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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1085页 > M54HCT245
M54/74HCT245/640/643
M54/74HCT245/640/643
八路总线收发器( 3 - STATE ) : HCT245非反相
HCT640反转, HCT643反相/非反相
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 10 ns(典型值),在V
CC
= 5V
低功耗
o
I
CC
= 4
A
( MAX 。 )在T
A
= 25 C
兼容TTL输出
V
IH
= 2V ( MIN 。 )V
IL
= 0.8V (最大)
输出驱动能力
15输入通道负载
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 6 MA( MIN )
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
引脚和功能兼容
54 / 74LS245 /六百四十三分之六百四十○
B1R
(塑料包装)
F1R
(陶瓷封装)
M1R
(超小型封装)
C1R
(芯片载体)
描述
在M54 / 74HCT245 , HCT640和HCT643利用
硅栅
2
MOS技术,为了更好地实现经营
速度eqivalent到LSTTL设备。
伴随着低功耗和高噪声
standad CMOS免疫力集成电路,它
拥有驾驶15输入通道负载的能力。
这些IC的旨在用于双向异步
数据总线之间的通信,以及
数据传送中的方向由DIR确定
输入。使能输入端(G),可以用于禁用
该设备以使总线有效隔离。
所有输入都配备了保护电路
防止静电放电和瞬态放电。
这些集成电路具有输入和输出
引脚连接
( TOP VIEW )
HCT245
HCT640
订购代码:
M54HCTXXXF1R
M74HCTXXXM1R
M74HCTXXXB1R
M74HCTXXXC1R
这是用54/74完全兼容的特性
LSTTL逻辑系列。 M54 / 74HCT设备
设计用来直接与HSC
2
MOS系统
与TTL和NMOS组件。它们也
插上替代LSTTL器件给人一种
降低功耗。
禁止应用信号到
汽车客运站当在输出模式
而当BUS THERMINAL是浮动的
(高阻抗状态) ,则要求
要修复的输入电平通过以下方式
外部上拉或下拉UP
电阻器。
HCT643
1993年10月
1/11
M54/M74HCT245/640/643
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1
2, 3, 4, 5,
6, 7, 8, 9
18, 17, 16,
15, 14, 13,
12, 11
19
10
20
符号
DIR
A1到A8
B1至B8
名称和功能
方向控制
数据输入/输出
数据输入/输出
G
GND
V
CC
输出Enabel然输入
(低电平有效)
地( 0V )
正电源电压
IEC逻辑符号
HCT245
HCT640
HCT643
真值表
输入
G
L
L
H
×: “H”或“L”的
Z:高阻
功能
DIR
L
H
X
总线
产量
输入
Z
B总线
输入
产量
Z
HCT245
A-B
B-A
Z
产量
HCT640
A-B
B-A
Z
HCT643
A-B
B-A
Z
2/11
M54/M74HCT245/640/643
逻辑图
(HCT640)
注意:如果HCT245或HCT643中,输入逆变器标记为* AT总线和B总线分别淘汰
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
C
o
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
( * ) 500毫瓦:
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
3/11
M54/M74HCT245/640/643
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度:
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间(V
CC
= 4.5 5.5V )
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
0到500
单位
V
V
V
o
o
C
C
ns
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
to
5.5
4.5
to
5.5
4.5
V
I
= I
O
=-20
A
V
IH
还是我
O
= -6.0毫安
V
IL
V
I
= I
O
= 20
A
V
IH
还是我
O
= 6.0毫安
V
IL
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
每个输入引脚
V
I
= 0.5V或
V
I
= 2.4V
其他投入的
V
CC
或GND
I
O
= 0
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。
2.0
典型值。
马克斯。
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。
2.0
马克斯。
分钟。
2.0
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高层
输出电压
V
IL
0.8
0.8
0.8
V
V
OH
4.4
4.18
4.5
4.31
0.0
0.17
0.1
0.26
±0.1
±0.5
4
2.0
4.4
4.13
0.1
0.33
±1
±5.0
40
2.9
4.4
4.10
0.1
V
0.4
±1
±10
80
3.0
A
A
A
mA
V
V
OL
低电平输出
电压
4.5
I
I
I
OZ
I
CC
I
CC
输入漏
当前
3态输出
关态电流
静态电源
当前
其他最差
供应情况
当前
5.5
5.5
5.5
5.5
4/11
M54/M74HCT245/640/643
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
C
L
(PF )
50
50
150
50
150
50
R
L
= 1K
R
L
= 1K
R
L
= 1K
DIR ,G
一,BN
HCT245
HCT640/643
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。
典型值。
7
13
18
19
24
17
5
13
41
39
马克斯。
12
22
30
30
38
30
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。
马克斯。
15
28
38
38
48
38
10
分钟。
马克斯。
18
33
45
45
57
45
10
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
I / OUT
C
PD
(*)
输出转换
时间
传播
延迟时间
OUTPUT ENABLE
时间
输出禁用
时间
输入电容
产量
电容
功耗
电容
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
