M59DR016C
M59DR016D
16兆位（ 1Mb的X16 ，双行，页）
1.8V供应闪存
产品预览
s
电源电压
– V
DD
= V
DDQ
= 1.65V至2.2V的计划，
擦除和读取
– V
PP
= 12V快速程序（可选）
s
异步页模式阅读
- 页面宽度： 4字
- 页面访问：为35ns
- 随机存取： 100ns的
BGA
s
编程时间
- 为10μs由Word典型
- 双字编程选项
TFBGA48 （ ZB ）
8 ×6球阵列
s
内存块
- 双组内存阵列： 4兆位 - 12兆位
- 参数块（顶部或底部的位置）
图1.逻辑图
s
双行业务
- 读一家银行内，而程序或
内的其它擦除
- 之间的读写操作无延迟
s
块保护/ unprotection的
- 在上电时保护所有块
- 模块的任意组合可以得到保护
20
A0-A19
W
E
G
RP
WP
VDD VDDQ VPP
16
DQ0-DQ15
s
s
s
s
通用闪存接口（ CFI ）
64位防伪码
擦除挂起和恢复模式
每10万编程/擦除周期
块
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M59DR016C ： 2293h
- 底设备代码， M59DR016D ： 2294h
M59DR016C
M59DR016D
s
VSS
AI04106
2001年3月
这是正在开发的新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M59DR016C ， M59DR016D
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （3）
V
DD
, V
DDQ
V
PP
参数
工作环境温度
(2)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
编程电压
价值
-40到85
-40至125
-55至155
-0.5到V
DDQ
+0.5
-0.5到2.7
-0.5到13
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.取决于范围。
3.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
组织
该M59DR016组织为1Mb的X16位。 A0
A19是地址线， DQ0 - DQ15是
数据输入/输出。存储器控制是通过提供
芯片使能E，输出使能G和写使能
W投入。
复位RP用来复位所有的存储器电路
并设置在掉电模式下，如果这个芯片
功能由CON-的适当设置来启用
配置寄存器。擦除和编程操作
通过内部编程/擦除CON-控制
制器（P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号， DQ6和DQ2
提供切换信号和DQ5提供错误位
以表示为P / E.C操作的状态。
内存块
该器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture 。 M59DR016具有39块阵列和
分为A组和B ，提供双
银行业务。当编程或擦除
银行A ，读操作都可以到B银行
反之亦然。该内存还具有擦除
暂停允许在另一个读或程序
在同一家银行内的阻塞。一旦暂停
擦除就可以恢复。银行规模与以部门
化总结于表7参数
块位于所述存储器的顶AD-
为M59DR016C装扮空间，并在该bot-
汤姆的M59DR016D 。存储器映射
在表3 ，图4，图5和6所示。
在编程和擦除操作管理
自动通过P / E.C 。块保护
对编程或擦除提供额外的数据
安全性。所有块的保护上电时。在 -
提供是用来使保护或不保护任何
方框中的应用。第二个寄存器锁
保护状态，而WP为低电平（见座
锁定的描述）。复位命令执行
不会影响未受保护块的配置
和配置寄存器的状态。
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