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三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54580P/FP
7 -UNIT 150毫安源类型达林顿晶体管阵列
描述
M54580P和M54580FP是七电路的输出外包
达林顿晶体管阵列。该电路是由PNP型的
和NPN晶体管。两个半导体集成税务局局长
cuits进行大电流驱动用极低的输入 -
电流供应。
引脚配置
输入
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
GND
8
16
→O1
15
→O2
14
→O3
13
→O4
½
产量
12
→O5
特点
高击穿电压( BV
首席执行官
50V)
高电流驱动(木卫一(最大值) = -150mA )
有源L电平输入
随着输入二极管
工作温度范围宽(大= -20 + 75 ° C)
11
→O6
10
→O7
9
V
S
16P4(P)
封装形式16P2N -A ( FP )
电路图
应用
继电器,打印机和显示元件,如驱动器
发光二极管,荧光显示管和灯,并且接口
MOS ,双极逻辑系统和继电器,螺线管之间,
或小型电机
V
S
30K
7K
输入
7K
产量
50K
功能
该M54580P和M54580FP每人有七电路,
这些都使得输出电流源转录达林顿
电阻取值由PNP和NPN晶体管。每个PNP
晶体管之间的二极管7kΩ和阻力
底座和输入引脚。它的发射极和NPN晶体管收藏家
被连接至V
S
引脚(引脚9 ) 。 50kΩ的电阻是
每个连接输出引脚与GND引脚(引脚8 )之间。
输出电流为150mA最大。电源电压V
S
为50V
最大。
该M54580FP被封闭在模制的小扁平封装,
实现节省空间的设计。
GND
七电路共用V
S
和GND 。
二极管,用虚线表示,是寄生的,并且不能
被使用。
单位:
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
S
V
I
I
O
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
(除非另有说明,钽= -20 75
°
C)
条件
输出,L
评级
–0.5 ~ +50
50
–0.5 ~ V
S
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
1999年8月
电流每路输出,H
TA安装在船上的时候= 25° C,
–150
1.47(P)/1.00(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54580P/FP
7 -UNIT 150毫安源类型达林顿晶体管阵列
推荐工作条件
符号
V
S
电源电压
输出电流
(每1税务局局长电流
CUIT 7时电路
将会陆续Si-所示
multaneously )
“H”输入电压
“L”输入电压
占空比
P:不超过85%的
FP :不超过50%的
占空比
P:不超过100 %以上
FP:不超过100 %
参数
(除非另有说明,钽= -20 75
°
C)
4
0
0
V
S
–0.4
0
范围
典型值
最大
50
–100
单位
V
I
O
mA
–50
V
S
V
S
–3.2
V
V
V
IH
V
IL
电气特性
符号
V
( BR ) CEO
V
CE (SAT)
I
I
I
R
h
FE
参数
(除非另有说明,钽= -20 75
°
C)
测试条件
I
首席执行官
= 100A
V
I
= V
S
= 3.2V ,我
O
= -100mA
V
I
= V
S
= 3.2V ,我
O
= -50mA
V
I
= V
S
–3.5V
V
I
= V
S
–6V
V
I
= 40V
V
CE
= 4V, V
S
= 10V ,我
C
= -100mA , TA = 25℃
范围
50
800
典型值
+
0.9
0.8
–0.3
–0.65
3000
最大
1.5
1.2
–0.6
–0.95
100
单位
V
V
mA
A
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电流
钳位二极管的反向电流
直流放大系数
+
:典型值是25℃,环境温度(Ta )下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
(除非另有说明, TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的(注1 )
测试条件
范围
典型值
200
7500
最大
单位
ns
ns
注1:测试电路
输入
V
S
时序图
输入
测量设备
50%
50%
PG
50
R
L
C
L
产量
50%
产量
花花公子
50%
( 1 )脉冲发生器( PG )特点: PRR = 1kHz时,
TW = 10μs的, TR = 6ns的, TF =为6ns ,Z
O
= 50
V
I
= 0.8 4V
( 2 )输入输出条件下,R
L
= 40, , V
S
= 4V
( 3 )静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54580P/FP
7 -UNIT 150毫安源类型达林顿晶体管阵列
典型特征
输出饱和电压
输出电流特性
–200
V
S
= 10V
V
I
= 6.8V
热降额因子特征
2.0
功耗PD (W )
输出电流I
O
(MA )
1.5
M54580P
–150
1.0
M54580FP
–100
TA = 75℃
TA = 25°C
0.5
–50
TA = -20℃
0
0
25
50
75
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta (C )
占空比输出电流特性
(M54580P)
–200
输出饱和电压V
CE
( SAT ) (V )
占空比输出电流特性
(M54580P)
–200
输出电流I
O
(MA )
–120
to
输出电流I
O
(MA )
–160
–160
to
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75℃
–120
–80
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25℃
–80
–40
–40
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比输出电流特性
(M54580FP)
–200
占空比( % )
占空比输出电流特性
(M54580FP)
–200
输出电流I
O
(MA )
–120
to
输出电流I
O
(MA )
–160
–160
to
–120
–80
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25℃
–80
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75℃
–40
–40
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比( % )
占空比( % )
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54580P/FP
7 -UNIT 150毫安源类型达林顿晶体管阵列
接地发射传输特性
–200
10
4
V
S
= 10V
V
CE
= 4V
7
直流放大系数
输出电流特性
V
S
= 10V
V
CE
= 4V
TA = 75℃
–150
直流放大因子H
FE
5
3
2
TA = 25°C
输出电流I
O
(MA )
TA = -20℃
–100
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
10
3
7
5
3
2
–50
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
10
2 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
电源电压输入电压V
S
–V
I
(V)
输出电流I
O
(MA )
输入特性
–5
V
S
= 20V
–4
输入电流I
I
(MA )
–3
TA = -20℃
TA = 25°C
–2
–1
TA = 75℃
0
0
5
10
15
20
电源电压输入电压V
S
–V
I
(V)
1999年8月
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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