POWEREX
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
引脚配置
NC
1
20
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
描述
M54585KP是八回路达林顿晶体管阵列
钳位二极管。该电路是由NPN晶体管。
无论是半导体集成电路进行高电流
驾驶租极低的输入电流供应。
NC
IN1→
2
19
→
O1
IN2
→
3
18
→
O2
17
→
O3
IN3→
4
IN4
→
5
16
→
O4
输入
IN5→
6
IN6
→
7
15
→
O5
产量
特点
q
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
q
高电流驱动（我
C（最大值）
= 500mA）请
q
钳位二极管
q
驾车可与TTL输出或PMOS输出IC
q
随着紧缩小型封装
14
→
O6
IN7→
8
IN8
→
9
13
→
O7
12
→
O8
11
-COM
常见
GND
10
NC ：无连接
封装形式20P2E -A
电路图
COM
应用
继电器和打印机，显示的数字驱动器的驱动器元素
ments ，如LED和灯，以及MOS双极逻辑IC
接口
产量
2.7k
输入
7.2k
3k
GND
功能
该M54585KP有八个电路，其是NPN达林顿
晶体管。输入晶体管具有2.7kΩ的电阻BE-
补间基地和输入引脚。穗杀手钳位二极管
每个输出端子和GND之间。输出转录
体管发射器都连接到GND引脚。
集电极电流为500mA最大。最大collec-
器 - 发射极电压为50V 。
这八个电路共用COM和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
I
F
V
R
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
输入电压
钳位二极管的正向电流
钳位二极管的反向电压
功耗
工作温度
储存温度
TA安装在船上的时候= 25° C，
评级
–0.5 ~ +50
500
–0.5 ~ +30
500
50
0.68
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
mA
V
W
°C
°C
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
POWEREX
推荐工作条件
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
符号
V
O
参数
输出电压
集电极电流
（每1税务局局长占空比电流
≤
10%
CUIT 8时电路
将会陆续Si-所示
占空比
≤
50%
multaneously ）
Ic
≤
400mA
“H”输入电压
Ic
≤
200mA
“L”输入电压
范围
民
0
0
0
3.85
3.4
0
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
50
200
mA
70
30
30
0.6
V
V
V
单位
V
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
I
C
V
IH
V
IL
电气特性
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
I
I
V
F
I
R
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
民
50
—
—
—
—
—
—
1000
范围
典型值
+
—
1.3
1.0
0.95
8.7
1.5
—
2500
最大
—
2.4
1.6
1.8
18
2.4
100
—
单位
V
V
mA
V
A
—
I
首席执行官
= 100A
V
I
= 3.85V ，我
C
= 400毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
I
= 3.4V ，我
C
= 200毫安
I
I
= 3.85V
输入电流
V
I
= 25V
钳位二极管的正向电压
I
F
= 400毫安
钳位二极管的反向电流
V
R
= 50V
直流放大系数
V
CE
= 4V ，我
C
= 350mA电流TA = 25℃
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
范围
民
—
—
典型值
12
240
最大
—
—
单位
ns
ns
注1：测试电路
输入
Vo
时序图
50%
50%
测量设备
开放
R
L
产量
输入
PG
产量
50
C
L
50%
50%
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，
V
I
= 3.85V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 25Ω ， VO = 10V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
POWEREX
典型特征
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
热降额因子特征
1.0
500
输出饱和电压
集电极电流特性
V
I
= 3.4V
功耗PD （W ）
0.68
0.6
0.408
集电极电流
IC （MA ）
0.8
400
300
0.4
0.2
200
TA = 25°C
100
TA = 75℃
TA = -20℃
0
0
25
50
75
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
500
500
输出饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
占空比集电极特性
集电极电流
IC （MA ）
1
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
200
该
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
≥
10Hz
该
在圈内值表示
的同时操作的电路的值。
300
1
2
3
4
5
6
7
8
= TA
= 25°C
200
2
3
45
67
8
100
100
0
0
20
40
60
80
100
0
该
集电极电流
值表示的当前
每个电路。
←反复
频率
≥
10Hz
该
在圈内值表示同时操作的电路的值。
= TA
= 75°C
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
直流放大系数
集电极电流特性
V
CE
= 4V
占空比（ ％ ）
接地发射传输特性
500
V
CE
= 4V
10
4
直流放大因子H
FE
7
5
3
2
TA = 75℃
集电极电流Ic （ mA）的
400
300
10
3
7
5
3
2
TA = -20℃
TA = 25°C
200
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
100
10
2
10
1
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
0
0
1
2
3
4
集电极电流Ic （ mA）的
输入电压V
I
(V)
2000年1月
POWEREX
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
输入特性
10
500
钳位二极管特性
正向偏置电流I
F
（MA ）
TA = -20℃
8
400
输入电流I
I
（MA ）
6
TA = 25°C
TA = 75℃
300
4
200
TA = 25°C
2
100
TA = 75℃
TA = -20℃
0
0
5
10
15
20
25
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
