三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585P/FP
带钳位二极管的8组500毫安达林顿晶体管阵列
描述
M54585P和M54585FP是八达林顿电路转录
体管阵列的钳位二极管。该电路是由
NPN晶体管。无论是半导体集成电路
具有极低的输入电流进行高电流驱动
供应量。
引脚配置
输入
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
IN8 → 8
GND
9
18
→O1
17
→O2
16
→O3
15
→O4
14
→O5
½
产量
特点
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
高电流驱动（IC （最大值） = 500mA）请
钳位二极管
驾车可与TTL输出或PMOS输出IC
工作温度范围宽（大= -20 + 75 ° C）
13
→O6
12
→O7
11
→O8
10
-COM
常见
封装类型18P4G （ P）
NC
1
20
NC
应用
继电器和打印机，显示的数字驱动器的驱动器元素
ments ，如LED和灯，以及MOS双极逻辑IC
接口
功能
该M54585P和M54585FP各有8电路，
这是NPN达林顿晶体管。输入晶体管有
2.7kΩ的基极和输入端子之间的电阻。一个spike-
杀手钳位二极管，每一个输出引脚之间
和GND 。输出晶体管的发射极都连接到所述
GND引脚。
集电极电流为500mA最大。最大collec-
器 - 发射极电压为50V 。
该M54585FP被封闭在模制的小扁平封装，
实现节省空间的设计。
输入
IN1 → 2
IN2 → 3
IN3 → 4
IN4 → 5
IN5 → 6
IN6 → 7
IN7 → 8
IN8 → 9
GND
10
19
→O1
18
→O2
17
→O3
16
→O4
15
→O5
14
→O6
13
→O7
12
→O8
½
产量
11
-COM
常见
封装形式20P2N -A （ FP ）
NC ：无连接
电路图
COM
产量
输入
2.7K
7.2K
3K
GND
这八个电路共用COM和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585P/FP
带钳位二极管的8组500毫安达林顿晶体管阵列
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
I
F
V
R
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
钳位二极管的正向电流
钳位二极管的反向电压
功耗
工作温度
储存温度
TA安装在船上的时候= 25° C，
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
评级
–0.5 ~ +50
500
–0.5 ~ +30
500
50
1.79(P)/1.10(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
mA
V
W
°C
°C
推荐工作条件
符号
V
O
输出电压
集电极电流
（每1税务局局长电流
CUIT 8时电路
将会陆续Si-所示
multaneously ）
“H”输入电压
“L”输入电压
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
民
0
范围
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
50
400
单位
V
I
C
V
IH
V
IL
占空比
P：不超过6 ％以上
FP ：不超过4％的
占空比
P：不超过34 ％
FP：不超过20 ％
I
C
≤
400mA
I
C
≤
200mA
0
0
3.85
3.4
0
mA
200
30
0.6
V
V
电气特性
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （SAT）
I
I
V
F
I
R
h
FE
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
测试条件
范围
民
50
—
—
—
—
—
—
1000
典型值
+
—
1.3
1.0
0.95
8.7
1.5
—
2500
最大
—
2.4
1.6
1.8
18
2.4
100
—
单位
V
V
mA
V
A
—
集电极 - 发射极击穿电压余
首席执行官
= 100A
V
I
= 3.85V ，我
C
= 400毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
I
= 3.4V ，我
C
= 200毫安
V
I
= 3.85V
输入电流
V
I
= 25V
钳位二极管的正向电压I
F
= 400毫安
钳位二极管的反向电流V
R
= 50V
直流放大系数
V
CE
= 4V ，我
C
= 350mA电流TA = 25℃
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
民
—
—
范围
典型值
12
240
最大
—
—
单位
ns
ns
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54585P/FP
带钳位二极管的8组500毫安达林顿晶体管阵列
时序图
V
O
测量设备
开放
PG
50
C
L
产量
注1：测试电路
输入
50%
R
L
50%
输入
产量
50%
50%
吨
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF =为6ns ，Z
O
= 50
V
I
= 3.85V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 25, V
O
= 10V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
花花公子
典型特征
热降额因子特征
2.0
M54585P
输出饱和电压
集电极电流特性
500
V
I
= 3.4V
功耗PD （W ）
1.5
M54585FP
集电极电流Ic （ mA）的
400
300
1.0
200
TA = 25°C
0.5
100
TA = 75℃
TA = -20℃
0
0
25
50
75
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
(M54585P)
500
500
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比集电极特性
(M54585P)
集电极电流Ic （ mA）的
300
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25℃
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75℃
100
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
1999年8月
QQ：2880707522 复制
