【M54HC75抗辐射4位D型锁存器sssssssssss高速：tPD= 11ns的（ TYP 。）】,IC型号M54HC75K1,M54HC75K1 PDF资料,M54HC75K1经销商,ic,电子元器件-51电子网

M54HC75

抗辐射4位D型锁存器

s

高速：

t

PD

= 11ns的（ TYP 。）在V

CC

= 6V

低功耗：

I

CC

= 2μA （最大值）在T

A

=25°C

高抗干扰性：

V

美国国立卫生研究院

= V

NIL

= 28% V

CC

（分）

对称的输出阻抗：

|I

OH

| = I

OL

= 4毫安（ MIN ）

平衡传输延迟：

t

PLH

t

PHL

宽工作电压范围：

V

CC

（ OPR） = 2V到6V

引脚和功能兼容

54系列75

太空级- 1 ： ESA SCC合格

50拉德合格， 100拉德可用

请求

下高LET重离子NO SEL

放射

设备完全兼容

SCC-9203-065

DILC-16

FPC-16

订购代码

包

DILC

FPC

FM

M54HC75D

M54HC75K

EM

M54HC75D1

M54HC75K1

描述

该M54HC75是一个高速CMOS 4位D

型锁存器制造与硅栅

2

MOS

技术。

它包含两个基团通过控制2位锁存

一个使能输入端（G1

2或G3

4）。这两个锁存器

基团可以在不同的电路中使用。每个锁存器

有Q和Q输出（ 1Q - 4季度和1季度 - 第四季度）。该

施加到数据输入中的数据传送到

当使能输入为Q及输出

高且输出将跟随输入的数据作为

只要使能输入被保持高电平。当

使能输入为低电平时，信息数据

施加到数据输入被保持在所述输出。

所有的输入都配有保护电路

防止静电放电和瞬态过剩

电压。

引脚连接

2004年6月

第1版

1/10

M54HC75

图1 ： IEC逻辑符号

图2 ：输入输出等效电路

表1 ：引脚说明

引脚n °

1, 14, 11, 8

2, 3, 6, 7

4

13

16, 15, 10, 9

12

5

符号

1Q至4Q

一维到四维

G3

4

G1

2

1Q至4Q

GND

V

CC

名称和功能

互补锁存

输出

数据输入

锁存使能输入，

锁存器3和4中

锁存使能输入，

锁存器1和2中

锁存器输出

地（ 0V ）

正电源电压

表2 ：真值表

输入

D

L

H

X

G

H

L

输出

功能

Q

L

H

Qn

Q

H

L

Qn

LATCH

2/10

M54HC75

图3 ：逻辑图

表3 ：绝对最大额定值

符号

V

CC

V

I

V

O

I

IK

I

OK

I

O

电源电压

直流输入电压

直流输出电压

DC输入二极管电流

DC输出二极管电流

直流输出电流

参数

价值

-0.5到+7

-0.5到V

CC

+ 0.5

-0.5到V

CC

+ 0.5

±

20

±

20

±

25

±

50

300

-65到+150

265

单位

V

mA

mW

°C

I

CC

还是我

GND

DC V

CC

或接地电流

P

D

功耗

T

英镑

T

L

储存温度

焊接温度（ 10秒）

绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作

不暗示

表4 ：推荐工作条件

符号

V

CC

V

I

V

O

T

op

t

r

, t

f

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

输入上升和下降时间

V

CC

= 2.0V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6.0V

参数

价值

2至6个

0到V

CC

0到V

CC

-55至125

01000

0到500

0到400

单位

V

°C

ns

3/10

M54HC75

表5 ： DC规格

测试条件

符号

参数

V

CC

(V)