输入电压V
I
(V)
正向偏置电压V
F
(V)
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
描述
M54585KP是八回路达林顿晶体管阵列
钳位二极管。该电路是由NPN晶体管。
无论是半导体集成电路进行高电流
驾驶租极低的输入电流供应。
引脚配置
NC
1
20
NC
IN1→
2
IN2
→
3
IN3→
4
IN4
→
5
输入
IN5→
6
IN6
→
7
IN7→
8
IN8
→
9
GND
10
19
→
O1
18
→
O2
17
→
O3
16
→
O4
15
→
O5
14
→
O6
13
→
O7
12
→
O8
11
-COM
常见
产量
特点
q
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
q
高电流驱动（我
C（最大值）
= 500mA）请
q
钳位二极管
q
驾车可与TTL输出或PMOS输出IC
q
随着紧缩小型封装
NC ：无连接
封装形式20P2E -A
电路图
COM
应用
继电器和打印机，显示的数字驱动器的驱动器元素
ments ，如LED和灯，以及MOS双极逻辑IC
接口
产量
2.7k
输入
7.2k
3k
GND
功能
该M54585KP有八个电路，其是NPN达林顿
晶体管。输入晶体管具有2.7kΩ的电阻BE-
补间基地和输入引脚。穗杀手钳位二极管
每个输出端子和GND之间。输出转录
体管发射器都连接到GND引脚。
集电极电流为500mA最大。最大collec-
器 - 发射极电压为50V 。
这八个电路共用COM和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
I
F
V
R
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
输入电压
钳位二极管的正向电流
钳位二极管的反向电压
功耗
工作温度
储存温度
TA安装在船上的时候= 25° C，
评级
–0.5 ~ +50
500
–0.5 ~ +30
500
50
0.68
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
mA
V
W
°C
°C
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
推荐工作条件
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
符号
V
O
参数
输出电压
集电极电流
（每1税务局局长占空比电流
≤
10%
CUIT 8时电路
将会陆续Si-所示
占空比
≤
50%
multaneously ）
Ic
≤
400mA
“H”输入电压
Ic
≤
200mA
“L”输入电压
范围
民
0
0
0
3.85
3.4
0
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
50
200
mA
70
30
30
0.6
V
V
V
单位
V
I
C
V
IH
V
IL
电气特性
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
I
I
V
F
I
R
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
民
50
—
—
—
—
—
—
1000
范围
典型值
+
—
1.3
1.0
0.95
8.7
1.5
—
2500
最大
—
2.4
1.6
1.8
18
2.4
100
—
单位
V
V
mA
V
A
—
I
首席执行官
= 100A
V
I
= 3.85V ，我
C
= 400毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
I
= 3.4V ，我
C
= 200毫安
I
I
= 3.85V
输入电流
V
I
= 25V
钳位二极管的正向电压
I
F
= 400毫安
钳位二极管的反向电流
V
R
= 50V
直流放大系数
V
CE
= 4V ，我
C
= 350mA电流TA = 25℃
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
范围
民
—
—
典型值
12
240
最大
—
—
单位
ns
ns
注1：测试电路
输入
Vo
时序图
50%
50%
测量设备
开放
PG
R
L
产量
输入
产量
50
C
L
50%
50%
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，
V
I
= 3.85V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 25Ω ， VO = 10V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
典型特征
输出饱和电压
集电极电流特性
500
V
I
= 3.4V
热降额因子特征
1.0
功耗PD （W ）
0.68
0.6
0.408
集电极电流
IC （MA ）
0.8
400
300
0.4
0.2
200
TA = 25°C
100
TA = 75℃
TA = -20℃
0
0
25
50
75
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
500
500
输出饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
占空比集电极特性
集电极电流
IC （MA ）
1
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
200
该
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
≥
10Hz
该
在圈内值表示
的同时操作的电路的值。
300
1
2
3
4
5
6
7
8
= TA
= 25°C
200
2
3
45
67
8
100
100
0
0
20
40
60
80
100
0
该
集电极电流
值表示的当前
每个电路。
←反复
频率
≥
10Hz
该
在圈内值表示同时操作的电路的值。
= TA
= 75°C
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
直流放大系数
集电极电流特性
V
CE
= 4V
占空比（ ％ ）
接地发射传输特性
500
V
CE
= 4V
10
4
直流放大因子H
FE
7
5
3
2
TA = 75℃
集电极电流Ic （ mA）的
400
300
10
3
7
5
3
2
TA = -20℃
TA = 25°C
200
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
100
10
2
10
1
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
0
0
1
2
3
4
集电极电流Ic （ mA）的
输入电压V
I
(V)
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
输入特性
10
500
钳位二极管特性
正向偏置电流I
F
（MA ）
TA = -20℃
8
400
输入电流I
I
（MA ）
6
TA = 25°C
TA = 75℃
300
4
200
TA = 25°C
2
100
TA = 75℃
TA = -20℃
0
0
5
10
15
20
25
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
输入电压V
I
(V)
正向偏置电压V
F
(V)
2000年1月
POWEREX
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
引脚配置
NC
1
20
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
描述
M54585KP是八回路达林顿晶体管阵列
