作
并允许从存储器另一个块中读出。该装置
继续输出状态寄存器中读取数据时，后
暂停命令写入到它。轮询WSM状态和
暂停状态位将决定何时擦除操作或
程序操作已被暂停。在这一点上，书写的
读阵列命令崔可实现从读数据
块比被暂停等。当简历
D0H的命令写入到崔的WSM将继续
在擦除或编程过程。
数据保护
该M5M29FB / T800提供了可选的内存块锁定
块。每个块具有相关联的非易失性锁定位这
确定该块的锁定状态。
此外，该
M5M29FB / T800有一个主写保护引脚（ WP ）的
防止了任何修改的存储器块，其锁定位
设置为"0" ，当/ WP为低电平。当/ WP较高或/ RP为V
HH
，所有
模块可以编程或状态的擦除不管
锁位和锁定位被擦除清"1" 。
电源电压
当电源电压（Vcc ）低于2.2V时，器件
被设置为只读模式。
2延迟时间我们需要的任何设备的操作之前，
发起。的延迟时间是从时间的Vcc达到测
Vccmin （ 3.0V ） 。
上电时， / RP = GND建议。飘落在忙
状态是不建议损坏器件的可能性。
3
1997年5月， Rev.6.1
三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
X8 （ Bytemode ）
X16 （ Wordmode ）
X8 （ Bytemode ）
X16 （ Wordmode ）
F0000H - FFFFFH 78000H - 7FFFFH
E0000H - EFFFFH 70000H - 77FFFH
D0000h - DFFFFh 68000h - 6FFFFh
C0000H - CFFFFh 60000H - 67FFFh
B0000h - BFFFFh 58000h - 5FFFFh
A0000H - AFFFFH 50000H - 57FFFH
90000H - 9FFFFH 48000H - 4FFFFH
80000H - 8FFFFH 40000H - 47FFFH
70000H - 7FFFFH 38000H - 3FFFFH
60000H - 6FFFFH 30000H - 37FFFH
50000H - 5FFFFH 28000H - 2FFFFH
40000H - 4FFFFH 20000H - 27FFFH
30000H - 3FFFFH 18000H - 1FFFFH
20000H ， 10000H 2FFFFH ， 17FFFH
10000H - 1FFFFH 08000H - 0FFFFH
08000H - 0FFFFH 04000H - 07FFFH
06000H - 07FFFH 03000H - 03FFFH
04000H - 05FFFH 02000H - 02FFFH
00000H ， 00000H 03FFFH ， 01FFFH
A
-1
-A
18
（ Bytemode ）一个
0
-A
18
（ Wordmode ）
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
16KWord的主块
4Kword参数块
4Kword参数块
8K字BOOT BLOCK
M5M29FB800存储器映射
FC000h FFFFFh范围7E000h - 7FFFFH
FA000h - FBFFFh 7D000h - 7DFFFh
F8000h - F9FFFh 7C000h - 7CFFFh
F0000H - F7FFFH 78000H - 7BFFFH
E0000H - EFFFFH 70000H - 77FFFH
D0000h - DFFFFh 68000h - 6FFFFh
C0000H - CFFFFh 60000H - 67FFFh
B0000h - BFFFFh 58000h - 5FFFFh
A0000H - AFFFFH 50000H - 57FFFH
90000H - 9FFFFH 48000H - 4FFFFH
80000H - 8FFFFH 40000H - 47FFFH
70000H - 7FFFFH 38000H - 3FFFFH
60000H - 6FFFFH 30000H - 37FFFH
50000H - 5FFFFH 28000H - 2FFFFH
40000H - 4FFFFH 20000H - 27FFFH
30000H - 3FFFFH 18000H - 1FFFFH
20000H ， 10000H 2FFFFH ， 17FFFH
10000H - 1FFFFH 08000H - 0FFFFH
00000H ， 00000H 0FFFFH ， 07FFFH
A
-1
-A
18
（ Bytemode ）一个
0
-A
18
（ Wordmode ）
8K字BOOT BLOCK
4Kword参数块
4Kword参数块
16KWord的主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
32Kword主块
M5M29FT800存储器映射
巴士业务
公交运营的字宽模式（ /
字节
=V
IH
)
模式
读
引脚
/ CE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
/ OE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
2)
V
IH
V
IH
V
IH
X
/ WE
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
X
/ RP
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
DQ
0-15
数据输出
状态寄存器的数据
锁定位数据（ DQ
6
)
识别码
高阻
高阻
命令/数据的
命令
命令
高阻
RY / BY
V
OH （高阻）
X
1)
X
V
OH （高阻）
X
X
X
X
X
V
OH （高阻）
ARRAY
状态寄存器
锁定位状态
识别码
输出禁用
支持
节目
写
抹去
OTHERS
深度掉电
公交运营的字节宽模式（
字节
=V
IL
)
模式
引脚
/ CE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
/ OE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
2)
V
IH
V
IH
V
IH
X
/ WE
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
X
/ RP
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
DQ
0-7
数据输出
状态寄存器的数据
锁定位数据（ DQ
6
)
识别码
高阻
高阻
命令/数据的
命令
命令
高阻
RY / BY
V
OH （高阻）
X
1)
X
V
OH （高阻）
X
X
X
X
X
V
OH （高阻）
ARRAY
读
状态寄存器
锁定位状态
识别码
输出禁用
支持
节目
写
抹去
OTHERS
深度掉电
1 ） X的RY / BY是V
OL
或V
OH （高阻）
.