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

4.5

6.0

V

OL

低电平输出

电压

2.0

4.5

6.0

4.5

6.0

I

CC

输入漏

当前

静态电源

当前

6.0

I

O

=-20

A

I

O

=-20

A

I

O

=-20

A

I

O

= -4.0毫安

I

O

= -5.2毫安

I

O

=20

A

I

O

=20

A

I

O

=20

A

I

O

-4.0毫安

I

O

-5.2毫安

V

I

= V

CC

或GND

V

I

= V

CC

或GND

T

A

= 25°C

分钟。

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

1.9

4.4

5.9

4.18

5.68

2.0

4.5

6.0

4.31

5.8

0.0

0.17

0.18

0.1

0.26

±

0.1

2

1.9

4.4

5.9

4.13

5.63

0.1

0.33

±

1

20

典型值。

马克斯。

价值

-40到85°C

分钟。

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

1.9

4.4

5.9

4.10

5.60

0.1

0.40

±

1

40

A

V

马克斯。

-55到125°C

分钟。

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

马克斯。

V

单位

V

IH

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

V

IL

V

OH

表6 ： AC电气特性

(C

L

= 50 pF的输入吨

r

= t

f

= 6ns的）

测试条件

符号

参数

V

CC

(V)

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

T

A

= 25°C

分钟。

典型值。

25

7

6

36

12

10

40

13

11

18

6

马克斯。

75

15

13

110

22

19

125

25

21

75

15

13

50

10

9

25

5

4

价值

-40到85°C

分钟。

马克斯。

95

19

16

140

28

24

155

31

26

95

19

16

65

13

11

30

6

5

-55到125°C

分钟。

马克斯。

110

22

19

165

33

28

190

38

32

110

22

19

75

15

13

40

8

7

ns

单位

t

TLH

t

THL

输出转换

时间

t

PLH

t

PHL

传播延迟

时间（ DATA - Q）

t

PLH

t

PHL

传播延迟

时间（ G- Q）

t

瓦特（H）的

最小脉冲

宽度（ G）

最小的建立

时间

最小保持

时间

ns

t

s

ns

t

h

ns

4/10

M54HC75

表7 ：电容特性

测试条件

符号

参数

V

CC

(V)

5.0

T

A

= 25°C

分钟。

典型值。

5

30

马克斯。

10

价值

-40到85°C

分钟。

马克斯。

10

-55到125°C

分钟。

马克斯。

10

pF

单位

C

IN

C

PD

输入电容

功耗

电容（注

1)

