【〈混成集積回路〉三菱半導½〈混成集積回路〉M57159L-01M57159L-01IB】,IC型号M57159L-01,M57159L-01 PDF资料,M57159L-01经销商,ic,电子元器件-51电子网

〈混成集積回路〉

三菱半導½〈混成集積回路〉

M57159L-01

IBモジュール駆动用ハイブリッド我

GT

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

C

概要

M57159L-01は、IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ホ

トカプラによって入力―出力間が電気的に絶縁されており、2電源

により駆動可½です。

また、内蔵の短絡保護回路により、短絡検出後、一定時間の逆

バイアスを持続するため、時間的に½裕のある保護動½が可½で

す。

推奨モジュールV

CES

＝600V系列..........................10クラス

5A

推奨モジュールV

CES

＝1200V系列........................7A

5クラス

03±02

.5 .

4以下

3

外½図

単½

: mm

特長

●

高CMRホトカプラ内蔵

●

短絡保護回路内蔵（タイマ及びリセット回路付き）

●

短絡検出抑制時間節可½

●

入力―出力間絶縁耐圧..............................

2500Vrms1

分間保証

55

.以下

1

35

.以下

25

.4

05

.5

55

.以下

14

85

.以下

1以下

1

25×1=30

.4 33.2

用途

インバータ、ACサーボ、P.C.等に½用されるIGBTモジュール駆動用

ブロック図

4

14

ラッチ

検出回路

2

1

タイマ及び

リセット回路

インタフェース

回路

ホトカプラ

V

C

短絡検出抑制時間調整端子

コレクタ電圧監視端子

5

V

O

ゲート

13

遮断回路

8

短絡検出出力端子

6

V

E

端子 , 7 ,0

は無接続端子です。

3 , 9 1

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

最大定格

(

指定のない場合は、T＝2℃)

a 5

記号

V

CC

V

EE

V

I

V

O

I

OHP

I

OLP

V

ISO

T

C

T

OPR

T

英镑

I

FO

V

R1

電源電圧

入力電圧

出力電圧

出力電流

入力-

出力間絶縁耐圧

ケース温度

動½温度

保存温度

エラー出力電流

1

端子印加電圧

項

目

DC

13

端子

14

間

出力が“H

”のとき

条

件

定

パルス幅2，F 0H

微秒≦ 2kz

正弦波電圧6H、1

0z 分間

8

端子流入電流

格

値

1

8

1

2

1

＋7

V

C

15

.

15

.

20

50

8

5

2＋6

0

2＋10

5

0

2

0

5

0

単

½

V

A

Vm

rs

℃

m

A

V

電気的特性

(

指定のない场合は， T = 2 ℃ ，V = 1V V

E

＝1V

a 5

C

5,

E

0)

記号

V

CC

V

EE

V

IN

I

IH

f

R

G

I

IH

V

OH

V

OL

t

PLH

t

r

t

PHL

t

f

t

定时器

I

FO

t

trip1

t

trip2

V

SC

項

電源電圧

一時側プルアップ電源電圧

目

“H

”入力電流

スイッチング周波数

ゲート抵抗

“H

”入力電流

“H

”出力電圧

“L

”出力電圧

“L ”伝搬時間

H

“L ”立ち上がり時間

H

“H ”伝搬時間

L

“H ”立ち下がり時間

L

タイマ時間

エラー出力電流

短絡検出抑制時間1

規

格

値

最小標準最大

—

1

4

1

5

推奨範囲

—

7

1

0

52

.5

推奨範囲

47

.5

5

1

6

推奨範囲

1

9

1.

52

—

2

0

推奨範囲

—

42

.

—

推奨範囲

—

1

6

—

V

N

V

I

＝5

1

3

1

4

—

9

8

—

07

.

13

.

I＝1m

I

H

6A

—

15

.

I＝1m

I

H

6A

08

.

—

I＝1m

I

H

6A

13

.

07

.