*本RY / BY是一个开漏输出引脚和表示内部WSM的状态。当低，则表示该WSM占线执行一个操作。
对10K - 100K欧姆的上拉电阻才能让RY / BY信号变为高电平表示准备WSM条件。
2） X可以为V
IH
或V
IL
为控制引脚。
4
1997年5月， Rev.6.1
三菱的LSI
M5M29FB/T800FP,VP,RV-80,-10,-12
8,388,608位（ 1048,576 - WORD ×8位/ 524,288 - WORD BY16 - BIT ）
CMOS 3.3V -ONLY ，块擦除闪存
软件定义的命令
命令列表
命令
读阵列
设备标识符
读状态寄存器
清除状态寄存器
页编程
4)
块擦除/确认
暂停
简历
读锁定位状态
锁定位编程/确认
删除所有块解锁
睡觉
7)
第一个总线周期
模式
地址
数据
(D
7-0
)
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
FFH
90H
70H
50H
41H
20H
B0H
D0H
71H
77H
A7H
F0H
第二个总线周期
模式
地址
数据
(D
7-0
)
读
读
写
写
IA
2)
X
WA0
4)
BA
5)
ID
2)
SRD
3)
WD0
4)
D0H
写
WA1
WD1
第三总线周期
模式
地址
数据
(D
7-0
)
读
写
写
BA
BA
X
DQ6
6)
D0H
D0H
1）在字宽模式下，高字节数据（D8 -D15 ）将被忽略。
2 ） IA = ID代码地址： A0 = VIL （制造商代码） ： A0 = VIH （设备代码） ， ID = ID码，
/字节= VIL ： A-1 ， A1 - A18 = VIL ， / BYTE = VIH ： A1- A18 = VIL
3 ） SRD =状态寄存器的数据
4 ） WA =写地址， WD =写入数据。
/字节= VIL ：写入地址和数据必须为A-1 - A6依次从00H提供给FFH 。
页面大小是256字节（ 256字节X 8位） /字节= VIH ：写入地址和数据必须被提供
按顺序从00H到7FH为A0 -A6 。页面大小是128word （ 128word X 16位） 。
5 ） BA =块地址（除了块地址MEST地址是VIH ）。
6 ） DQ6提供块锁定状态， DQ6 = 1 ：块解锁， DQ6 = 0 ：块锁定。
7 ）睡眠命令（ F0H ）使系统进入睡眠模式完成当前操作之后。有功电流减小到深功率升降压平。
读阵列命令（ FFH ）必须写来获得设备从睡眠模式。
块锁定
SOP封装
TSOP封装
/ RP
V
IL
V
HH
V
IH
V
IH
锁定位（内部）
X
X
0
1
/ RP
V
IL
V
HH
V
IH
V
IH
V
IH
/ WP
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
锁定位（内部）
X
X
0
1
X
写保护提供
所有的块锁定（深度掉电模式）
所有块解锁
块锁定（依靠锁位数据）
块解锁（依靠锁位数据）
所有块解锁
D
6
提供了每个块的锁定状态写入读取锁定状态的命令（ 71H ）之后。
如果TSOP封装的， / WP引脚不能进行读/写操作或WSM忙时切换（ WSMS = 0 ） 。
状态寄存器
符号
SR.7
SR.6
SR.5
SR.4
SR.3
SR.2
SR.1
SR.0
(D
7
)
(D
6
)
(D
5
)
(D
4
)
(D
3
)
(D
2
)
(D
1
)
(D
0
)
状态
写状态机状态
暂停状态
擦除状态
程序状态
块状态的程序后，
版权所有
版权所有
器件休眠状态
德网络nition
"1"
准备
暂停
错误
错误
错误
-
-
器件处于休眠模式
"0"
忙
手术进行中/已完成
成功
成功
成功
-
-
器件不处于休眠状态
*本RY / BY是一个开漏输出引脚和表示内部WSM的状态。当低，则表示该WSM占线执行一个操作。
对10K - 100K欧姆的上拉电阻才能让RY / BY信号变为高电平表示准备WSM条件。
* D3表示网页编程后的块状态。当D3为"1" ，该页面有过程序性细胞。如果过程序occures ，该装置是块
失败。但是，如果D3是"1" ，请尝试删除该块的块。模块可以恢复。
设备识别码
CODE
制造商代码
设备代码（ -T ）
设备代码（ -B ）
引脚
A
0
V
IL
V
IH
V
IH
D
7
0
0
0
D
6
0
1
1
D
5
0
0
0
D
4
1
1
1
D
3
1
1
1
D
2
1
1
1
D
1
0
0
1
D
0
0
1
0
（十六进制） 。数据
1CH
5DH
5EH
在字宽模式下，相同的数据为D
7-0
是由D-读出
15-8
.
A
9
= V
HH
模式：a
9
= 11.5V 13.0V集A9到V
坠落/ CE的边缘就绪状态前， HH min.200ns 。返回到V后Min.200ns
IH ，
设备不能被访问。
A
1
~A
8
, A
10
~A
18,
/ CE ， / OE = VIL ， / WE = V
IH
D
15
/A
-1
= V
IL
（ /字节= L ）
5
1997年5月， Rev.6.1
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