(请参考测试电路) 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
( OPR ) = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 8 (每路)
开关特性测试波形
5/11
M54HCT245
抗辐射八路总线收发器
具有三态输出(非反相)
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速:
t
PD
= 13ns (典型值)在V
CC
= 4.5V
低功耗:
I
CC
= 4μA ( MAX 。 )在T
A
=25°C
兼容TTL输出:
V
IH
= 2V ( MIN 。 )V
IL
= 0.8V (MAX)
对称的输出阻抗:
|I
OH
| = I
OL
= 6毫安( MIN )
平衡传输延迟:
t
PLH
t
PHL
引脚和功能兼容
54系列245
太空级- 1 : ESA SCC合格
50拉德合格, 100拉德可用
请求
下高LET重离子NO SEL
放射
设备完全兼容
SCC-9405-014
DILC-20
FPC-20
订购代码
DILC
FPC
FM
M54HCT245D
M54HCT245K
EM
M54HCT245D1
M54HCT245K1
描述
该M54HCT245是一种先进的高速
CMOS八路总线收发器( 3 -STATE )
制造与硅栅
2
MOS技术。
这种集成电路适用于双向异步
数据总线之间的通信,以及
数据传输的方向由下式确定
DIR输入。使能输入端G可用作对
禁用该设备,这样的公交车都有效
孤立的。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
高阻抗状态,必须在所有的浮动巴士总站
举行高还是低。
引脚连接
2004年6月
第1版
1/10
M54HCT245
图1 : IEC逻辑符号
图2 :输入输出等效电路
表1 :引脚说明
引脚n °
1
2, 3, 4, 5, 6,
7, 8, 9
18, 17, 16,
15, 14, 13,
12, 11
19
10
20
符号
DIR
A1到A8
B1至B8
名称和功能
方向控制
数据输入/输出
数据输入/输出
G
GND
V
CC
输出使能输入
地( 0V )
正电源电压
表2 :真值表
输入
G
L
L
H
X:无关
Z:高阻
功能
DIR
L
H
X
总线
产量
输入
Z
B总线
输入
产量
Z
产量
Yn
A-B
B-A
Z
2/10
M54HCT245
表3 :绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
功耗
储存温度
焊接温度( 10秒)
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
420
-65到+150
265
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
表4 :推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间(V
CC
= 4.5 5.5V )
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55至125
0到500
单位
V
V
V
°C
ns
3/10
M54HCT245
表5 : DC规格
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
to
5.5
4.5
to
5.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
I
O
=-20
A
I
O
= -6.0毫安
I
O
=20
A
I
O
= 6.0毫安
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
V
O
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
每个输入引脚
V
I
= 0.5V或
V
I
= 2.4V
其他投入的
V
CC
或GND
I
O
= 0
T
A
= 25°C
分钟。
2.0
典型值。
马克斯。
价值
-40到85°C
分钟。
2.0
马克斯。
-55到125°C
分钟。
2.0
马克斯。
V
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入漏
当前
高阻抗
输出漏
当前
静态电源
当前
其他最差
供应情况
当前
V
IL
0.8
4.4
4.18
4.5
4.31
0.0
0.17
0.1
0.26
±
0.1
±
0.5
4
2.0
4.4
4.13
0.8
4.4
4.10
0.1
0.33
±
1
±
5
40
2.9
0.8
V
V
OH
V
OL
I
I
I
OZ
V
0.1
0.40
±
1
±
10
80
3.0
V
A
A
A
mA
I
CC
I
CC
表6 : AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的)
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
4.5
4.5
C
L
(PF )
50
50
150
50
150
50
R
L
= 1 K
R
L
= 1 K
R
L
= 1 K
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
7
13
18
19
24
17
马克斯。
12
22
30
30
38
30
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
15
28
38
38
48
38
-55到125°C
分钟。
马克斯。
18
33
45
45
57
45
ns
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
t
PZL
t
PZH
高阻抗
OUTPUT ENABLE
时间
t
PLZ
t
PHZ
高阻抗
输出禁用
时间
4.5
ns
4/10
M54HCT245
表7 :电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
DIR ,G
一,BN
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
13
41
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
pF
单位
C
IN
C
I / OUT
C
PD
输入电容
产量
电容
功耗
电容(注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算,而不值
负载。 (请参考测试电路) 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC ( OPR )
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 8 (每路)
图3 :测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的/ 150pF的或同等学历(包括夹具和探头电容)
R
1
= 1KΩ或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
开关
开放
V
CC
GND
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