—

03

.

06

.

I＝1m

I

H

6A

1

2

—

保護動½開始から解除まで (

入力信号は“L

”であること)

—

8

—

5

端子流入电流 .K

＝47Ω

測

定

条

件

1

2

出力立ち上がり時端子：1V

5以上端子：オープン

単

½

V

m

A

kz

H

Ω

m

A

V

μs

m

s

m

A

μs

V

—

1

5

24

.

28

.

—

1

出力立ち上がり時端子：1V

5以上

短絡検出抑制時間2

2

間：10pの容量接続

00F

（注）端子

4

短絡検出コレクタ電圧

短絡検出するモジュールのコレクタ電圧

2

4

（注）短絡検出抑制時間変更用コンデンサの配線長は端子、より往復5m

c以内

特性定義図

()通常スイッチング動½

1

V

I

V

I

0V

()短絡保護動½

2

V

O

t

r

t

f

90%

V

O

0V

ー5V

t

trip1,2

50%

8

端子出力

0V

t

定时器

10V

10%

t

PLH

t

PHL

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

標準特性

t

L

,t

H

a

PH

PL

T特性

(

代表例)

1.6

出力"L - H"伝搬时间

t

PLH

(μs)

出力"H - L"伝搬时间

t

PHL

(μs)

出力"L - H"伝搬时间

t

PLH

(μs)

出力"H - L"伝搬时间

t

PHL

(μs)

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

20

40

60

80

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

R ＝1Ω

G

5

V

N

V

I

＝5

负荷： M5D - 2

C10Y1H

t

PHL

t

PLH

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

3

4

5

6

7

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

R ＝1Ω

G

5

T＝2℃

a

5

负荷： M5D - 2

C10Y1H

t

PHL

t

L

,t

H I

PH

PL

V特性

(

代表例)

t

PLH

周囲温度T (

a ℃)

入力信号電圧V ()

I

V

t

i1

t

i2

a

T P上

,

T P上

T特性

r

(

代表例)

8

短絡検出抑制時間

t

trip1

, t

trip2

(μs)

短絡検出抑制時間

t

旅

(μs)

7

6

5

4

3

2

1

0

20

40

60

80

周囲温度T (

a ℃)

t

trip1

: C

旅

＝0

t

trip2

: C

旅

＝1000pF

V

CC

＝15V

V

EE

＝10V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

2000

t

i

C

rp

T P上

r

ti

特性

(

代表例)

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

T＝2℃

a

5

4000

6000

8000

2

4

端子間接続容量C

rp

p)

ti

(F

内部消費電力周囲温度特性

(

最大定格)

3

4

6

消費電流電源電圧特性 (

端子間)

入力信号“L 代表例)

”(

T＝2℃

a

5

20

内部消費電力

P

D

(W)

2

消費電流

（MA ）

10

1

0

20

40

60

80

100

周囲温度

的Ta （℃）

0

10

20

30

40

4

6

電源電圧 (

端子間)()

V

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

保護回路動½説明

()本ハイブリッドIの保護回路は、ゲート電½が“H

1

C

”でコレ

クタ電圧が高い時、短絡状態と判断し、直ちにゲート電圧を降

下させます。

また、同時に、保護回路が動½していることを知らせるエラ

8

ー信号を端子より出力( ”レベル)

“L

します。

()上記の保護動½は、ある一定(2s以上の時間が経過した

2

1 m)

時点で、入力信号が“L

”であればリセットされ、通常スイッ

チング動½に戻ります。( ”期間は、5 以上必要)

“L

μs

5

()出力(

3

端子 )

立上がり时， IBのオン时间を确保するため

GT

の短絡検出抑制時間(

標準24 )

