M54HC85
M74HC85
4位数值比较器
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 22 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
输出驱动能力
10输入通道负载
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54/74LS85
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HC85F1R
M74HC85M1R
M74HC85B1R
M74HC85C1R
描述
在M54 / 74HC85是一款高速CMOS 4位
幅度比较制成的硅
门
2
MOS技术。它具有相同的高
输入通道的高速性能与真正的
CMOS低功耗。该比较器
比较两个4位的字，并提供一个高电压
在A > B了， A = B列中的一个年龄层次和A < B
出输出。比较比特数为容易EX-
通过级联多个设备，如图膨胀性
典型的应用程序。所有的输入都配有
防止静电放电和转录保护电路
过性过电压。
输入和输出等效电路
引脚连接
（ TOP VIEW ）
NC =
无内部
连接
1992年12月
1/11
M54/M74HC85
真值表
INPUTS模式对比
A3>B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
X
A2>B2
A2=B2
A2=B2
X
X
A1>B1
A1=B1
X
X
X
A0>B0
级联输入
A>B
X
X
X
X
L
X
A3=B3
A2=B2
A1=B1
A0=B0
L
H
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3<B3
X ：无关
输出
A>B
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
L
L
L
A<B
L
L
L
L
H
L
H
L
L
H
H
H
H
A-B
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
A<B
X
X
X
X
L
X
H
L
H
X
X
X
X
A-B
X
X
X
X
L
H
L
L
L
X
X
X
X
A2=B2
A2=B2
A2<B2
X
A1=B1
A1<B1
X
X
A0<B0
X
X
X
H
X
X
X
X
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
3/11
M54/M74HC85
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
30
8
7
96
24
20
48
12
10
5
23
75
15
13
185
37
31
95
19
16
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
95
19
16
230
46
39
120
24
20
10
110
22
19
280
56
48
145
29
25
10
ns
pF
pF
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
PD
(*)
输出转换
时间
传播
延迟时间
（A ， B- OUT ）
传播
延迟时间
（ CASCADE -OUT ）
输入电容
功耗
电容
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
开关特性测试
波形
测试电路I
CC
（ OPR ）。
输入波形是一样的，若
开关特性测试。
5/11
M54HC85
M74HC85
4位数值比较器
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 22 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
输出驱动能力
10输入通道负载
对称的输出阻抗
|I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN 。 ）
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54/74LS85
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HC85F1R
M74HC85M1R
M74HC85B1R
M74HC85C1R
描述
在M54 / 74HC85是一款高速CMOS 4位
幅度比较制成的硅
门
2
MOS技术。它具有相同的高
输入通道的高速性能与真正的
CMOS低功耗。该比较器
比较两个4位的字，并提供一个高电压
在A > B了， A = B列中的一个年龄层次和A < B
出输出。比较比特数为容易EX-
通过级联多个设备，如图膨胀性
典型的应用程序。所有的输入都配有
防止静电放电和转录保护电路
过性过电压。
输入和输出等效电路
引脚连接
（ TOP VIEW ）
NC =
无内部
连接
1992年12月
1/11
M54/M74HC85
真值表
INPUTS模式对比
A3>B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
X
A2>B2
A2=B2
A2=B2
X
X
A1>B1
A1=B1
X
X
X
A0>B0
级联输入
A>B
X
X
X
X
L
X
A3=B3
A2=B2
A1=B1
A0=B0
L
H
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3<B3
X ：无关
输出
A>B
H
H
H
H
H
L
L
H
L
L
L
L
L
A<B
L
L
L
L
H
L
H
L
L
H
H
H
H
A-B
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
A<B
X
X
X
X
L
X
H
L
H
X
X
X
X
A-B
X
X
X
X
L
H
L
L
L
X
X
X
X
A2=B2
A2=B2
A2<B2
X
A1=B1
A1<B1
X
X
A0<B0
X
X
X
H
X
X
X
X
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
3/11
M54/M74HC85
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
30
8
7
96
24
20
48
12
10
5
23
75
15
13
185
37
31
95
19
16
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
95
19
16
230
46
39
120
24
20
10
110
22
19
280
56
48
145
29
25
10
ns
pF
pF
ns
ns
单位
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
PD
(*)
输出转换
时间
传播
延迟时间
（A ， B- OUT ）
传播
延迟时间
（ CASCADE -OUT ）
输入电容
功耗
电容
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
开关特性测试
波形
测试电路I
CC
（ OPR ）。
输入波形是一样的，若
开关特性测试。
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