三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54513P/FP
8 -UNIT 50毫安晶体管阵列
描述
M54513P和M54513FP八个电路晶体管阵列。
该电路是由NPN晶体管。无论是semicon-
导体集成电路进行高电流驱动的
极低的输入电流供应。
引脚配置
输入
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
IN8 → 8
GND
9
18
→O1
17
→O2
16
→O3
15
→O4
14
→O5
13
→O6
12
→O7
11
→O8
10
NC
NC :无连接
½
产量
特点
高击穿电压( BV
首席执行官
≥
40V)
同步电流(IC (最大值)= 50毫安)
工作温度范围宽(大= -20 + 75 ° C)
封装类型18P4G ( P)
NC
1
20
NC
应用
驾驶指示元素的数字驱动器( LED和
灯)小信号
功能
该M54513P和M54513FP各有8电路CON-
sisting NPN晶体管。这些芯片有2性
kΩ的在13.6kΩ的基极和发射极之间的输入和。
与GND共同使用在每个电路。
晶体管允许50毫安集热器流同步
电流。最大40V电压之间可以应用
集电极和发射极。
该M54513FP被封闭在模制的小扁平封装,
实现节省空间的设计。
输入
IN1 → 2
IN2 → 3
IN3 → 4
IN4 → 5
IN5 → 6
IN6 → 7
IN7 → 8
IN8 → 9
GND
10
19
→O1
18
→O2
17
→O3
16
→O4
15
→O5
14
→O6
13
→O7
12
→O8
11
NC
½
产量
封装形式20P2N -A ( FP )
NC :无连接
电路图
产量
2K
输入
13.6K
GND
这八个电路共用接地。
二极管,用虚线表示,是寄生的,并且不能
被使用。
单位:
1999年8月
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54513P/FP
8 -UNIT 50毫安晶体管阵列
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
I
C
V
I
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
功耗
工作温度
储存温度
(除非另有说明,钽= -20 75
°
C)
条件
输出,H
电流每路输出,L
TA安装在船上的时候= 25° C,
评级
–0.5 ~ +40
50
–0.5 ~ +10
1.79(P)/1.10(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
mA
V
W
°C
°C
推荐工作条件
符号
V
O
I
C
V
IH
V
IL
参数
输出电压
集电极电流
“H”输入电压
“L”输入电压
(除非另有说明,钽= -20 75
°
C)
民
0
0
2
0
范围
典型值
—
—
—
—
最大
40
30
8
0.2
单位
V
mA
V
V
电气特性
符号
V
( BR ) CEO
V
CE (SAT)
I
I
h
FE
参数
(除非另有说明,钽= -20 75
°
C)
测试条件
范围
民
40
—
—
—
80
典型值
+
—
25
70
0.85
200
最大
—
100
170
1.7
—
单位
V
mV
mA
—
集电极 - 发射极击穿电压余
首席执行官
= 100A
集电极 - 发射极饱和电压
输入电流
直流放大系数
V
I
= 2V ,我
C
= 10毫安
V
I
= 2.5V ,我
C
= 30毫安
V
I
= 2.5V
V
CE
= 4V ,我
C
= 30mA时TA = 25℃
+
:典型值是25℃,环境温度(Ta )下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
(除非另有说明, TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的(注1 )
测试条件
民
—
—
范围
典型值
65
1200
最大
—
—
单位
ns
ns
注1:测试电路
输入
测量设备
V
O
时序图
50%
R
L
产量
50%
输入
PG
50
C
L
产量
50%
50%
吨
( 1 )脉冲发生器( PG )特点: PRR = 1kHz时,
TW = 10μs的, TR = 6ns的, TF =为6ns ,Z
O
= 50
V
P
= 2.5V
P-P
( 2 )输出条件下,R
L
= 300, V
O
= 10V
( 3 )静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
花花公子
1999年8月