ESMT
移动SDRAM
特点
2.5V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序&交错）
EMRS周期地址
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
特殊功能的支持
-
PASR （部分阵列自刷新）
-
TCSR （温度补偿自刷新）
-
DS （驱动力）
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
M52S128168A
2M ×16位×4银行
同步DRAM
订购信息
产品编号
M52S128168A-7TG
M52S128168A-7BG
最大频率。
143MHz
143MHz
包
54 TSOP II
54球FBGA
54 TSOP II
54球FBGA
54 TSOP II
54球FBGA
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
M52S128168A - 133MHz的7.5TG
M52S128168A - 133MHz的7.5BG
M52S128168A-10TG
M52S128168A-10BG
100MHz
100MHz
概述
该M52S128168A是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个字2,097,152
由16位。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
引脚配置（顶视图）
1
2
DQ15
3
VSSQ
4
5
6
7
VDDQ
8
DQ0
9
VDD
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
A
VSS
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
NC
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
54球FBGA
(8x8mm)
（毫米焊球间距）
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年12月
修订： 1.2
1/47
ESMT
功能框图
CLK
CKE
时钟
发电机
组D
C银行
B组
行解码器
ROW
地址
卜FF器
＆放大器;
刷新
计数器
M52S128168A
地址
模式
注册
银行
检测放大器
命令解码器
控制逻辑
CS
RAS
CAS
WE
数据控制电路
输入输出&
卜FF器
闩锁电路
COLUMN
地址
卜FF器
＆放大器;
刷新
计数器
L（ U） DQM
列解码器
DQ
引脚功能说明
针
CLK
CS
CKE
A0 ~ A11
BA0 ， BA1
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入
禁用或启用的设备操作通过屏蔽或使所有
除了输入CLK ， CKE和L （ U） DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存行地址，在CLK的与正向边沿
RAS
行地址选通
RAS低。
让行存取&预充电。
闩锁， CLK与正边沿列地址
CAS
列地址选通
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
WE
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
锁存数据从CAS开始，
WE
活跃的。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲，以提供分离的电源和接地
增强抗干扰性。
该引脚建议留在设备上的连接。
L（ U） DQM
DQ0 DQ15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年12月
修订： 1.2
2/47
ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
1
50
M52S128168A
单位
V
V
°
C
W
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0至70
°
C )
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
输出漏电流
注意：
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
民
2.3
0.8xV
DDQ
-0.3
V
DDQ
-0.2
-
-2
-2
典型值
2.5
2.5
0
-
-
-
-
最大
2.7
V
DDQ
+0.3
0.3
-
0.2
2
2
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
3
4
记
μ
A
μ
A
1. V
IH（ MAX）的
= 3.0V AC脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
2. V
IL （ MIN ）
= -1.0V交流脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
所有其他引脚都没有被测= 0V 。
4. D
OUT
被禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
.
电容
(V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25
°
C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 A11 ， BA0 BA1 ）
输入电容
（ CLK ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
＆放大器;
L（ U） DQM ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ15 ）
C
IN2
1.5
3.5
pF
符号
C
IN1
民
1.5
最大
3.0
单位
pF
C
OUT
2.0
4.5
pF
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出版日期： 2008年12月
修订： 1.2
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ESMT
DC特性
推荐的操作条件，除非另有说明，T
A
= 0至70℃
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机
目前在掉电
模式
预充电待机
目前在非
掉电模式
符号
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
测试条件
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟） ，T
CC
≥
t
CC
（分钟） ，我
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号时为20ns一次改变
I
CC2NS
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
（一银行活动）
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=15ns
输入信号中2clks一次改变
所有其他引脚
≥
V
DD
-0.2V或
≤
0.2V
I
CC3NS
工作电流
（突发模式）
刷新当前
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安，页突发
全波段激活， TCCD = TCCD （分钟）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
TCSR范围
自刷新电流
I
CC6
CKE
≤
0.2V
4银行
2银行
1银行
深度掉电
当前
I
CC7
CKE
≤
0.2V
150
15
380
360
340
M52S128168A
-7
VERSION
-7.5
80
0.5
0.5
10
-10
单位注
mA
mA
mA
mA
1
10
5
2
25
mA
mA
mA
15
85
130
45
400
380
350
10
120
70
500
450
400
mA
mA
1
I
CC4
I
CC5
mA
2
°C
uA
uA
注意：
1.Measured具有输出开路。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
2.Refresh周期为64毫秒。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
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修订： 1.2
4/47
ESMT
AC运行试验条件
(V
DD
=2.5V
±
0.2V,T
A
= 0 °C ~ 70 °C )
参数
输入电平（ VIH / VIL）
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
0.9× V
DDQ
/ 0.2
0.5× V
DDQ
潮流/ TF = 1/1的
0.5× V
DDQ
见图2
M52S128168A
单位
V
V
ns
V
经营AC参数
（交流工作条件，除非另有说明）
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
@Operating
@Auto刷新
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
模式寄存器命令来激活或刷新命令
符号
t
RRD
（分钟）
t
RCD
（分钟）
t
RP
（分钟）
t
RAS
（分钟）
t
RAS
（最大）
VERSION
-7
14
14
14
42
-7.5
15
15
15
48
100
63
67.5
80
1
2
1
1
2
2
1
64
90
-10
20
20
20
50
单位
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
ea
ms
记
1
1
1
1
-
1
1,5
2
2
2
3
-
4
6
行周期时间
t
RC
（分钟）
t
RFC
（分钟）
t
CDL
（分钟）
t
RDL
（分钟）
t
BDL
（分钟）
t
CCD
（分钟）
t
MRD
（分钟）
CAS延时= 3
CAS延时= 2
的有效输出数据的数量
刷新周期（ 4096行）
t
REF
（最大）
注意：
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间和所需要的最小时间来确定
然后四舍五入到下一个较大整数。
3.最小的延迟才能完成写操作。
4.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
5.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
最早的一个预充电命令可以读出指令后没有数据的丢失被发出是CL + BL-2时钟
5.新的命令，可给予吨
RFC
后自刷新退出。
6，最多八个连续自动刷新命令（与T
RFCMIN
）可以发布到任何给定的SDRAM和
任何自动刷新命令和下一个自动刷新命令之间的最大间隔时间绝对是
8x15.6μs.)
