三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54563P/FP
带钳位二极管8 -UNIT 500毫安源类型达林顿晶体管阵列
描述
M54563FP是一个8电路输出的采购达林顿
晶体管阵列。该电路是由PNP和NPN转录的
电阻取值。这种半导体集成电路进行高
电流驱动具有极低的输入电流供应。
引脚配置
输入
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
IN8 → 8
V
S
9
18
→O1
17
→O2
16
→O3
15
→O4
14
→O5
13
→O6
12
→O7
11
→O8
10 GND
½
产量
特点
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
高电流驱动（木卫一（最大值） = -500mA ）
钳位二极管
驾驶可提供6个PMOS IC输出 16V或TTL输出
工作温度范围宽（大= -20 + 75 ° C）
输出电流源型
封装类型18P4G （ P）
NC
1
20
NC
应用
继电器，打印机， LED灯，荧光显示管驱动器
和灯具，以及MOS双极逻辑系之间的接口
TEMS和继电器，螺线管，或小型电机
功能
该M54563P和M54563FP各有8电路，
这些都使得输入逆变器和电流源输出的
放。则输出为PNP晶体管和NPN的
达林顿晶体管。 PNP晶体管基极电流
常数。钳位二极管的每个输出之间
和GND 。 V
S
和GND作为通常使用的8间
电路。
该输入具有的3kΩ的电阻，以及高达10V的电压
是适用的。输出电流为500 mA（最大值） 。供应
电压V
S
为50V最大。
该M54563FP被封闭在模制的小扁平封装，
实现节省空间的设计。
输入
IN1 → 2
IN2 → 3
IN3 → 4
IN4 → 5
IN5 → 6
IN6 → 7
IN7 → 8
IN8 → 9
V
S
10
19
→O1
18
→O2
17
→O3
16
→O4
15
→O5
14
→O6
13
→O7
12
→O8
11 GND
½
产量
封装形式20P2N -A （ FP ）
NC ：无连接
电路图
V
S
20K
3K
输入
7.2K
1.5K
3K
产量
GND
这八个电路共用V
S
和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54563P/FP
带钳位二极管8 -UNIT 500毫安源类型达林顿晶体管阵列
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
S
V
I
I
O
I
F
V
R
P
d
T
OPR
T
英镑
#
#
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
参数
集电极 - 发射极电压
电源电压
输入电压
输出电流
钳位二极管的正向电流
钳位二极管的反向电压
功耗
工作温度
储存温度
输出，L
条件
评级
–0.5 ~ +50
50
–0.5 ~ +10
–500
–500
50
单位
V
V
V
mA
mA
V
W
°C
°C
电流每路输出，H
TA安装在船上的时候= 25° C，
1.79(P)/1.10(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
＃ ：未使用的I / O引脚都必须连接到GND 。
推荐工作条件
符号
V
S
电源电压
输出电流
（每1税务局局长电流
CUIT 8时电路
将会陆续Si-所示
multaneously ）
“H”输入电压
“L”输入电压
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
民
0
范围
典型值
—
—
—
—
—
最大
50
–350
单位
V
I
O
占空比
P：不超过8 ％以上
FP ：不超过5％的
占空比
P：不超过55 ％
FP：不超过30 ％
0
0
2.4
0
mA
–100
10
0.2
V
V
V
IH
V
IL
电气特性
符号
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
测试条件
V
S
= 50V, V
I
= 0.2V
V
S
= 10V, V
I
= 2.4V ，我
O
= -350mA
V
S
= 10V, V
I
= 2.4V ，我
O
= -100mA
V
I
= 3V
V
I
= 10V
V
S
= 50V, V
I
= 3V （所有输入）
I
F
= -350mA
V
R
= 50V
范围
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
+
—
1.6
1.45
0.6
2.9
5.6
–1.2
—
最大
100
2.4
2.0
1.0
5.0
15.0
–2.4
100
单位
A
V
mA
mA
V
A
I
S（渗漏） ＃
供应漏电流
V
CE （SAT）
I
I
I
S
V
F
I
R
#
集电极 - 发射极饱和电压
输入电流
电源电流
钳位二极管的正向电压
钳位二极管的反向电流
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
＃ ：未使用的I / O引脚都必须连接到GND 。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
民
—
—
范围
典型值
100
4800
最大
—
—
单位
ns
ns
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54563P/FP
带钳位二极管8 -UNIT 500毫安源类型达林顿晶体管阵列
注1：测试电路
输入
V
S
测量设备
50%
输入
50%
时序图
PG
50
R
L
C
L
产量
50%
产量
吨
花花公子
50%
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF =为6ns ，Z
O
= 50
V
I
= 0 2.4V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 30, V
S
= 10V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
典型特征
输出饱和电压
输出电流特性
–500
V
S
= 10V
V
I
= 2.4V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
热降额因子特征
2.0
M54563P
功耗PD （W ）
1.5
M54563FP
输出电流I
O
（MA ）
50
75
100
–400
–300
1.0
–200
0.5
–100
0
0
25
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
环境温度Ta （C ）
占空比输出电流特性
(M54563P)
–500
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比输出电流特性
(M54563P)
–500
输出电流I
O
（MA ）
输出电流I
O
（MA ）
–400
–400
–300
–200
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25℃
–300
–200
–100
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75℃
–100
80
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54563P/FP
带钳位二极管8 -UNIT 500毫安源类型达林顿晶体管阵列
占空比输出电流特性
(M54563FP)
–500
输出电流I
O
（MA ）
输出电流I
O
（MA ）
–400
占空比输出电流特性
(M54563FP)
–500
–400
–300
–200
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25℃
–300
–100
80
100
–200
–100
输出电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
0
0
20
40
60
0
TA = 75℃
100
0
20
40
60
80
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
接地发射传输特性
–500
正向偏置电流I
F
（MA ）
V
S
= 20V
V
S
-V
O
= 4V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
钳位二极管特性
500
输出电流I
O
（MA ）
–400
400
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
–300
300
–200
200
–100
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
输入电压V
I
(V)
正向偏置电压V
F
(V)
输入特性
1.0
V
S
= 20V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
输入特性
5
V
S
= 20V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
0.8
输入电流I
I
（MA ）
4
输入电流I
I
（MA ）
3
4
5
0.6
3
0.4
2
0.2
1
0
0
1
2
0
0
2
4
6
8
10
输入电压V
I
(V)
输入电压V
I
(V)
1999年8月
QQ：2881677436 复制