.μsを設けてあります。端子

2

4

間に容量を接続することにより調整することができます。

短絡検出時動½フロー

開始

短絡状態の検知

ゲート遮断回路動½

タイマ動½開始

短絡検出出力

1 m

2s

タイマ終了

N

o

Ys

e

入力信号は

“L

”レベルか

N

o

Ys

e

リセット

（注）保護回路動½時の出力“L

”電圧は、V

E

＋約2です。

E

V

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

応用回路例

単電源½用回路例

4.7kW

8

D1

1

2

V

IN

5

C

旅

Dz1

30V

8

D1

1

R

G

5V

V

CC

V

EE

5

R

G

M57159L

-01

14

4

47F

14

M57159L

-01

4

V

CC

47F

R

1

Dz2

10V

C

转

Dz1

30V

13

TTLetc 。

F 0H

＝2kz

DF＝5%

.. 0

V

N

V

I

＝5

6

13

6

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

R ＝1

W

G

5

C

rp

30p

ti

＝0 30F

D:

1ファーストリカバリーダイオード

(r≦02 )

TR .μs

V

C

＝2V

C

5

C

e

＝4

F

rv

7

R ＝27

W

1

.k

※电源投入后，R ×C

e

()

1

rv

sの時定数以上の時間が経過するまでオン信号を入

力しないでください。

御½用上の注意

()電圧補償用コンデンサは極力ハイブリッドIの近くに実装し

1

C

てください。

()Dはモジュールと同等の耐圧が必要です。

2

1

()Dの逆回復時は端子へ非常に高い電圧が印加されること

3

1

大容量素子の駆動回路例

4.7kW

になり、内部素子を破壊する可½性があります。上図のように

1

6

端子間にツェナーダイオードを挿入する等、保護対策

8

D1

1

2

4

C

旅

Dz1

30V

R

G

が必要です。

2

()端子を½用する場合、C

rp

4

ti

の配線は端子,

4

より極力短

く配線してください。

（目安：往復5m

c以下）

5V

C

1

M57159L

-01

14

V

CC

5

13

V

EE

6

C

2

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

C

rp

00F

ti

＝10p

C

, 2

≧10 (

1

C

0μF ½インピーダンス品)

〈混成集積回路〉

三菱半導½〈混成集積回路〉

M57159L-01

IBモジュール駆动用ハイブリッド我

GT

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

C

概要

M57159L-01は、IGBTモジュール駆動用混成集積回路です。ホ

トカプラによって入力―出力間が電気的に絶縁されており、2電源

により駆動可½です。

また、内蔵の短絡保護回路により、短絡検出後、一定時間の逆

バイアスを持続するため、時間的に½裕のある保護動½が可½で

す。

推奨モジュールV

CES

＝600V系列..........................10クラス

5A

推奨モジュールV

CES

＝1200V系列........................7A

5クラス

03±02

.5 .

4以下

3

外½図

単½

: mm

特長

●

高CMRホトカプラ内蔵

●

短絡保護回路内蔵（タイマ及びリセット回路付き）

●

短絡検出抑制時間節可½

●

入力―出力間絶縁耐圧..............................

2500Vrms1

分間保証

55

.以下

1

35

.以下

25

.4

05

.5

55

.以下

14

85

.以下

1以下

1

25×1=30

.4 33.2

用途

インバータ、ACサーボ、P.C.等に½用されるIGBTモジュール駆動用

ブロック図

4

14

ラッチ

検出回路

2

1

タイマ及び

リセット回路

インタフェース

回路

ホトカプラ

V

C

短絡検出抑制時間調整端子

コレクタ電圧監視端子

5

V

O

ゲート

13

遮断回路

8

短絡検出出力端子

6

V

E

端子 , 7 ,0

は無接続端子です。

3 , 9 1

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

最大定格

(

指定のない場合は、T＝2℃)

a 5

記号

V

CC

V

EE

V

I

V

O

I

OHP

I

OLP

V

ISO

T

C

T

OPR

T

英镑

I

FO

V

R1

電源電圧

入力電圧

出力電圧

出力電流

入力-

出力間絶縁耐圧

ケース温度

動½温度

保存温度

エラー出力電流

1

端子印加電圧

項

目

DC

13

端子

14

間

出力が“H

”のとき

条

件

定

パルス幅2，F 0H

微秒≦ 2kz

正弦波電圧6H、1

0z 分間

8

端子流入電流

格

値

1

8

1

2

1

＋7

V

C

15

.

