三菱的LSI
三菱的LSI
M5M28F101AFP,J,VP,RV-85,-10
M5M28F101AFP,J,VP,RV-85,-10
1048576 - BIT （ 131072 - WORD由8位）的CMOS FLASH MEMORY
1048576 - BIT （ 131072 - WORD 8 - BIT） CMOS FLASH MEMORY
描述
三菱M5M28F101A是高速1048576位CMOS
闪存。这是适合于与微应用
处理器或微控制器，其中车载重编程为
所需。该M5M28F101A由N沟道双制造
多晶硅栅用于存储器和CMOS技术为周
电路，并在32引脚塑料模压封装。
引脚配置（顶视图）
特点
高速项目
........................................................
85毫微秒（最大）
高速项目
.......................................................
100毫微秒（最大）
...................................
电源电压
...................................
V
CC
= 5V±0.5V
写入和擦除电压
................................
V
PP
= 12V±0.6V
................................
字节编程和擦除芯片
自动编程和自动擦除
通过软件命令编程/擦除操作控制
通过嵌入式定时器控制编程/擦除脉冲
10000编程/擦除周期
三态输出缓冲器
TTL兼容的输入和输出的读取和写入模式
包含设备识别码
纳入数据保护
可用于包装表面贴装
地址
输入
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
D
0
D
1
D
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE
写使能
输入
NC
A
14
A
13
A
8
地址
输入
A
9
A
11
OE
输出输入
启用
A
10地址输入
CE
芯片使能
输入
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
数据
输入/
输出
M5M28F101AFP
数据输入/
输出
大纲525mil 32引脚SOP （ 32P2M -A ）
A
12
A
15
A
16
V
PP
V
CC
WE
NC
32
31
应用
微型计算机系统和外围设备
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
D
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
30
4
3
2
1
29
28
27
26
M5M28F101AJ
25
24
23
22
21
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
D
7
18
19
外形32引脚PLCC （ 32P0 ）
A
11
A
9
A
8
A
13
A
14
NC
WE
V
CC
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
M5M28F101AVP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
GND
D
2
D
1
D
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
15
A
16
V
PP
V
CC
WE
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
D
1
D
2
GND
D
3
D
4
D
5
D
6
20
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
M5M28F101ARV
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
D
0
D
1
D
2
GND
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
CE
A
10
OE
外形32引脚TSOP I型（ 8x20mm ）
32P3H -E （正常的弯曲）
外形32引脚TSOP I型（ 8x20mm ）
32P3H -F （反向弯曲）
NC ：无连接
1
(970407)
三菱的LSI
M5M28F101AFP,J,VP,RV-85,-10
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS FLASH MEMORY
框图
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
地址
输入
X解码器
131072字
X8位
细胞矩阵
节目
电压SW 。
擦除电压SW 。
V
PP
(5V, 12V)
V
CC
(5V)
GND （0V）
A
2
A
1
A
0
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
VERIFY
电压
SW 。
定时器
控制
电路
命令
LATCH
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电路
输出检测
和
输出缓冲器
y解码器
Y型门
芯片使能输入
CE
输出使能输入
OE
写使能
WE
输入
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
数据输入/输出
功能
M5M28F101A设置为只读模式还是读写模式
通过施加V的电压
PPL
或V
PPH
分别到V
PP
引脚。在
只读模式，三种操作模式，读取，输出，把禁用
和备用的访问。同时，在读写模式，四
操作模式，读取，输出禁止，待机和写有
功能性。
读
设置CE及OE端子到读模式（低电平） 。低层
输入到CE及OE和地址信号的地址输入端
(A
0~
A
16
）使所指定的地址中的数据内容
可在数据输入/输出位置（四
0~
D
7
).
输出禁用
当OE为高电平时，从器件输出被禁止。数据
输入/输出处于高阻抗（高Z）状态。
待用
当CE为高电平时，该设备处于待机模式，并
它的功耗大大降低。数据输入/输出
处于高阻抗（高Z）状态。
写
软件命令来完成编程和擦除操作
通过在设备中的命令锁存器，当高电压被提供
到V
PP
。该锁存器的内容作为输入到内部
控制器。控制器输出指示装置的功能。该
指令锁存器写入通过使WE为低电平，而CE是
在低电平和OE为高电平。地址锁存的
WE下降的边缘，而数据锁定在WE的上升沿。
标准的微处理器的写时序被使用。
数据保护
1.
电源电压
当电源电压（Vcc ）小于2.5V ，则
设备将忽略WE信号。
写禁止
在该情况下，在如下状态，写模式没有被设定。
1）当OE端接到低电平。
2 ）从各种模式，通过整理后，开始第二次上升
我们的节目边，自动编程，擦除和自动
抹去。
过度擦除保护
刚上电后，如果擦除命令输入，删除
不执行操作。一旦字节的程序被执行或
验证数据不FFH在擦除验证模式，连续
为擦除命令输入将被接受。因为这一点，它
适用于多芯片同时擦除的情况。
2.
