M54/74HC266
M54/74HC7266
HC266 QUAD异或非门漏极开路
HC7266 QUAD异或非门
.
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 10 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 1
A
（ MAX 。 ）在T
A
= 25
°C
高噪声抗扰度
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28 % V
CC
（分）
输出驱动能力
10输入通道负载
对称的输出阻抗（ 7266 ）
|I
OH
| = I
OL
= 4 MA（ MIN 。 ）
平衡传输延迟（ 7266 ）
t
PLH
= t
PHL
宽工作电压范围
V
CC
（ OPR ） = 2 V至6 V
引脚和功能兼容
54 / 74LS7266
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
订购代码：
M54HCXXXF1R
M74HCXXX1R
M74HCXXXB1R
M74HCXXXC1R
引脚连接
（ TOP VIEW ）
描述
在M54 / 74HC266 / 7266顷高速CMOS
QUAD异或非门，制作sili-
2
骗子门 MOS技术。它们具有相同的
输入通道的高速性能结合
真正的CMOS低功耗。
在HC266具有高性能的N沟道
MOS晶体管（开漏输出） 。
的HC7266具有其的CMOS输出缓冲器
结构。
输入和输出缓冲器确保高噪声抗扰度
稳定的输出。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态电压过剩
年龄。
1993年3月
NC =
无内部
连接
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M54/M74HC266/7266
逻辑图
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
CC
I
O
还是我
GND
P
D
T
英镑
参数
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
价值
-0.5到+7
-0.5到V
DD
+ 0.5
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500 (*)
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作isnotimplied 。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间
V
CC
= 2 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6 V
价值
2至6个
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
01000
0到500
0到400
单位
V
V
V
o
o
C
C
ns
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M54/M74HC266/7266
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
t
PLZ
t
PZL
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
PD
(*)
传播
延迟时间
(HC266)
传播
延迟时间
(HC7266)
输入电容
功耗
电容
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
R
L
= 1K
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
30
8
7
30
8
7
48
12
10
36
11
9
5
20
75
15
13
75
15
13
90
18
15
90
18
15
10
o
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
95
19
16
95
19
16
115
23
20
115
23
20
10
110
22
19
110
22
19
135
27
23
135
27
23
10
ns
pF
pF
ns
ns
ns
单位
t
THL
输出转换
时间（ HC266 ）
输出转换
时间（ HC7266 ）
t
TLH
t
THL
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
/ 4 （每门）
开关特性测试电路
(HC266)
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