15

.

20

50

8

5

2＋6

0

2＋10

5

0

2

0

5

0

単

½

V

A

Vm

rs

℃

m

A

V

電気的特性

(

指定のない场合は， T = 2 ℃ ，V = 1V V

E

＝1V

a 5

C

5,

E

0)

記号

V

CC

V

EE

V

IN

I

IH

f

R

G

I

IH

V

OH

V

OL

t

PLH

t

r

t

PHL

t

f

t

定时器

I

FO

t

trip1

t

trip2

V

SC

項

電源電圧

一時側プルアップ電源電圧

目

“H

”入力電流

スイッチング周波数

ゲート抵抗

“H

”入力電流

“H

”出力電圧

“L

”出力電圧

“L ”伝搬時間

H

“L ”立ち上がり時間

H

“H ”伝搬時間

L

“H ”立ち下がり時間

L

タイマ時間

エラー出力電流

短絡検出抑制時間1

規

格

値

最小標準最大

—

1

4

1

5

推奨範囲

—

7

1

0

52

.5

推奨範囲

47

.5

5

1

6

推奨範囲

1

9

1.

52

—

2

0

推奨範囲

—

42

.

—

推奨範囲

—

1

6

—

V

N

V

I

＝5

1

3

1

4

—

9

8

—

07

.

13

.

I＝1m

I

H

6A

—

15

.

I＝1m

I

H

6A

08

.

—

I＝1m

I

H

6A

13

.

07

.

—

03

.

06

.

I＝1m

I

H

6A

1

2

—

保護動½開始から解除まで (

入力信号は“L

”であること)

—

8

—

5

端子流入电流 .K

＝47Ω

測

定

条

件

1

2

出力立ち上がり時端子：1V

5以上端子：オープン

単

½

V

m

A

kz

H

Ω

m

A

V

μs

m

s

m

A

μs

V

—

1

5

24

.

28

.

—

1

出力立ち上がり時端子：1V

5以上

短絡検出抑制時間2

2

間：10pの容量接続

00F

（注）端子

4

短絡検出コレクタ電圧

短絡検出するモジュールのコレクタ電圧

2

4

（注）短絡検出抑制時間変更用コンデンサの配線長は端子、より往復5m

c以内

特性定義図

()通常スイッチング動½

1

V

I

V

I

0V

()短絡保護動½

2

V

O

t

r

t

f

90%

V

O

0V

ー5V

t

trip1,2

50%

8

端子出力

0V

t

定时器

10V

10%

t

PLH

t

PHL

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

標準特性

t

L

,t

H

a

PH

PL

T特性

(

代表例)

1.6

出力"L - H"伝搬时间

t

PLH

(μs)

出力"H - L"伝搬时间

t

PHL

(μs)

出力"L - H"伝搬时间

t

PLH

(μs)

出力"H - L"伝搬时间

t

PHL

(μs)

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

20

40

60

80

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

R ＝1Ω

G

5

V

N

V

I

＝5

负荷： M5D - 2

C10Y1H

t

PHL

t

PLH

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

3

4

5

6

7

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

R ＝1Ω

G

5

T＝2℃

a

5

负荷： M5D - 2

C10Y1H

t

PHL

t

L

,t

H I

PH

PL

V特性

(

代表例)

t

PLH

周囲温度T (

a ℃)

入力信号電圧V ()

I

V

t

i1

t

i2

a

T P上

,

T P上

T特性

r

(

代表例)

8

短絡検出抑制時間

t

trip1

, t

trip2

(μs)

短絡検出抑制時間

t

旅

(μs)