1) C

PD

被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值

负载。（请参考测试电路）。平均工作电流可以由下式得到。我

CC （ OPR ）

= C

PD

X V

CC

架F

IN

+ I

CC

图4 ：测试电路

C

L

= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）

R

T

= Z

OUT

脉冲发生器（通常为50Ω ）

5/10

M54HC75

抗辐射4位D型锁存器

s

高速：

t

PD

= 11ns的（ TYP 。）在V

CC

= 6V

低功耗：

I

CC

= 2μA （最大值）在T

A

=25°C

高抗干扰性：

V

美国国立卫生研究院

= V

NIL

= 28% V

CC

（分）

对称的输出阻抗：

|I

OH

| = I

OL

= 4毫安（ MIN ）

平衡传输延迟：

t

PLH

t

PHL

宽工作电压范围：

V

CC

（ OPR） = 2V到6V

引脚和功能兼容

54系列75

太空级- 1 ： ESA SCC合格

50拉德合格， 100拉德可用

请求

下高LET重离子NO SEL

放射

设备完全兼容

SCC-9203-065

DILC-16

FPC-16

订购代码

包

DILC

FPC

FM

M54HC75D

M54HC75K

EM

M54HC75D1

M54HC75K1

描述

该M54HC75是一个高速CMOS 4位D

型锁存器制造与硅栅

2

MOS

技术。

它包含两个基团通过控制2位锁存

一个使能输入端（G1

2或G3

4）。这两个锁存器

基团可以在不同的电路中使用。每个锁存器

有Q和Q输出（ 1Q - 4季度和1季度 - 第四季度）。该

施加到数据输入中的数据传送到

当使能输入为Q及输出

高且输出将跟随输入的数据作为

只要使能输入被保持高电平。当

使能输入为低电平时，信息数据

施加到数据输入被保持在所述输出。

所有的输入都配有保护电路

防止静电放电和瞬态过剩

电压。

引脚连接

2004年6月

第1版

1/10

M54HC75

图1 ： IEC逻辑符号

图2 ：输入输出等效电路

表1 ：引脚说明

引脚n °

1, 14, 11, 8

2, 3, 6, 7

4

13

16, 15, 10, 9

12

5

符号

1Q至4Q

一维到四维

G3

4

G1

2

1Q至4Q

GND

V

CC

名称和功能

互补锁存

输出

数据输入

锁存使能输入，

锁存器3和4中

锁存使能输入，

锁存器1和2中

锁存器输出

地（ 0V ）

正电源电压

表2 ：真值表

输入

D

L

H

X

G

H

L

输出

功能

Q

L

H

Qn

Q

H

L

Qn

LATCH

2/10

M54HC75

图3 ：逻辑图

表3 ：绝对最大额定值

符号

V

CC

V

I

V

O

I

IK

I

OK

I

O

电源电压

直流输入电压

直流输出电压

DC输入二极管电流

DC输出二极管电流

直流输出电流

参数

价值

-0.5到+7

-0.5到V

CC

+ 0.5

-0.5到V

CC

+ 0.5

±

20

±

20

±

25

±

50

300

-65到+150

265

单位

V

mA

mW

°C

I

CC

还是我

GND

DC V

CC

或接地电流

P

D

功耗

T

英镑

T

L

储存温度

焊接温度（ 10秒）

绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作

不暗示

表4 ：推荐工作条件

符号

V

CC

V

I

V

O

T

op

t

r

, t

f

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

输入上升和下降时间

V

CC

= 2.0V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 6.0V

参数

价值

2至6个

0到V

CC

0到V

CC

-55至125

01000

0到500

0到400

单位

V

°C

ns

3/10

M54HC75

表5 ： DC规格

测试条件

符号

参数

V

CC

(V)

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

4.5

6.0

V

OL

低电平输出

电压

2.0

4.5

6.0

4.5

6.0

I

CC

输入漏

当前

静态电源

当前

6.0

I

O

=-20

A

I

O

=-20

A

I

O

=-20

A

I

O

= -4.0毫安

I

O

= -5.2毫安

I

O

=20

A

I

O

=20

A

I

O

=20

A

I

O

-4.0毫安

I

O

-5.2毫安

V

I

= V

CC

或GND

V

I

= V

CC

或GND

T

A

= 25°C

分钟。

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

1.9

4.4

5.9

4.18

5.68

2.0

4.5

6.0

4.31

5.8

0.0

0.17

0.18

0.1

0.26

±

0.1

2

1.9

4.4

5.9

4.13

5.63

0.1

0.33

±

1

20

典型值。

马克斯。

价值

-40到85°C

分钟。

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

1.9

4.4

5.9

4.10

5.60

0.1

0.40

±

1

40

A

V

马克斯。

-55到125°C

分钟。

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

马克斯。

V

单位

V

IH

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

V

IL

V

OH

表6 ： AC电气特性

(C

L

= 50 pF的输入吨

r

= t

f

= 6ns的）

测试条件

符号

参数

V

CC

(V)

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

T

A

= 25°C

分钟。

典型值。

25

7

6

36

12

10

40

13

11

18

6

马克斯。

75

15

13

110

22

19

125

25

21

75

15

13

50

10

9

25

5

4

价值

-40到85°C

分钟。

马克斯。

95

19

16

140

28

24

155

31

26

95

19

16

65

13

11

30

6

5

-55到125°C

分钟。

马克斯。

110

22

19

165

33

28

190

38

32

110

22

19

75

15

13

40

8

7

ns

单位

t

TLH

t

THL

输出转换

时间

t

PLH

t

PHL

传播延迟

时间（ DATA - Q）

t

PLH

t

PHL

传播延迟

时间（ G- Q）

t

瓦特（H）的

最小脉冲

宽度（ G）

最小的建立

时间

最小保持

时间

ns

t

s

ns

t

h

ns

4/10

M54HC75

表7 ：电容特性

测试条件

符号

参数

V

CC

(V)

5.0

T

A

= 25°C

分钟。

典型值。

5

30

马克斯。

10

价值

-40到85°C

分钟。

马克斯。

10

-55到125°C

分钟。

马克斯。

10

pF

单位

C

IN

C

PD

输入电容

功耗

电容（注

1)

1) C

PD

被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值

负载。（请参考测试电路）。平均工作电流可以由下式得到。我

CC （ OPR ）

= C

PD

X V

CC

架F

IN

+ I

CC

图4 ：测试电路

C

L

= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）

R

T

= Z

OUT

脉冲发生器（通常为50Ω ）

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