M59MR032C
M59MR032D
32兆位（2MB X16 ，复用I / O ，双行，突发）
1.8V供应闪存
s
电源电压
– V
DD
= V
DDQ
= 1.65V至2.0V的计划，
擦除和读取
– V
PP
= 12V快速程序（可选）
s
s
复用的地址/数据
同步/异步读取
- 可配置的突发模式读
- 页面模式读取（4个字页）
- 随机存取： 100ns的
LFBGA54 （ ZC ）
10 ×4球阵列
μBGA46 （ GC）的
10 ×4球阵列
BGA
μBGA
s
编程时间
- 为10μs由Word典型
- 双字编程选项
s
内存块
- 双组内存阵列： 8兆比特 - 24兆
- 参数块（顶部或底部的位置）
图1.逻辑图
s
双行业务
- 读一家银行内，而程序或
内的其它擦除
- 之间的读写操作无延迟
VDD VDDQ VPP
5
A16-A20
W
E
G
RP
WP
L
K
M59MR032C
M59MR032D
BINV
等待
16
ADQ0-ADQ15
s
块保护/ unprotection的
- 在电保护的所有块
- 模块的任意组合可以得到保护
s
s
s
s
通用闪存接口（ CFI ）
64位防伪码
擦除挂起和恢复模式
每10万编程/擦除周期
块
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M59MR032C ： A4H
- 底设备代码， M59MR032D ：字节A5h
s
VSS
AI90109
2001年4月
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M59MR032C ， M59MR032D
表1.信号名称
A16-A20
ADQ0-ADQ15
E
G
W
RP
WP
K
L
等待
BINV
V
DD
V
DDQ
V
PP
V
SS
DU
地址输入
数据输入/输出端口或地址
输入命令输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/掉电
写保护
突发时钟
LATCH ENABLE
在连拍模式下等待数据
总线反转
电源电压
电源电压的输入/输出
缓冲器
可选的电源电压为
快速的程序擦除&
地
不使用的内部连接
描述
该M59MR032是32兆位非易失性闪存
内存可电在块擦除
水平又上了一个在系统编程的字逐
采用1.65V至2.0V V字的基础
DD
供应FOR
的电路。对于编程和擦除操作
所需的高电压产生的间
应受。该设备支持同步突发读取
从阅读的异步页模式下，所有的
存储器阵列的块;在上电时的DE-
副配置为读取页模式。在同步的
知性突发模式中，新的数据被输出在每个
时钟周期频率高达54MHz的。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。所有块保护，防止亲
编程和擦除的电。块可以是
无保护，使应用程序中的变化
然后再保护。
说明读/复位，自动选择，写
配置寄存器，程序设计，座
擦除，擦除银行，擦除暂停，重新擦除
庙，块保护，解除座，座锁相
荷兰国际集团， CFI查询，通过写入存储器
使用标准的微命令接口（ C.I. ）
处理器的写时序。
内存在LFBGA54和μBGA46提供，
0.5毫米球间距封装，它与供应
全部被擦除的位（设置为' 1'） 。
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （3）
V
DD
, V
DDQ
V
PP
参数
工作环境温度
(2)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
编程电压
价值
-40到85
-40至125
-55至155
-0.5到V
DDQ
+0.5
-0.5到2.7
-0.5到13
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.取决于范围。
3.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
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M59MR032C ， M59MR032D
组织
该M59MR032由16位组织为2Mbit的。
第16条地址线复用
对复用的数据输入/输出信号
地址/数据总线ADQ0 - ADQ15 。其余
地址线A16 -A20是MSB地址。
内存控制芯片所提供的启用E，输出
放启用G和写使能W输入。
时钟K个输入同步存储器的
突发期间微处理器读取。
复位RP用来复位所有的存储器电路
并设置在掉电模式下，如果这个芯片
功能由CON-的适当设置来启用
配置寄存器。擦除和编程操作
通过内部编程/擦除CON-控制
制器（P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据输出上
ADQ7提供了数据查询信号， ADQ6和
ADQ2提供切换信号，并ADQ5提供
错误位来表示P / EC号指令的操作状态
系统蒸发散。等待输出指示向微处理器
存储器中的脉冲串模式的状态
操作。
内存块
该器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture 。 M59MR032有71块阵列和
分为A组和B ，提供双
银行业务。当编程或擦除
银行A ，读操作都可以到B银行
反之亦然。该内存还具有擦除
暂停允许在另一个读或程序
在同一家银行内的阻塞。一旦暂停
擦除就可以恢复。银行规模与以部门
化归纳在表8中的参数
块位于所述存储器的顶AD-
为M59MR032C装扮空间，并在该bot-
汤姆的M59MR032D 。存储器映射
在表4 ，图5，图6和7所示。
在编程和擦除操作管理
自动通过P / E.C 。块保护
对编程或擦除提供额外的数据
安全性。提供指导，以保护或未
保护应用程序中的任何块。第二个稳压
存器锁定保护状态，而WP为低电平
（见块锁定的说明） 。所有的块是亲
保护而解锁的电。
表3.银行规模和部门
银行规模
银行
B组
8兆位
24兆位
参数块
4 KWord的8块
-
主要模块
的32K字15块
的32K字48块
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