3.
2
(970407)
三菱的LSI
M5M28F101AFP,J,VP,RV-85,-10
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS FLASH MEMORY
软件命令
当V
PP
是低（Ⅴ
PP
= V
PPL
） ，命令锁存器的内容
被固定为00H ，并且设备处于只读模式。当V
PP
is
高（V
PP
= V
PPH
） ，器件进入读/写模式。该装置
操作是通过编写特定的软件命令到选定
指令锁存器。
读命令
该设备在读取模式下写读命令（ 00H ）后
指令锁存器。该设备仍然是读模式，直到
其它命令被写入。当V
PP
权力-到高
电压（V
PP
= V
PPH
） ，指令锁存器的默认内容是
00H 。这样就保证了对存储器的数据的非法更改不会
在V不会发生
PP
权力过渡。
程序命令
编程命令字节程序的命令，
程序由两次写入周期的开始。程序命令
（40H ）写入在第一写周期的指令锁存器和
地址和要编程的数据被锁存在第二写
周期。然后将地址和数据锁存下降沿
和WE的上升沿脉冲，分别。该方案针对字节
当时我们在第二次写的上升沿启动运行
循环，并终止于10微秒，由内部定时器控制。
程序校验命令
继字节编程，编程的字节必须进行验证。
该程序验证是通过写程序验证命令启动
（ C0H ）到命令锁存器。后写程序验证
指令，编程的数据在读取模式验证。然后，
无需地址信息。
自动编程命令
自动编程命令的自动化程序的命令
和程序验证一个字节，并自动程序被启动
两次写操作的次数。
自动编程命令（ 10H或50H ）写入命令
锁存器中的第一写周期，地址和数据是
编程的被锁在第二个写周期。然后地址
和数据被锁存的下降沿和WE的上升沿
脉冲，分别。在上升沿启动该程序操作
我们的第二个写周期的边缘，并编程验证自动开始
matically 。所以，没有必要在此之后，以编程验证模式。
和自动编程的完整可以通过数据来表示
轮询。
数据查询是自动程序的完整的指示。
在自动编程，在WE = V
IH
和CE = OE = V
IL
中，所述数据
D
0~
D
7
是写数据的倒数。当自动程序是
完成后，写入数据将被输出。有必要固定
写字节数据查询过程中的地址。
擦除命令
擦除命令是芯片擦除命令，芯片擦除
通过擦除命令（ 20H ）的书面发起两次
连续的命令锁存。擦除操作是
开始与WE脉冲的上升沿，并终止于
率为9.5ms ，由内部计时器控制。这两个步骤的顺序
芯片擦除防止意外擦除。
擦除校验命令
在每次擦除，所有字节必须进行验证。擦除校验
通过写入擦除校验命令（ A0H ）的发起
指令锁存器，而地址进行验证被锁存的
属于WE脉冲的边缘。擦除校验命令必须是
写入指令锁存器和每个地址之前锁存
每个字节进行验证。该操作继续对每个字节直到一个
字节没有被擦除，或最后一个地址进行访问。
自动擦除命令
自动擦除命令是自动擦除命令和
擦除验证所有的字节，并自动擦除受两倍的开始
擦除命令（ 30H）连续的命令锁存器。首先，
在WE的上升沿被启动的预编程操作
第二次写周期，所以所有字节变为零的数据。其次，
擦除和擦除验证开始，自动。所以，没有必要
预编程和擦除验证模式。和完整的汽车
擦除可通过状态轮询来表示。
状态轮询是自动清除的完整的指示。
在自动擦除，在WE = V
IH
和CE = OE = V
IL
中，所述数据
D
7
是"0".时自动清除完成后，D的数据
7
为"1" 。
(D
0~
D
7
是"FFH" 。 ）
复位命令
复位命令是命令安全地中止擦除或
程序序列。以下擦除或编程命令，在第一
写周期，该操作是通过写两个安全地中止
连续复位命令（ FFH ） 。然后，器件进入阅读
模式不改变存储器的内容。
读取设备识别码
通过写80H到启动设备标识符操作
命令锁存器。下面的命令写入，制造商
码（ 1CH ）和设备代码（ D9H ）可从寻址来读取
00000H和00001H ，分别。
该M5M28F101A支持的通用设备
三菱1M闪存识别码（ X8 ）的家庭。
通过写入90H为开始通用设备标识符操作
指令锁存器。根据这种情况，下面的命令写入，
的制造商代码（ 1CH ）和设备代码（ D0H ）可以是
从地址00000H和00001H ，分别读取。另外，
由瑞星发起的通用设备标识符操作
9
到HIGH
电压PROM编程器。
3
(970407)
三菱的LSI
M5M28F101AFP,J,VP,RV-85,-10
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS FLASH MEMORY
模式选择
模式
只读
引脚
读
输出禁用
支持
读
输出禁用
支持
写
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
X
V
IH
WE
V
IH
V
IH
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
PP
V
PPL
V
PPL
V
PPL
V
PPH
V
PPH
V
PPH
V
PPH
数据I / O
数据输出
高阻
高阻
数据输出
高阻
高阻
数据输出
读/写
注1： X可以是V
IL
或V
IH
绝对最大额定值
符号
V
I1
V
I2
V
I3
T
OPR
T
英镑
参数
所有的输入或输出电压，除了V
PP
/A
9
V
PP
电源电压
A
9
电源电压
工作温度
储存温度
条件
相对于地面
评级
–0.6~7
–0.6~14.0
–0.6~13.5
–10~80
–65~125
单位
V
V
V
°C
°C
软件定义的命令
命令
读
节目
（字节编程）
程序校验
自动编程
