M54HC253
抗辐射双4通道
复用器3态输出
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
高速：
t
PD
= 16ns内（ TYP 。 ）在V
CC
= 6V
低功耗：
I
CC
= 4μA （ MAX 。 ）在T
A
=25°C
高抗干扰性：
V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
（分）
对称的输出阻抗：
|I
OH
| = I
OL
= 4毫安（ MIN ）
平衡传输延迟：
t
PLH
t
PHL
宽工作电压范围：
V
CC
（ OPR） = 2V到6V
引脚和功能兼容
54系列253
太空级- 1 ： ESA SCC合格
50拉德合格， 100拉德可用
请求
下高LET重离子NO SEL
放射
设备完全兼容
SCC-9408-058
DILC-16
FPC-16
订购代码
包
DILC
FPC
FM
M54HC253D
M54HC253K
EM
M54HC253D1
M54HC253K1
描述
该M54HC253是一个高速CMOS双4
通道多路复用器制造硅
门
2
MOS技术。
这些数据（ 1C0-1C3 ， 2C0-2C3 ）是
由两个地址输入端A和B.选择
单独的选通输入（ 1G，2G ）被提供用于
每两个四线部分。在选通输入
（NG）可用于抑制该数据输出;该
M54HC253的输出是同时具有高阻抗
在选通输入保持高电平。
所有的输入都配有保护电路
防止静电放电和瞬态过剩
电压。
引脚连接
2004年4月
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M54HC253
逻辑图
这个逻辑图，并没有被用来估计的传播延迟
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
300
-65到+150
265
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
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M54HC253
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
48
15
12
68
20
16
36
12
9
22
11
9
马克斯。
75
15
13
115
23
20
150
30
26
100
20
17
100
20
17
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
145
29
25
190
38
32
125
25
21
125
25
21
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
175
35
30
225
45
38
150
30
26
150
30
26
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间（CN - Y）
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间（A ，B - Y）
t
PZL
t
PZH
高阻抗
OUTPUT ENABLE
时间（G - Y）
t
PLZ
t
PHZ
高阻抗
输出禁用
时间（G - Y）
ns
ns
R
1
= 1K
ns
R
1
= 1K
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
58
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容
（注1 ）
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 4 （每路）
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