7

6

5

4

3

2

1

0

20

40

60

80

周囲温度T (

a ℃)

t

trip1

: C

旅

＝0

t

trip2

: C

旅

＝1000pF

V

CC

＝15V

V

EE

＝10V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

2000

t

i

C

rp

T P上

r

ti

特性

(

代表例)

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

T＝2℃

a

5

4000

6000

8000

2

4

端子間接続容量C

rp

p)

ti

(F

内部消費電力周囲温度特性

(

最大定格)

3

4

6

消費電流電源電圧特性 (

端子間)

入力信号“L 代表例)

”(

T＝2℃

a

5

20

内部消費電力

P

D

(W)

2

消費電流

（MA ）

10

1

0

20

40

60

80

100

周囲温度

的Ta （℃）

0

10

20

30

40

4

6

電源電圧 (

端子間)()

V

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

保護回路動½説明

()本ハイブリッドIの保護回路は、ゲート電½が“H

1

C

”でコレ

クタ電圧が高い時、短絡状態と判断し、直ちにゲート電圧を降

下させます。

また、同時に、保護回路が動½していることを知らせるエラ

8

ー信号を端子より出力( ”レベル)

“L

します。

()上記の保護動½は、ある一定(2s以上の時間が経過した

2

1 m)

時点で、入力信号が“L

”であればリセットされ、通常スイッ

チング動½に戻ります。( ”期間は、5 以上必要)

“L

μs

5

()出力(

3

端子 )

立上がり时， IBのオン时间を确保するため

GT

の短絡検出抑制時間(

標準24 )

.μsを設けてあります。端子

2

4

間に容量を接続することにより調整することができます。

短絡検出時動½フロー

開始

短絡状態の検知

ゲート遮断回路動½

タイマ動½開始

短絡検出出力

1 m

2s

タイマ終了

N

o

Ys

e

入力信号は

“L

”レベルか

N

o

Ys

e

リセット

（注）保護回路動½時の出力“L

”電圧は、V

E

＋約2です。

E

V

〈混成集積回路〉

M57159L-01

IGBTモジュール駆动用ハイブリッドIC

応用回路例

単電源½用回路例

4.7kW

8

D1

1

2

V

IN

5

C

旅

Dz1

30V

8

D1

1

R

G

5V

V

CC

V

EE

5

R

G

M57159L

-01

14

4

47F

14

M57159L

-01

4

V

CC

47F

R

1

Dz2

10V

C

转

Dz1

30V

13

TTLetc 。

F 0H

＝2kz

DF＝5%

.. 0

V

N

V

I

＝5

6

13

6

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

R ＝1

W

G

5

C

rp

30p

ti

＝0 30F

D:

1ファーストリカバリーダイオード

(r≦02 )

TR .μs

V

C

＝2V

C

5

C

e

＝4

F

rv

7

R ＝27

W

1

.k

※电源投入后，R ×C

e

()

1

rv

sの時定数以上の時間が経過するまでオン信号を入

力しないでください。

御½用上の注意

()電圧補償用コンデンサは極力ハイブリッドIの近くに実装し

1

C

てください。

()Dはモジュールと同等の耐圧が必要です。

2

1

()Dの逆回復時は端子へ非常に高い電圧が印加されること

3

1

大容量素子の駆動回路例

4.7kW

になり、内部素子を破壊する可½性があります。上図のように

1

6

端子間にツェナーダイオードを挿入する等、保護対策

8

D1

1

2

4

C

旅

Dz1

30V

R

G

が必要です。

2

()端子を½用する場合、C

rp

4

ti

の配線は端子,

4

より極力短

く配線してください。

（目安：往復5m

c以下）

5V

C

1

M57159L

-01

14

V

CC

5

13

V

EE

6

C

2

V

C

＝1V

C

5

V

E

＝1V

E

0

C

rp

00F

ti

＝10p

C

, 2

≧10 (

1

C

0μF ½インピーダンス品)