擦除（芯片擦除）
擦除验证
自动擦除
RESET
读取设备识别码
了解常见的设备识别码
模式
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
第一总线周期
地址
X
X
X
X
X
确认地址
X
X
X
X
数据I / O
00H
40H
C0H
10H或50H
20H
A0H
30H
FFH
80H
90H
模式
–––
写
读
写
写
读
写
写
读
读
第二个总线周期
地址
数据I / O
–––
–––
节目
程序数据
地址
X
节目
地址
X
X
X
X
ADI
ADI
验证数据
程序数据
20H
验证数据
30H
FFH
DDI1
DDI2
注2 ：写在模式选择表中定义的阅读模式。
ADI =地址的设备标识符： 00000H为制造商代码， 00001H的设备代码。
DDI1 =数据的设备标识符：代上为制造商代码， D9H的设备代码。
DDI2 =数据的通用设备标识符：代上为制造商代码， D0H的设备代码。
常见的设备标识码
（不要使用该软件命令）
CODE
制造商代码
器件代码
引脚
A
0
V
IL
V
IH
D
7
0
1
D
6
0
1
D
5
0
0
D
4
1
1
D
3
1
0
D
2
1
0
D
1
0
0
D
0
0
0
（十六进制） 。
数据
1CH
D0H
注3：
9
= 11.5V~13.0V
A
1
~A
8
, A
10
~A
16
， CE， OE = V
IL
我们= V
IH
V
CC
= V
PP
= 5V±0.5V
电容
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容（地址， CE ， OE ， WE）
输出电容
测试条件
TA = 25 ° C，F = 1MHz时， V
in
= V
OUT
= 0V
民
范围
典型值
最大
8
12
单位
pF
pF
4
(970407)
三菱的LSI
M5M28F101AFP,J,VP,RV-85,-10
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS FLASH MEMORY
DC电气特性
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ±0.5V ，除非另有说明）
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
PP1
I
PP2
I
PP3
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
PPL
V
PPH
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
待机电流
V
CC
读操作工作电流
V
CC
编程电流
V
CC
擦除电流
V
PP
读电流
V
PP
编程电流
V
PP
擦除电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
PP
在只读模式下电压
V
PP
在读/写模式电压
测试条件
0V≤V
IN
≤V
CC
0V≤V
OUT
≤V
CC
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IH
V
CC
= 5.5V ，CE = V
CC±
0.2V
V
CC
= 5.5V ，CE = V
IL
， F = 11.8MHz ，我
OUT
= 0毫安
民
范围
典型值
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
0V≤V
PP
≤V
CC
V
CC<
V
PP
≤6.5V
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
V
PP
= V
PPH
– 0.5
2.0
I
OL
= 5.8毫安
I
OH
= -2.5mA
I
OH
= –100A
2.4
Vcc–0.4
最大
10
10
1
100
30
30
30
10
100
100
30
30
0.8
Vcc+0.5
单位
A
A
mA
A
mA
mA
mA
A
mA
mA
V
V
V
V
0.45
0
11.4
12.0
6.5
12.6
V
V
AC电气特性
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ±0.5V ，除非另有说明）
只读模式
符号
t
RC
t
一（ AD）
t
一（ CE ）
t
一个（OE）
t
CLZ
t
OLZ
t
DF
t
OH
t
WRR
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
ELQX
t
GLQX
t
GHQZ
t
OH
t
WHGL
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
输出使能高到低Z输出
从CE， OE ，地址输出的保持
写恢复时间之前，请先阅读
范围
M5M28F101A - 85 M5M28F101A - 10
民
最大
民
最大
85
100
85
100
85
100
50
45
0
0
0
0
25
25
0
0
6
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
注4 ： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
定时测量是根据AC波形读操作进行。
5
(970407)
QQ：2881677436 复制