钳位二极管。该电路是由NPN晶体管。
无论是半导体集成电路进行高电流
驾驶租极低的输入电流供应。
NC
IN1→
2
19
→
O1
IN2
→
3
18
→
O2
17
→
O3
IN3→
4
IN4
→
5
16
→
O4
输入
IN5→
6
IN6
→
7
15
→
O5
产量
特点
q
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
q
高电流驱动（我
C（最大值）
= 500mA）请
q
钳位二极管
q
驾车可与TTL输出或PMOS输出IC
q
随着紧缩小型封装
14
→
O6
IN7→
8
IN8
→
9
13
→
O7
12
→
O8
11
-COM
常见
GND
10
NC ：无连接
封装形式20P2E -A
电路图
COM
应用
继电器和打印机，显示的数字驱动器的驱动器元素
ments ，如LED和灯，以及MOS双极逻辑IC
接口
产量
2.7k
输入
7.2k
3k
GND
功能
该M54585KP有八个电路，其是NPN达林顿
晶体管。输入晶体管具有2.7kΩ的电阻BE-
补间基地和输入引脚。穗杀手钳位二极管
每个输出端子和GND之间。输出转录
体管发射器都连接到GND引脚。
集电极电流为500mA最大。最大collec-
器 - 发射极电压为50V 。
这八个电路共用COM和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
I
F
V
R
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
输入电压
钳位二极管的正向电流
钳位二极管的反向电压
功耗
工作温度
储存温度
TA安装在船上的时候= 25° C，
评级
–0.5 ~ +50
500
–0.5 ~ +30
500
50
0.68
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
mA
V
W
°C
°C
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
POWEREX
推荐工作条件
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
符号
V
O
参数
输出电压
集电极电流
（每1税务局局长占空比电流
≤
10%
CUIT 8时电路
将会陆续Si-所示
占空比
≤
50%
multaneously ）
Ic
≤
400mA
“H”输入电压
Ic
≤
200mA
“L”输入电压
范围
民
0
0
0
3.85
3.4
0
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
50
200
mA
70
30
30
0.6
V
V
V
单位
V
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
I
C
V
IH
V
IL
电气特性
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
I
I
V
F
I
R
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
民
50
—
—
—
—
—
—
1000
范围
典型值
+
—
1.3
1.0
0.95
8.7
1.5
—
2500
最大
—
2.4
1.6
1.8
18
2.4
100
—
单位
V
V
mA
V
A
—
I
首席执行官
= 100A
V
I
= 3.85V ，我
C
= 400毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
I
= 3.4V ，我
C
= 200毫安
I
I
= 3.85V
输入电流
V
I
= 25V
钳位二极管的正向电压
I
F
= 400毫安
钳位二极管的反向电流
V
R
= 50V
直流放大系数
V
CE
= 4V ，我
C
= 350mA电流TA = 25℃
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
范围
民
—
—
典型值
12
240
最大
—
—
单位
ns
ns
注1：测试电路
输入
Vo
时序图
50%
50%
测量设备
开放
R
L
产量
输入
PG
产量
50
C
L
50%
50%
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，
V
I
= 3.85V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 25Ω ， VO = 10V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
2000年1月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
POWEREX
典型特征
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
热降额因子特征
1.0
500
输出饱和电压
集电极电流特性
V
I
= 3.4V
功耗PD （W ）
0.68
0.6
0.408
集电极电流
IC （MA ）
0.8
400
300
0.4
0.2
200
TA = 25°C
100
TA = 75℃
TA = -20℃
0
0
25
50
75
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
500
500
输出饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
占空比集电极特性
集电极电流
IC （MA ）
1
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
200
该
集电极电流值
表示当前的每电路。
←反复
频率
≥
10Hz
该
在圈内值表示
的同时操作的电路的值。
300
1
2
3
4
5
6
7
8
= TA
= 25°C
200
2
3
45
67
8
100
100
0
0
20
40
60
80
100
0
该
集电极电流
值表示的当前
每个电路。
←反复
频率
≥
10Hz
该
在圈内值表示同时操作的电路的值。
= TA
= 75°C
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
直流放大系数
集电极电流特性
V
CE
= 4V
占空比（ ％ ）
接地发射传输特性
500
V
CE
= 4V
10
4
直流放大因子H
FE
7
5
3
2
TA = 75℃
集电极电流Ic （ mA）的
400
300
10
3
7
5
3
2
TA = -20℃
TA = 25°C
200
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
100
10
2
10
1
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
0
0
1
2
3
4
集电极电流Ic （ mA）的
输入电压V
I
(V)
2000年1月
POWEREX
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585KP
8 -UNIT 500毫安达林顿晶体管阵列钳位二极管
输入特性
10
500
钳位二极管特性
正向偏置电流I
F
（MA ）
TA = -20℃
8
400
输入电流I
I
（MA ）
6
TA = 25°C
TA = 75℃
300
4
200
TA = 25°C
2
100
TA = 75℃
TA = -20℃
0
0
5
10
15
20
25
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
输入电压V
I
(V)
正向偏置电压V
F
(V)
2000年1月
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