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出版日期： 2008年12月
修订： 1.2
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SDRAM
特点
初步
M52S128168A
1M ×16位×4银行
同步DRAM
最大
频率。
2.5V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序&交错）
EMRS周期地址
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
特殊功能的支持
-
PASR （部分阵列自刷新）
-
TCSR （温度补偿自刷新）
-
DS （驱动力）
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
产品编号
包
54 TSOP II
54球FBGA
54 TSOP II
54球FBGA
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
M52S128168A - 133MHz的7.5TG
M52S128168A - 133MHz的7.5BG
M52S128168A-10TG
M52S128168A-10BG
100MHz
100MHz
订购信息
概述
该M52S128168A是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4个字2,097,152
由16位。同步设计允许精确的周期控制与利用系统时钟的I / O事务是可能的
每个时钟周期。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高性能存储系统的应用是有用的。
引脚配置（顶视图）
1
2
DQ15
3
VSSQ
4
5
6
7
VDDQ
8
DQ0
9
VDD
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
A
VSS
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
NC
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
54球FBGA
(8x8mm)
（毫米焊球间距）
晶豪科科技有限公司
出版日期：五月。 2007年
修订： 1.0
2/47
ESMT
功能框图
CLK
CKE
时钟
发电机
初步
M52S128168A
组D
C银行
B组
行解码器
ROW
地址
卜FF器
＆放大器;
刷新
计数器
地址
模式
注册
银行
检测放大器
命令解码器
控制逻辑
CS
RAS
CAS
WE
数据控制电路
输入输出&
卜FF器
闩锁电路
COLUMN
地址
卜FF器
＆放大器;
刷新
计数器
L（ U） DQM
列解码器
DQ
引脚功能说明
针
CLK
CS
CKE
A0 ~ A11
BA0 ， BA1
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入
禁用或启用的设备操作通过屏蔽或使所有
除了输入CLK ， CKE和L （ U） DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存行地址，在CLK的与正向边沿
RAS
行地址选通
RAS低。
让行存取&预充电。
闩锁， CLK与正边沿列地址
CAS
列地址选通
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
WE
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
锁存数据从CAS开始，
WE
活跃的。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲，以提供分离的电源和接地
增强抗干扰性。
该引脚建议留在设备上的连接。
L（ U） DQM
DQ0 DQ15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC
晶豪科科技有限公司
出版日期：五月。 2007年
修订： 1.0
3/47
ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
初步
M52S128168A
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
1
50
单位
V
V
°
C
W
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0至70
°
C )
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
输出漏电流
注意：
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
民
2.3
0.8xV
DDQ
-0.3
V
DDQ
-0.2
-
-2
-2
典型值
2.5
2.5
0
-
-
-
-
最大
2.7
V
DDQ
+0.3
0.3
-
0.2
2
2
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
3
4
记
μ
A
μ
A
1. V
IH（ MAX）的
= 3.0V AC脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
2. V
IL （ MIN ）
= -1.0V交流脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
所有其他引脚都没有被测= 0V 。
4. D
OUT
被禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
.
电容
(V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25
°
C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 A11 ， BA0 BA1 ）
输入电容
（ CLK ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
＆放大器;
L（ U） DQM ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ15 ）
C
IN2
1.5
3.5
pF
符号
C
IN1
民
1.5
最大
3.0
单位
pF
C
OUT
2.0
4.5
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期：五月。 2007年
修订： 1.0
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ESMT
DC特性
初步
M52S128168A
推荐的操作条件，除非另有说明， TA = 070
°
C
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机
目前在掉电
模式
预充电待机
目前在非
掉电模式
符号
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
测试条件
CAS
潜伏期
VERSION
-7.5
65
0.5
0.5
10
-10
60
单位注
mA
mA
mA
mA
1
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟） ，T
CC
≥
t
CC
（分钟） ，我
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=10ns
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安，页突发
全波段激活， TCCD = TCCD （分钟）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
TCSR范围
4银行
I
CC2NS
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
（一银行活动）
工作电流
（突发模式）
刷新当前
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
I
CC3NS
5
5
2
20
15
70
130
45
200
150
130
10
60
120
70
330
230
190
mA
mA
mA
mA
mA
1
I
CC4
I
CC5
mA
2
°C
自刷新电流
I
CC6
CKE
≤
0.2V
2银行
1银行
uA
深度掉电
当前
I
CC7
CKE
≤
0.2V
uA
注意：
1.Measured具有输出开路。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
2.Refresh周期为64毫秒。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
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