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三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54566P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
描述
M54566P和M54566FP七电路集电极电流 -
同步达林顿晶体管阵列。该电路是
由PNP和NPN晶体管。无论是半导体
集成电路进行高电流驱动的EX-
tremely低输入电流供应。
引脚配置
输入
16
→O1
15
→O2
14
→O3
13
→O4
½
产量
12
→O5
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
GND
8
特点
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
高电流驱动（IC （最大值） = 400毫安）
有源L电平输入
工作温度范围宽（大= -20 + 75 ° C）
11
→O6
10
→O7
9
V
CC
16P4(P)
封装形式16P2N -A （ FP ）
应用
微型计算机和高压之间的接口，高
电流驱动系统，继电器和打印机驱动器，并
MOS ，双极性逻辑IC接口
电路图
V
CC
20K
输入
8K
7.2K
2.7K
产量
功能
在M54566通过加入PNP晶体管来产生
M54222的投入。具有活性的L-电平输入电路的七个
提供。
8KΩ的电阻是每个输入和PNP之间设置
三极管的基极。在输入发射极连接到V
CC
针
（ 9脚） 。输出晶体管的发射极都连接到所述
GND引脚（引脚8 ） 。
集电极电流是400毫安最大。集电极 - 发射极支持
层电压为50V最大。
这些IC是最适合的驱动有N -MOS驱动器
IC输出和吸收集电极电流。
该M54566FP被封闭在模制的小扁平封装，
实现节省空间的设计。
3K
GND
七电路共用V
CC
和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
首席执行官
I
C
V
I
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
功耗
工作温度
储存温度
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
TA安装在船上的时候= 25° C，
评级
10
–0.5 ~ +50
400
–0.5 ~ V
CC
1.47(P)/1.00(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
V
mA
V
W
°C
°C
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54566P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
推荐工作条件
符号
V
CC
V
O
电源电压
输出电压
集电极电流
（每1税务局局长电流
CUIT 7时电路
将会陆续Si-所示
multaneously ）
“H”输入电压
“L”输入电压
V
CC
= 5V ，占空比
P：不超过10 ％
FP：不大于6％
V
CC
= 5V ，占空比
P：不超过30 ％
FP：不超过20 ％
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
民
4
0
0
0
V
CC
–0.2
0
范围
典型值
5
—
—
—
—
—
最大
8
50
350
单位
V
V
I
C
mA
200
V
CC
V
CC
–3
V
V
V
IH
V
IL
电气特性
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （SAT）
I
I
I
CC
h
FE
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
测试条件
I
首席执行官
= 100A
V
I
= V
CC
= 3V ，我
C
= 350毫安
V
I
= V
CC
= 3V ，我
C
= 200毫安
V
I
= V
CC
–3.5V
V
CC
= 5V, V
I
= V
CC
–3.5V
V
CE
= 4V, V
CC
= 5V ，我
C
= 350mA电流TA = 25℃
范围
民
50
—
—
—
—
2000
典型值
+
—
1.1
0.9
–0.38
1.4
10000
最大
—
2.2
1.6
–0.58
3.0
—
单位
V
V
mA
mA
—
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电流
电源电流（一个线路即将上）
直流放大系数
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
范围
民
—
—
典型值
95
2500
最大
—
—
单位
ns
ns
注1：测试电路
输入
V
CC
测
设备
V
O
时序图
输入
50%
50%
R
L
产量
产量
PG
50
C
L
50%
50%
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF =为6ns ，Z
O
= 50
V
I
= 1 4V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 30, V
O
= 10V, V
CC
= 4V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54566P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
典型特征
输出饱和电压
集电极电流特性
400
V
CC
= 4V
V
I
= 1V
热降额因子特征
2.0
功耗PD （W ）
1.5
M54566P
集电极电流Ic （ mA）的
300
TA = 75℃
1.0
M54566FP
TA = -20℃
TA = 25°C
200
0.5
100
0
0
25
50
75
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
(M54566P)
500
500
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比集电极特性
(M54566P)
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
300
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
V
CC
= 5V
TA = 75℃
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
V
CC
= 5V
TA = 25℃
100
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
占空比集电极特性
(M54566FP)
500
500
占空比（ ％ ）
占空比集电极特性
(M54566FP)
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流Ic （ mA）的
400
400
300
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
V
CC
= 5V
TA = 25℃
300
100
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
V
CC
= 5V
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。 TA = 75℃
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54566P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
直流放大系数
集电极电流特性
10
4
7
VCC = 4V
V
CE
= 4V
接地发射传输特性
400
VCC = 4V
V
CE
= 4V
TA = 75℃
直流放大因子H
FE
5
3
2
集电极电流Ic （ mA）的
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
300
TA = 25°C
TA = -20℃
10
3
7
5
3
2
200
100
10
2 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
集电极电流Ic （ mA）的
电源电压输入电压V
CC–
V
I
(V)
输入特性
–1.0
VCC = 8V
电源电流特性
5
V
I
= 0V
电源电流ICC（毫安）
–0.8
4
TA = -20℃
TA = 25°C
输入电流I
I
（MA ）
–0.6
TA = -20℃
TA = 25°C
3
–0.4
TA = 75℃
2
TA = 75℃
–0.2
1
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
电源电压输入电压V
CC–
V
I
(V)
电源电压V
CC
(V)
1999年8月
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